本帖最后由 jf_50240986 于 2024-3-8 22:51 编辑
串接NPN型晶体管的情况。晶体管基极要求注入电流，产生电流的电压必须高于（Vo+Vbe），约为（Vo+1）。若基极
2024-03-06 20:49:11
BLP15H9S100GZAmpleon 的射频功率晶体管射频功率晶体管，0.001 至 1.5 GHz，100 W，19 dB，50 V，SOT1483-1，LDMOSPart
2024-02-29 16:12:46
电子发烧友网站提供《50V 输入电压、50mA 超高电压线性稳压器TPS7A4101数据表.pdf》资料免费下载
2024-02-29 16:04:22
0 电子发烧友网站提供《配备50 V、100 mA PNP电阻器的晶体管PDTA114ET-Q产品数据表.pdf》资料免费下载
2024-02-22 09:33:100 电子发烧友网站提供《配备50 V、100 mA PNP电阻器的晶体管PDTA114EU产品数据表.pdf》资料免费下载
2024-02-22 09:32:120 电子发烧友网站提供《配备50 V、100 mA PNP电阻器的晶体管PDTA114ET产品数据表.pdf》资料免费下载
2024-02-22 09:24:570 电子发烧友网站提供《配备50 V、100 mA PNP电阻器的晶体管PDTA114EM产品数据表.pdf》资料免费下载
2024-02-22 09:23:490 电子发烧友网站提供《配备50 V、100 mA PNP电阻器的晶体管PDTA114EU-Q产品数据表.pdf》资料免费下载
2024-02-22 09:22:020 电子发烧友网站提供《配备50 V、100 mA PNP电阻器的晶体管PDTA114EMB产品数据表.pdf》资料免费下载
2024-02-21 14:23:340 电子发烧友网站提供《40 V，200 mA NPN开关晶体管MMBT3904-Q数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-21 13:50:250 电子发烧友网站提供《40 V，200 mA NPN开关晶体管PMBT3904-Q数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-21 11:22:150 电子发烧友网站提供《40 V，200 mA NPN开关晶体管PMBT3904数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-21 11:10:180 电子发烧友网站提供《100 V，4.5 A NPN低VCEsat晶体管PBSS306NX数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-21 10:31:540 电子发烧友网站提供《100 V，4.5 A NPN低VCEsat晶体管PBSS306NX-Q数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-21 10:30:590 是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
电子发烧友网站提供《配备50 V、100 mA PNP电阻器的晶体管PDTA143ZU数据手册.pdf》资料免费下载
2024-01-26 09:23:350 电子发烧友网站提供《配备50 V、100 mA PNP电阻器的晶体管PDTA143ZM数据手册.pdf》资料免费下载
2024-01-26 09:21:430 电子发烧友网站提供《配备50 V、100 mA PNP电阻器的晶体管PDTA143ZT数据手册.pdf》资料免费下载
2024-01-26 09:18:400 推挽和互补放大电路的区别是什么？在晶体管的不同，BTJ和FET的不同？例如在NPN和PNP电路中，上级电路的输入共同作用加在两个基极之间？假设是高电平，为什么上面晶体管导通，下面晶体管不导通？当下
2024-01-25 22:28:59
我在切换晶体管时遇到了一个问题。我正在尝试让 LED 通过晶体管闪烁。当我从评估板（即 MSP-EXP430G2ET）获取电源 （3.3V） 时，该程序有效。但是当我使用外部电源 （8.33V） 为
2024-01-22 06:00:31
放大，似于多路比较器的输出，NPN型晶体管多发射极分别接到比较器的输出端，集电极共用一路上拉电阻连接至电源，如果多路比较器有一路导通，则该多发射极晶体管集电极输出导通拉低，电平为低电平。
不知是否是我理解的这样？
2024-01-21 13:47:56
常用的半导体元件还有利用一个PN结构成的具有负阻特性的器件一单结晶体管，请问这个单结晶体管是什么？能够实现负阻特性？
2024-01-21 13:25:27
)：13.0效率（％）：33额定电压(V)：40形式：封装形式分立晶体管封装形式类别：法兰盘技术应用：GaN-on-SiC
