摘要 在印刷和蚀刻生产厚金属膜中的精密图案时,需要对化学蚀刻剂有基本的了解,以实现工艺优化和工艺控制。 为了蚀刻纯铝电路,研究了正磷酸、多磷酸和氯化铁的配方。 研究的目的是确定蚀刻速率和图案定义对正
2022-01-07 15:07:48
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项工作中,使用光刻和蚀刻技术将晶体硅(c- Si)晶片深度蚀刻至厚度小于20 μm。使用SPR 220-7.0和SU-8光刻胶,使用四甲基氢氧化铵(TMAH)湿法各向异性蚀刻和基于等离子体的反应离子蚀刻(RIE)。二氧化硅用作TMAH蚀刻的制造层。4英寸c-Si晶片的TMAH蚀刻在80℃的温度
2022-06-10 17:22:58
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在半导体器件制造中,蚀刻指的是从衬底上的薄膜选择性去除材料并通过这种去除在衬底上产生该材料的图案的任何技术,该图案由抗蚀刻工艺的掩模限定,其产生在光刻中有详细描述,一旦掩模就位,可以通过湿法化学或“干法”物理方法对不受掩模保护的材料进行蚀刻,图1显示了这一过程的示意图。
2022-07-06 17:23:52
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atm)约等于760毫米高水银柱产生的压强(mmHg)。不同领域、不同国家和地区使用不同的压强单位,工此技术中常用的压强单位是: (2)真空与真空度 通常所说的真空是指气体压强低于大气压强的一种状态
2018-09-07 16:26:35
真空接触器有一个延时的抖动,请问这是什么原因?
2014-04-12 16:52:41
请问有人熟悉成都国光吗,国光的真空接触器怎么样,有人发现有什么问题吗?
2014-04-12 16:50:24
真空测试仪又称真空度测试仪,(英译:Vacuum degree reflectoscope reflector)是电力系统中普遍使用的高压电器,其核心部件是真空灭弧室,由于灭弧室是以真空条件作为工作基础的,所以它不象油开关,SF6开关那样容易检测其质量。
2020-03-26 09:02:55
寻求大神帮助!!目前设计电路原理:160uf大电容充满电后,需要通过真空触发开关导通瞬间释放,但真空触发开关在电流到零后会自动关断,此时电容中的电压反向且能量并没有完全释放;请问怎样设计触发电路才能让电流到零后不自动关断将电容中的能量完全释放??
2021-12-17 11:10:13
PCB,电路板,基板上面如何出现电路呢?这就要蚀刻来实现。所谓蚀刻,先在板子外层需保留的铜箔部分,也就是电路的图形部分,在上面预镀一层铅锡抗蚀层,然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉。铜有两层,一层
2017-02-21 17:44:26
为了在基板上形成功能性的MEMS结构,必须蚀刻先前沉积的薄膜和/或基板本身。通常,蚀刻过程分为两类:浸入化学溶液后材料溶解的湿法蚀刻干蚀刻,其中使用反应性离子或气相蚀刻剂溅射或溶解材料在下文中,我们将简要讨论最流行的湿法和干法蚀刻技术。
2021-01-09 10:17:20
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 编辑
各位大侠:有谁知道哪家有供应蚀刻钛的药水,请告知或提供联系方法。谢谢!!!本人的QQ号码是:414615292
2012-08-08 14:51:57
`请问PCB蚀刻工艺质量要求有哪些?`
2020-03-03 15:31:05
,通过光化学法,网印图形转移或电镀图形抗蚀层,然后蚀刻掉非图形部分的铜箔或采用机械方式去除不需要部分而制成印制电路板PCB。而减成法中主要有雕刻法和蚀刻法两种。雕刻法是用机械加工方法除去不需要的铜箔,在单
2018-09-21 16:45:08
的厚度对电路图形的导线密度有着重要影响。铜箔薄,蚀刻时间短,侧蚀就很小;反之,侧蚀就很大。所以,必须根据设计技术要求和电路图形的导线密度及导线精度要求,来选择铜箔厚度。同时铜的延伸率、表面结晶构造等
