0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

什么是臭氧去离子水工艺

华林科纳半导体设备制造 2023-07-07 17:25 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

臭氧-去离子水 (O3 -DI) 工艺可以集成到臭氧 (O3) 具有工艺优势的各种水性应用中。

溶解在水中的臭氧也可用作 HCl 过氧化物混合物中过氧化氢的替代品,从而降低所用化学品的成本,同时将氧化电位转移到更高的氧化值。CFM 的 O3 -DI 的其他应用包括 HF 后处理,其中 O3 -DI 在氧化硅再生长中充当氧化剂。由于其高氧化电位,接触臭氧可能对工厂人员和设备造成危害。因此,在完全包含化学物质并消除接触的系统中使用 O3 -DI 非常重要。

臭氧的高氧化还原电势导致快速转化回氧气,使其成为其他化学过程的环保替代品。DI-O3 系统具有用户可控和可配置的溶解臭氧浓度和流速,可满足广泛应用的特定要求。

应用

臭氧化模块是一种经济高效的解决方案,适用于领先的工艺臭氧水应用和微电子行业的臭氧清洁工艺,例如:

1、硅片清洗生产

2、逻辑和存储器制造

3、LED/OLED/QOLED (LTPS) 平板显示器清洗及生产

4、光罩

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 臭氧
    +关注

    关注

    0

    文章

    15

    浏览量

    8366
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    半导体制造中去离子水是否可以完全替代氨水

    于去除金属离子污染物(如铜、镍等)。它能与金属形成可溶性配合物,并通过化学反应剥离表面附着物。此外,在半导体清洗工艺中,氨水还参与氧化层的刻蚀反应。 去离子水仅通过物理冲刷作用清除颗粒物或水溶性残留物,缺乏化学反应活
    的头像 发表于 10-20 11:15 299次阅读

    去离子水冲洗的正确方法

    去离子水冲洗是半导体、微电子等领域的关键工艺步骤,其正确操作直接影响产品的洁净度和性能。以下是标准化流程及注意事项:一、前期准备设备检查与校准确保去离子水系统的电阻率≥18MΩ·cm(符合
    的头像 发表于 08-20 13:35 637次阅读
    <b class='flag-5'>去离子水</b>冲洗的正确方法

    晶圆部件清洗工艺介绍

    大颗粒杂质,防止后续清洗液被过度污染。随后采用超声波粗洗,将晶圆浸入含有非离子型表面活性剂的去离子水中,通过高频振动产生的空化效应剥离附着力较弱的污染物,为深度清洁
    的头像 发表于 08-18 16:37 969次阅读
    晶圆部件清洗<b class='flag-5'>工艺</b>介绍

    离子电池组装:绕线与极耳焊接工艺揭秘

    离子电池作为核心储能部件,其制造工艺的每一次精进都推动着电动汽车、储能系统等领域的技术革新。锂离子电池组装过程中的绕线和极耳焊接工艺不仅直接影响电池的能量密度、循环寿命和安全性,更是
    的头像 发表于 08-11 14:53 2757次阅读
    锂<b class='flag-5'>离子</b>电池组装:绕线与极耳焊接<b class='flag-5'>工艺</b>揭秘

    离子电池涂布工艺:技术要求与方法选择

    在锂离子电池制造领域,涂布工艺是决定电池性能和质量的关键步骤之一。涂布工艺的精确度直接影响到电池的容量、循环寿命以及安全性。随着锂离子电池技术的不断进步,对涂布
    的头像 发表于 08-05 17:55 742次阅读
    锂<b class='flag-5'>离子</b>电池涂布<b class='flag-5'>工艺</b>:技术要求与方法选择

    离子电池焊接工艺的分析解构

    作为现代社会的“能源心脏”锂离子电池的应用涉及相当广泛。锂离子电池的的制作工艺之中,焊接技术是连接其内部组件、确保电池高效运作的的重要环节,直接决定了电池安全性、电池寿命以及电池的生产成本。激光焊接
    的头像 发表于 08-05 17:49 1604次阅读
    锂<b class='flag-5'>离子</b>电池焊接<b class='flag-5'>工艺</b>的分析解构

