NPN晶体管EMH9T2R 100mA 50V的规格信息

　　晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式（双） 50V 100mA 250MHz 150mW，EMH9T2R。

　　规格信息

　　晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

　　电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

　　电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

　　电阻器 - 基极 (R1)：10 千欧

　　电阻器 - 发射极 (R2)：47 千欧

　　不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：68 @ 5mA，5V

　　不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 250µA，5mA

　　电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

　　频率 - 跃迁：250MHz

　　功率 - 最大值：150mW

　　安装类型：表面贴装型

　　封装/外壳：SOT-563，SOT-666

　　供应商器件封装：EMT6

　　批次：06+

　　特点

　　内置偏置电阻器。

　　两DTC114Y芯片在一个封装中。

　　内置偏置电阻实现的配置没有连接外部的逆变器电路输入电阻。

　　偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离，??允许负偏置输入的。它们还具有的优点完全消除了寄生效应。

　　仅在开/关的条件需要被设置操作时，使电路设计容易。

　　无铅/符合RoHS标准。

　　发布者：深圳市明佳达电子。
 

　　审核编辑：ymf