2018-09-11 15:19:38
对电路图形的导线密度有着重要影响。铜箔薄,蚀刻时间短,侧蚀就很小;反之,侧蚀就很大。所以,必须根据设计技术要求和电路图形的导线密度及导线精度要求,来选择铜箔厚度。同时铜的延伸率、表面结晶构造等,都会
2013-10-31 10:52:34
PCB印制电路中影响蚀刻液特性的因素有哪些
2021-04-25 06:45:00
具有高反应能力的技术秘诀 ),可见一价铜离子的影响是不小的。将一价铜由5000ppm降至50ppm,蚀刻速率会提高一倍以上。 由于蚀刻反应过程中生成大量的一价铜离子,又由于一价铜离子总是与氨的络合
2018-11-26 16:58:50
的板子受阻 (7)蚀刻机上下喷淋压力不均匀,下压过大时会顶高板子 解决方法: (1)按设备说明书进行调整,调整各段滚轮的水平角度与排列,应符合技术要 求。 (2)详细检查各段喷管摆动是否正确
2018-09-19 16:00:15
作用是降低一价铜离子(这些即是他们的产品具有高反应能力的技术秘诀 ),可见一价铜离子的影响是不小的。将一价铜由5000ppm降至50ppm,蚀刻速率会提高一倍以上。 由于蚀刻反应过程中生成大量的一价
2018-09-13 15:46:18
目前,有三种天线制造技术:蚀刻/冲压天线(etched/punchedantenna)、印刷天线(printedantenna)和绕线式天线。其中,绕线和印刷技术在中国大陆得到了较为广泛
2019-06-26 06:17:24
镜面硅结构时,表面的平滑度和蚀刻速率是关键参数。我们展示了一种从单晶硅创建 45° 和 90° 蚀刻平面的方法,用作微流体装置中的逆反射侧壁。该技术使用相同的光刻图案方向,但使用两种不同的蚀刻剂。用
2021-07-19 11:03:23
(这些即是他们的产品具有高反应能力的技术秘诀 ),可见一价铜离子的影响是不小的。将一价铜由5000ppm降至50ppm,蚀刻速率会提高一倍以上。[hide]由于蚀刻反应过程中生成大量的一价铜离子,又由于一
2018-04-05 19:27:39
具有多年旋片式真空泵维修的企业,对旋片式真空泵的工作原理非常了解熟悉,能够通过专业技术及设备快速寻找并解决问题,提高企业的生产效率,让旋片式真空泵更好地发挥作用。欢迎各行各业的旋片式真空泵用户来电咨询了解。
2017-04-08 09:11:06
凝汽器真空度的计算夏天,冷却器投入运行前的真空度为89.8%,冷却器投入运行后的真空度为91.4%,冷却器投入运行后的真空度提高1.6%.冬天,冷却器投入运行前的真空度为95.1%,冷却器投入运行后
2012-11-22 10:17:35
摘要:在印制电路制作过程中,蚀刻是决定电路板最终性能的最重要步骤之一。所以,研究印制电路的蚀刻过程具有很强的指导意义,特别是对于精细线路。本文将在一定假设的基础上建立模型,并以流体力学为理论基础
2018-09-10 15:56:56
印制电路板的蚀刻可采用以下方法: 1 )浸入蚀刻; 2) 滋泡蚀刻; 3) 泼溅蚀刻; 4) 喷洒蚀刻。 由于喷洒蚀刻的产量和细纹分辨率高,因此它是应用最为广泛的一项技术。 1 浸入
2018-09-11 15:27:47
适用范围 印制线路板制造业发达地区集中开展含铜蚀刻废液综合利用。 主要技术内容 一、基本原理 将印制线路板碱性蚀刻废液与酸性氯化铜蚀刻废液进行中和沉淀,生成的碱式氯化铜沉淀用于生产工业级硫酸铜;沉淀
2018-11-26 16:49:52
产品都含有价铜离子的特殊配位基(一些复杂的溶剂)﹐其作用是降低一价铜离子(产品具有高反应能力的技术秘诀)﹐可见一价铜离子的影响是不小的。 将一价铜由5000ppm降至50ppm,蚀刻速率即提高一倍以上
2017-06-23 16:01:38
晶片与工作台面间的空间小,气体喷出凹槽喷出的气体对蚀刻液会形成阻力,造成蚀刻液回渗太少,去除晶片边缘上的硅针效果不佳。 为了克服现有技术的不足,本发明的目的是为了解决上述问题而提供一种晶片边缘的蚀刻
2018-03-16 11:53:10
湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程,该过程中使用化学物质去除晶圆层。晶圆,也称为基板,通常是平面表面,其中添加了薄薄的材料层,以用作电子和微流体设备的基础;最常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。湿法刻蚀
2021-01-08 10:15:01
我司是做湿法蚀刻药水的,所以在湿法这块有很多年的研究。所以有遇到湿法蚀刻问题欢迎提问,很愿意为大家解答。谢谢!QQ:278116740
2017-05-08 09:58:09
大量涉及蚀刻面的质量问题都集中在上板面被蚀刻的部分,而这些问题来自于蚀刻剂所产生的胶状板结物的影响。对这一点的了解是十分重要的, 因胶状板结物堆积在铜表面上。一方面会影响喷射力,另一方面会阻档了
2017-06-24 11:56:41
即是他们的产品具有高反应能力的技术秘诀 ),可见一价铜离子的影响是不小的。将一价铜由5000ppm降至50ppm,蚀刻速率会提高一倍以上。 由于蚀刻反应过程中生成大量的一价铜离子,又由于一价铜离子
2018-09-19 15:39:21
适用范围: 隔膜真空泵主要应用于医疗医药产品分析、精细化工、生化制药、食品检验、公安刑侦技术等领域,是为其精密色谱仪器配套的产品,也是实验室必备的装备之一。真空度较高的,适用于旋转蒸发,常规干燥
2014-05-09 12:50:59
真空技术基础
2009-05-20 14:27:34
19 真空技术的理论基础
2009-05-20 14:30:29
31 装置, 特别适用于磁性材料, 金, 铂及各种合金的铣削加工.离子蚀刻机 7.5 IBE 技术规格真空腔1 set, 主体不锈钢,水冷基片尺寸1 set, 4”/6”φ
2022-11-07 16:41:22
本文概要论述了燃气式真空炉技术的发展概况,重点阐述了燃气式真空炉的主要炉型、结构及特点,以及蓄热式辐射管燃气真空炉技术的特点、HTAC烧嘴结构、炉内温度分布、热平衡
2009-12-21 11:44:13
10 真空测量是真空技术中的一个重要组成部分。用于测量真空度的仪器称为真空计
2009-12-21 13:35:18
15 在简述真空渗碳及碳氮共渗近况的基础上,重点介绍了乙炔真空渗碳及乙炔、氨气真空碳氮共渗的效果及应用。在WZST 系列双室真空渗碳淬火炉渗碳后,渗碳层深度均匀性为±0. 05 ~0
2009-12-21 14:40:38
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印制线路板的蚀刻技术
2009-09-08 14:53:52
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水环式真空泵/液环真空泵工作原理
水环真空泵(简称水环泵)是一种粗真空泵,它所能获得的极限真空为2000~4000Pa
2009-10-25 14:32:17
2685 印制电路板的蚀刻设备和技术
印制电路板的蚀刻可采用以下方法:
1 )浸入蚀刻;
2) 滋泡蚀刻;
3)
2009-11-18 08:54:21
2158 PCB蚀刻技术通常所指蚀刻也称光化学蚀刻,指通过曝光制版、显影后,将要蚀刻区域的保护膜去除,在蚀刻时接触化学溶液,达到溶解腐蚀的作用。
2017-04-21 17:08:27
5084 本文首先介绍了蚀刻机的分类及用途,其次阐述了蚀刻机的配件清单,最后介绍了蚀刻机的技术参数及应用。
2018-04-10 14:38:32
4723 地描述,但实际上蚀刻技术的实现还是颇具有挑战性,特别是在生产微细线路时,很小的线宽公差要求,不允许蚀刻过程存在任何差错,因此蚀刻结果要恰到好处,不能变宽,也不能过蚀。
2018-08-12 10:29:49
9586 蚀刻液的种类:不同的蚀刻液化学组分不同,其蚀刻速率就不同,蚀刻系数也不同。例如:酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常为3,碱性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数可达到4。近来的研究表明,以硝酸为基础的蚀刻系统可以做到几乎没有侧蚀,达到蚀刻的线条侧壁接近垂直。这种蚀刻系统正有待于开发。