    去离子水清洗的目的是什么

    去离子水清洗的核心目的在于有效去除物体表面的杂质、离子及污染物,同时避免普通水中的电解质对被清洗物的腐蚀与氧化,确保高精度工艺环境的纯净。这一过程不仅提升了产品质量,还为后续加工步骤奠定了良好基础
    的头像 发表于 07-14 13:11 828次阅读
    <b class='flag-5'>去离子水</b>清洗的目的是什么

    用玛瑙研钵式研磨机研磨水凝胶实验过程

    使用玛瑙研钵式研磨机研磨水凝胶时,需注意以下步骤和要点,以确保操作安全并获得理想效果:一、材料与设备:◎水凝胶样品◎去离子水或适当溶剂(用于清洗)◎刮刀或小铲(用于转移样品)◎JB-120玛瑙研钵式
    的头像 发表于 06-12 15:58 496次阅读
    用玛瑙研钵式研磨机研磨水凝胶实验过程

    半导体清洗SC1工艺

    半导体清洗SC1是一种基于氨水(NH₄OH)、过氧化氢(H₂O₂)和去离子水(H₂O)的化学清洗工艺,主要用于去除硅片表面的有机物、颗粒污染物及部分金属杂质。以下是其技术原理、配方配比、工艺特点
    的头像 发表于 04-28 17:22 3742次阅读

    芯片离子注入后退火会引入的工艺问题

    本文简单介绍了芯片离子注入后退火会引入的工艺问题:射程末端(EOR)缺陷、硼离子注入退火问题和磷离子注入退火问题。
    的头像 发表于 04-23 10:54 1442次阅读
    芯片<b class='flag-5'>离子</b>注入后退火会引入的<b class='flag-5'>工艺</b>问题

    晶圆扩散清洗方法

    法) RCA清洗是晶圆清洗的经典工艺,分为两个核心步骤(SC-1和SC-2),通过化学溶液去除有机物、金属污染物和颗粒124: SC-1(APM溶液) 化学配比:氢氧化铵(NH₄OH,28%)、过氧化氢(H₂O₂,30%)与去离子水(H₂O)的比例为1:1:5。 温度与时
    的头像 发表于 04-22 09:01 1161次阅读

    晶圆湿法清洗工作台工艺流程

    工作台工艺流程介绍 一、预清洗阶段 初步冲洗 将晶圆放置在工作台的支架上,使用去离子水(DI Water)进行初步冲洗。这一步骤的目的是去除晶圆表面的一些较大颗粒杂质和可溶性污染物。去离子水以一定的流量和压力喷淋在晶圆表
    的头像 发表于 04-01 11:16 875次阅读

    芯片清洗机工艺介绍

    工艺都有其特定的目的和方法,以确保芯片的清洁度和质量: 预处理工艺 去离子水预冲洗:芯片首先经过去离子水的预冲洗,以去除表面的大颗粒杂质和灰尘。这一步通常是初步的清洁,为后续的清洗
    的头像 发表于 03-10 15:08 778次阅读

    300 nm 以下激光驱动光源的操作:臭氧缓解

    介绍 深紫外线源,例如 Energetiq 的 LDLS™,会产生臭氧,这会对与 LDLS 连接的仪器和实验的性能产生不利影响。仪器光路中的臭氧会吸收不同量的紫外光,具体取决于臭氧浓度。本应用说明
    的头像 发表于 02-07 06:36 904次阅读
    300 nm 以下激光驱动光源的操作:<b class='flag-5'>臭氧</b>缓解

    离子注入工艺中的重要参数和监控手段

    本文简单介绍了离子注入工艺中的重要参数和离子注入工艺的监控手段。 在硅晶圆制造过程中,离子的分布状况对器件性能起着决定性作用,而这一分布又与
    的头像 发表于 01-21 10:52 2889次阅读
    <b class='flag-5'>离子</b>注入<b class='flag-5'>工艺</b>中的重要参数和监控手段