2024-01-19 09:27:13
晶体管也就是俗称三极管，其本质是一个电流放大器，通过基射极电流控制集射极电流。
1、当基射极电流很小可以忽略不计时，此时晶体管基本没有对基射极电流的放大作用，此时可以认为晶体管处在关断状态
2、当基
2024-01-18 16:34:45
led灯泡芯片推荐：SM2082EGS 电流可达 100mA
2024-01-05 14:28:34
197 
事通讯设备产品规格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管最低频率(MHz)：0最高频率(MHz)：2000最高值输出功率(W)：200增益值(分贝)：24.0效率（％）：70额定电压(V)：27类型：封装分立晶体管封装类别：法兰盘、丸状技术应用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
想把ADHV4702的输出电流增大到100mA，
采用VP2540和VN2540两个MOS管，按照datasheet上的图设计电路。仿真看步到问题。但是，在实验中，ADHV4702大概输出电流50mA超过1分钟就会烧芯片。已经烧了6pcs了，求帮忙
2023-11-13 08:37:16
MJD2873Q 产品简介DIODES 的MJD2873Q这种双极结型晶体管（BJT）设计用于满足汽车应用的严格要求。产品规格 品牌
2023-10-18 19:18:31
AC847BWQ产品简介DIODES 的AC847BWQ这种双极结型晶体管 (BJT) 旨在满足汽车应用的严格要求。产品规格 品牌
2023-10-17 16:42:43
2DC4617SQ 产品简介DIODES 的2DC4617SQ这种双极结型晶体管 (BJT) 旨在满足汽车应用的严格要求。产品规格 品牌
2023-10-17 16:35:55
2DA1213YQ 产品简介DIODES 的2DA1213YQ这款双极结型晶体管 (BJT) 旨在满足汽车应用的严格要求。产品规格 品牌
2023-10-17 12:55:10
, 100mA, Himalaya uSLIC Power Module DC-DC Converter with 50mA Linear Regulator Data Sheet的引脚图、接线图、封装
2023-10-16 19:13:47
专业图书47-《新概念模拟电路》t-I晶体管
2023-09-28 08:04:05
电子发烧友网站提供《BST50 NPN达林顿晶体管手册.pdf》资料免费下载
2023-09-27 11:43:320 电子发烧友网站提供《BST50-Q NPN达林顿晶体管手册.pdf》资料免费下载
2023-09-27 11:42:320 电子发烧友网站提供《PBSS4160DS NPN/NPN低VCEsat晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2023-09-26 14:36:350 电子发烧友网站提供《PBSS4260PANS-Q NPN/NPN低VCEsat晶体管手册.pdf》资料免费下载
2023-09-26 10:12:450 电子发烧友网站提供《PBSS4160DS-Q NPN/NPN低VCESAT晶体管手册.pdf》资料免费下载
2023-09-26 10:10:500 ) 额定值范围为 80 mA 至 600mA。
这些晶体管有两种形式，例如 PNP 和 NPN。该晶体管的最高工作频率为 1 至 300 MHz。这些晶体管用于放大几伏等小信号以及仅使用毫安电流时。一旦
2023-08-02 12:26:53
功率晶体管。
保护电路来自图。使用2欧姆负载时，还必须更改4。R24和R28值为3k9，R26和R28为220欧姆，D5、D6和R30全部消除。
70W/8欧姆版本的整流电压±40V处于负载
2023-08-01 17:25:06
该2通道混音器电路基于2n3904晶体管，该晶体管形成2个前置放大器。2通道混音器电路的第一个前置放大器具有高增益，可用于麦克风输入，第二个前置放大器可用于控制音频电平的输入。
这种双通道
2023-08-01 17:19:21
MRF427 NPN硅射频功率晶体管规格书
2023-07-24 14:27:530 “NPN型晶体管”和“PNP型晶体管”在它们所连接的电路中都起到开关的作用，但连接负载的位置不同。
2023-07-06 11:30:291736 
ZXTN5551FL 产品简介DIODES 的 ZXTN5551FL（NPN, 160V, 0.6A, SOT23）采用小外形表面贴装封装的高压 NPN 晶体管。 产品规格
2023-06-09 16:19:47
ZXTN4004ZQ 产品简介DIODES 的 ZXTN4004ZQ（NPN, 150V, 1A, SOT89）SOT89 封装的 150V NPN °C 驱动晶体管 产品规格
2023-06-09 16:12:37