2018-10-12 11:27:36
6335 蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wet etching)和干蚀刻(dry etching)两类。它可通过曝光制版、显影后,将要蚀刻区域的保护膜去除,在蚀刻时接触化学溶液,达到溶解腐蚀的作用,形成凹凸或者镂空成型的效果。
2019-04-24 15:52:57
29780 通常所指蚀刻也称腐蚀或光化学蚀刻(photochemicaletching),指通过曝光制版、显影后,将要蚀刻区域的保护膜去除,在蚀刻时接触化学溶液,达到溶解腐蚀的作用,形成凹凸或者镂空成型的效果。
2019-04-25 15:41:36
14173 蚀刻指通过曝光制版、显影后,将要蚀刻区域的保护摸去处,在蚀刻时接触化学溶液,达到溶解腐蚀的作用,形成凹凸或者镂空成型的效果。最早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版。蚀刻机可以分为化学蚀刻机及电解蚀刻机两类。
2019-06-26 16:02:48
20205 侧蚀问题是蚀刻参数中经常被提出来讨论的一项,它被定义为侧蚀宽度与蚀刻深度之比, 称为蚀刻因子。
2019-09-02 10:17:39
1755 真空继电器是真空系统自动控制的关键元件,是真空应用和真空获得设备配套最常用的配件之一。它可以直接对真空系统(真空空间、容器或管道内)的真空度进行可靠而精确的设定、控制,以达到特定的真空应用工艺要求。
2020-03-02 14:11:21
2017 PCB,电路板,基板上面如何出现电路呢?这就要蚀刻来实现。所谓蚀刻,先在板子外层需保留的铜箔部分,也就是电路的图形部分,在上面预镀一层铅锡抗蚀层,然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉。铜有两层,一层需要
2020-03-08 14:45:21
4248 一、蚀刻的目的 蚀刻的目的即是将前工序所做出有图形的线路板上的未受保护的非导体部分铜蚀刻去,形成线路。 蚀刻有内层蚀刻和外层蚀刻,内层采用酸性蚀刻,湿膜或干膜为抗蚀剂;外层采用碱性蚀刻
2020-12-11 11:40:58
7458 图1为覆晶(Flip Chip)技术沈积锡铅凸块之流程图,在电镀积锡铅凸块之后会进行光阻去除(PP Stripping)和UBM蚀刻,其中UBM蚀刻是以凸块或光阻当作蚀刻屏蔽层(Etching
2020-09-29 08:00:00
58 先进的真空蚀刻技术所代替。 一、PCB 蚀刻定义 蚀刻:将覆铜箔板表面由化学药水蚀刻去除不需要的铜导体,留下铜导体形成线路图形,这种减去法工艺是当前印制电路板加工的主流。 二、 蚀刻的关键是蚀刻溶液、蚀刻操作条件和
2022-12-26 10:10:33
1688 1、 PCB蚀刻介绍 蚀刻是使用化学反应而移除多余材料的技术。PCB线路板生产加工对蚀刻质量的基本要求就是能够将除抗蚀层下面以外的所有铜层完全去除干净,仅此而已。在PCB制造过程中,如果要精确地
2021-04-12 13:48:00
31008 
蚀刻机的基础原理一、蚀刻的目的蚀刻的目的即是将前工序所做出有图形的线路板上的未受保护的非导体部分铜蚀刻去,形成线路。蚀刻有内层蚀刻和外层蚀刻,内层采用酸性蚀刻,湿膜或干膜为抗蚀剂;外层采用碱性蚀刻,锡铅为抗蚀剂
2020-12-24 12:59:38
4836 真空技术实用指南说明。
2021-03-19 14:36:20
10 一 . 什么是真空灌胶工艺 真空灌胶工艺是保证产品在绝对负压情况下的一种自动灌胶操作方式。将产品放置在真空箱内,然后将真空箱中的空气除去,让真空箱达到负压状态,然后自动将混合好的AB胶水灌注到产品
2021-11-15 14:54:04
1264 引言 了解形成MEMS制造所需的三维结构,需要SILICON的各向异性蚀刻,此时使用的湿式蚀刻工艺考虑的事项包括蚀刻率、长宽比、成本、环境污染等[1]。用于硅各向异性湿式蚀刻 溶液有KOH
2021-12-23 09:55:35
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不可预测地改变了蚀刻剂的质量。 为了解决成分变化的问题,研究开始了确定一种可靠的分析蚀刻剂的方法。当分析程序最终确定时,将建立一个控制程序,其中蚀刻剂成分将保持尽可能接近一个固定的值。经过尝试的各种分析技术,
2022-01-07 16:47:46
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我们华林科纳使用K2S2O8作为氧化剂来表征基于KOH的紫外(UV)光辅助湿法蚀刻技术。该解决方案提供了良好控制的蚀刻速率,并产生了光滑的高质量蚀刻表面,同时通过原子力显微镜测量的表面粗糙度降低最小
2022-02-14 16:14:55
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在 KOH 水溶液中进行湿法化学蚀刻期间,硅 (1 1 1) 的绝对蚀刻速率已通过光学干涉测量法使用掩膜样品进行了研究。蚀刻速率恒定为0.62 ± 0.07 µm/h 且与 60
2022-03-04 15:07:09
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在半导体器件制造中,蚀刻是指选择性地从衬底上的薄膜去除材料并通过这种去除在衬底上创建该材料的图案的技术。该图案由一个能够抵抗蚀刻过程的掩模定义,其创建过程在光刻中有详细描述。一旦掩模就位,就可以通过湿化学或“干”物理方法蚀刻不受掩模保护的材料。图1显示了该过程的示意图。
2022-03-10 13:47:36
4332 
了解形成MEMS制造所需的三维结构,需要SILICON的各向异性蚀刻,此时使用的湿式蚀刻工艺考虑的事项包括蚀刻率、长宽比、成本、环境污染等[1]。用于硅各向异性湿式蚀刻。
2022-03-11 13:57:43
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微加工过程中有很多加工步骤。蚀刻是微制造过程中的一个重要步骤。术语蚀刻指的是在制造时从晶片表面去除层。这是一个非常重要的过程,每个晶片都要经历许多蚀刻过程。用于保护晶片免受蚀刻剂影响的材料被称为掩模
2022-03-16 16:31:58
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本文介绍了我们华林科纳采用氮化硅膜作为掩膜,采用湿蚀刻技术制备黑硅,样品在250~1000nm波长下的吸收率接近90%。实验结果表明,氮化硅膜作为掩模湿蚀刻技术制备黑硅是可行的,比飞秒激光、RIE
2022-03-29 16:02:59
819 
关于在进行这种湿法或干法蚀刻过程中重要的表面反应机制,以Si为例,以基础现象为中心进行解说。蚀刻不仅是在基板上形成的薄膜材料的微细加工、厚膜材料的三维加工和基板贯通加工,而且是通过研磨和研磨等机械
2022-04-06 13:31:25
4183 
本文章提出了一种新的半导体超卤素深度分析方法,在通过臭氧氧化去除一些硅原子层,然后用氢氟酸蚀刻氧化物后,重复测量,然后确定了成分和表面电位的深度分布,因此这种分析技术提供了优于0.5纳米的深度分辨率
2022-04-18 16:35:05
261 
微加工过程中有很多加工步骤。蚀刻是微制造过程中的一个重要步骤。术语蚀刻指的是在制造时从晶片表面去除层。这是一个非常重要的过程,每个晶片都要经历许多蚀刻过程。用于保护晶片免受蚀刻剂影响的材料被称为掩模
2022-04-20 16:11:57
1972 
本文章提出了一种新的半导体超卤素深度分析方法,在通过臭氧氧化去除一些硅原子层,然后用氢氟酸蚀刻氧化物后重复测量,确定了成分和表面电位的深度分布,因此这种分析技术提供了优于0.5纳米的深度分辨率,通过
2022-05-06 15:50:39
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本文讲述了我们华林科纳研究了M111N蚀刻速率最小值的高度,以及决定它的蚀刻机制,在涉及掩模的情况下,M111N最小值的高度可以受到硅/掩模结处的成核的影响,以这种方式影响蚀刻或生长速率的结可以
2022-05-20 17:12:59
853 
通常在蚀刻过程之后通过将总厚度变化除以蚀刻时间或者通过对不同的蚀刻时间进行几次厚度测量并使用斜率的“最佳拟合”来测量,当怀疑蚀刻速率可能不随时间呈线性或蚀刻开始可能有延迟时,这样做有时可以实时测量蚀刻速率。
2022-05-27 15:12:13
3471 【泵轴维修】真空泵轴维修技术方案
2022-05-31 15:39:59
2 引用 本文介绍了我们华林科纳半导体研究了取向硅在氢氧化钾水溶液中的各向异性腐蚀特性和凸角底切机理。首先,确定控制底切的蚀刻前沿的晶面,并测量它们的蚀刻速率。然后,基于测量数据,检验了凸角补偿技术
2022-06-10 17:03:48
1113 
引言 我们华林科纳讨论了一种高速率各向异性蚀刻工艺,适用于等离子体一次蚀刻一个晶片。结果表明,蚀刻速率主要取决于Cl浓度,而与用于驱动放电的rf功率无关。几种添加剂用于控制蚀刻过程。加入BCl以开始
2022-06-13 14:33:14
904 
在实践中,在这一过程中出现了一些物理问题。通常,系统会使用水平线。在这里通常可以确定一个缺陷:在电路板的上下两侧通常可以观察到不同的蚀刻结果。对板上部的精确检查显示,板的边缘和中心在蚀刻速率方面
2022-06-16 10:32:58
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的逐层秘密。随着制造工艺的变化和半导体结构的变化,这些技术需要在时间和程序上不断调整。虽然有许多工具有助于这些分析,如RIE(反应离子蚀刻-一种干法蚀刻技术)、离子铣削和微切割,但钨的湿法化学蚀刻有时比RIE技术更具重现性。
2022-06-20 16:38:20
5220 
高效交错背接触(IBC)太阳能电池有助于减少太阳能电池板的面积,以提供足够的家庭消费能源。我们认为,即使在20μm的厚度下,借助光捕获方案,适当钝化的IBC电池也能保持20%的效率。在这项工作中,光刻和蚀刻技术被用于对厚度小于20μm的晶硅(cSi)晶片的深度蚀刻。
2022-06-28 11:20:26
0 这种修补真空伏辊磨损的技术你试过么?
2022-07-04 15:17:10
0 蚀刻工艺 蚀刻过程分类
2022-08-08 16:35:34
736 
这两种蚀刻液被广为使用的原因之一是其再生能力很强。通过再生反应,可以提高蚀刻铜的能力,同时,还能保持恒定的蚀刻速度。在批量PCB生产中,既要保持稳定的蚀刻速度,还要确保这一速度能实现最大产出率,这一点至关重要。蚀刻速度对生产速率会产生很大的影响,所以在对比蚀刻液的性能时,蚀刻速度是主要考量因素。
2022-08-17 15:11:19
8547 实验分析了各个因素对蚀刻率的具体影响。 根据目前广泛应用于生产中的技术, 介绍了如何对相关因素进行控制调节, 为得到稳定的热磷酸蚀刻率提供了方向。
2022-08-30 16:41:59
2997 
反应性离子蚀刻综合了离子蚀刻和等离子蚀刻的效果:其具有一定的各向异性,而且未与自由基发生化学反应的材料会被蚀刻。首先,蚀刻速率显著增加。通过离子轰击,基材分子会进入激发态,从而更加易于发生反应。
2022-09-19 15:17:55
3387 PTFE管用途:可用于蚀刻摇摆机的摇摆架,PTFE也称:可溶性聚四氟乙烯、特氟龙、Teflon 蚀刻机的简单介绍: 1、采用传动装置,雾化喷淋,结构合理;加工尺寸长度不限制,速度快、精度高
2022-12-19 17:05:50
407 蚀刻不是像沉积或键合那样的“加”过程,而是“减”过程。另外,根据刮削方式的不同,分为两大类,分别称为“湿法蚀刻”和“干法蚀刻”。简单来说,前者是熔法,后者是挖法。
2023-01-29 09:39:00
3850 金属蚀刻是一种通过化学反应或物理冲击去除金属材料的技术。金属蚀刻技术可分为湿蚀刻和干蚀刻。金属蚀刻由一系列化学过程组成。不同的蚀刻剂对不同的金属材料具有不同的腐蚀特性和强度。
2023-03-20 12:23:43
3172 性能较差,抗疲劳性能差,因此容易造成疲劳磨损、微动磨损等。该企业曾经采用过其他技术修复水环真空泵轴径磨损问题,但是修复效果并不理想,在这种情况下企业联系到我司工程师,咨询我司技术能否有效解决水环真空泵轴径磨损问题。
2023-04-06 17:45:34
0 干法蚀刻与湿法蚀刻之间的争论是微电子制造商在项目开始时必须解决的首要问题之一。必须考虑许多因素来决定应在晶圆上使用哪种类型的蚀刻剂来制作电子芯片,是液体(湿法蚀刻)还是气体(干法蚀刻)
2023-04-12 14:54:33
1004 蚀刻是微结构制造中采用的主要工艺之一。它分为两类:湿法蚀刻和干法蚀刻,湿法蚀刻进一步细分为两部分,即各向异性和各向同性蚀刻。硅湿法各向异性蚀刻广泛用于制造微机电系统(MEMS)的硅体微加工和太阳能电池应用的表面纹理化。
2023-05-18 09:13:12
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器件尺寸的不断缩小促使半导体工业开发先进的工艺技术。近年来,原子层沉积(ALD)和原子层蚀刻(ALE)已经成为小型化的重要加工技术。ALD是一种沉积技术,它基于连续的、自限性的表面反应。ALE是一种蚀刻技术,允许以逐层的方式从表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步骤的等离子体或热连续反应。
2023-06-15 11:05:05
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关键词:氢能源技术材料,耐高温耐酸碱耐湿胶带,高分子材料,高端胶粘剂引言:蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wetetching)和干蚀刻
2023-03-16 10:30:16
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真空泵是用各种方法在某一封闭空间中产生、改善和维持真空的装置。 真空泵是用各种方法在某一封闭空间中产生、改善和维持真空的装置。真空泵可以定义为:利用机械、物理、化学或物理化学的方法对被抽容器进行抽气
2023-06-20 11:48:25
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蚀刻是一种从材料上去除的过程。基片表面上的一种薄膜基片。当掩码层用于保护特定区域时在晶片表面,蚀刻的目的是“精确”移除未覆盖的材料戴着面具。
2023-07-12 09:26:03
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蚀刻是一种从材料上去除的过程。基片表面上的一种薄膜基片。当掩码层用于保护特定区域时在晶片表面,蚀刻的目的是“精确”移除未覆盖的材料戴着面具。
2023-07-14 11:13:32
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真空回流焊(Vacuum reflow soldering)是一种在高真空或低气压环境下进行的电子组装焊接技术。相比于常规的气体环境下的回流焊,真空回流焊具有以下不同。
2023-08-21 09:40:09
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GaN作为宽禁带III-V族化合物半导体最近被深入研究。为了实现GaN基器件的良好性能,GaN的处理技术至关重要。目前英思特已经尝试了许多GaN蚀刻方法,大部分GaN刻蚀是通过等离子体刻蚀来完成
2023-12-01 17:02:39
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在物理学和工程学中,我们经常会遇到与压力相关的概念,如真空度、正压和负压。这些概念在多个领域,包括真空技术、气象学、流体力学以及许多工业应用中都有着重要的作用。本文将详细探讨真空度、正压和负压之间的关系,以及真空单位的换算方法。
2024-01-24 09:40:32
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