ZXTN4004Z 产品简介DIODES 的 ZXTN4004Z（NPN, 150V, 1A, SOT89）SOT89 封装的 150V NPN °C 驱动晶体管 产品规格
2023-06-09 16:06:39
ZXTN4004KQ 产品简介DIODES 的 ZXTN4004KQ（NPN, 150V, 1A, TO252）150V NPN °C TO252 驱动晶体管 产品规格
2023-06-09 15:59:39
ZXTN4004K 产品简介DIODES 的 ZXTN4004K（NPN, 150V, 1A, TO252）150V NPN °C TO252 驱动晶体管 产品规格
2023-06-09 14:13:11
ZXTN4002Z 产品简介DIODES 的 ZXTN4002Z（NPN, 100V, 1A, SOT89）SOT89 封装的 100V NPN °C 驱动晶体管 产品规格
2023-06-09 13:48:15
ZXTN4000Z 产品简介DIODES 的 ZXTN4000Z（NPN, 60V, 1A, SOT89）SOT89 封装的 60V NPN °C 驱动晶体管 产品规格
2023-06-09 13:40:34
ZXTN25100DZ 产品简介DIODES 的 ZXTN25100DZ（NPN, 100V, 2.5A, SOT89）这款新型低饱和 NPN 晶体管采用 SOT89 封装
2023-06-09 13:01:11
ZXTN25100DGQ 产品简介DIODES 的 ZXTN25100DGQ（NPN, 100V, 3A, SOT223）采用 SOT223 外形封装的这种新型低饱和 NPN 晶体管具有
2023-06-09 12:55:35
ZXTN25100DG 产品简介DIODES 的 ZXTN25100DG（NPN, 100V, 3A, SOT223）采用 SOT223 外形封装的这种新型低饱和 NPN 晶体管具有
2023-06-09 12:48:39
ZXTN25060BZ产品简介DIODES 的 ZXTN25060BZ（NPN, 60V, 5A, SOT89）这种采用 SOT89 外形封装的新型低饱和 60V NPN 晶体管具有极低的导通状态
2023-06-09 12:12:51
ZXTN25050DFH 产品简介DIODES 的 ZXTN25050DFH（NPN, 50V, 4A, SOT23）先进的工艺能力和封装设计已被用于最大限度地提高这种小外形
2023-06-09 11:59:32
ZXTN25020DZ 产品简介DIODES 的 ZXTN25020DZ（NPN, 20V, 6A, SOT89）这款新型低饱和 20V NPN 晶体管采用 SOT89 封装，具有极低的导
2023-06-09 10:36:12
ZXTN25020DG 产品简介DIODES 的 ZXTN25020DG（NPN, 20V, 7A, SOT223）采用 SOT223 外形封装的这种新型低饱和 NPN 晶体管具有极低的导
2023-06-09 10:05:28
ZXTN04120HFF 产品简介DIODES 的 ZXTN04120HFF 这种高性能NPN达林顿晶体管被封装在小轮廓SOT23扁平封装中，用于空间非常宝贵的应用。产品规格类别 达林顿
2023-06-06 21:47:20
今天为大家介绍晶体管由两个PN结构成，分为NPN型和PNP型两类，根据使用材料的不同，将晶体管分为NPN型锗管和NPN型硅管，PNP型锗管和PNP型硅管。
2023-06-03 09:29:111255 
NPN晶体管是由三个不同掺杂的半导体材料制成的电子元件，它是一种L6562ADTR双极晶体管，是电子学中最常用的元件之一。它的名称来源于其内部的三个掺杂区域，分别是N型区、P型区和N型区。其中，P型区称为基区，N型区称为发射区和集电区。NPN晶体管的基区是较薄的区域，而发射区和集电区是较厚的区域。
2023-05-31 11:52:081336 TIP122是一个 达林顿对 NPN 晶体管 ，由一对达林顿晶体管组成，它的工作原理类似于普通的 NPN 晶体管。
2023-05-23 09:23:451719 
晶体管2SD2686规格书
2023-05-16 17:19:540 尝试在 GPIO1 和 R2 之间放置一个接地电阻。
从记忆中你需要一些东西来确保线路很低。
2023-05-12 07:11:17
嗨，
我正在尝试使用 2N7000 晶体管切换一些 12v 设备。整个电路工作正常，但我的 ESP 变得非常热（超过 50 C）。目前我在 GPIO 和 GND 之间只有下拉电阻。但是，我认为热量
2023-04-28 06:59:43
差分放大电路输入共模信号时
为什么说RE对每个晶体管的共模信号有2RE的负反馈效果
这里说的每个晶体管的共模信号是指什么信号 是指输入信号 还是指ie1 ie2 uoc ?
另外为什么是负的反馈
2023-04-25 16:15:31
我正在寻找零件号“PCAL6408ABSHP”中有关工艺节点和晶体管数量的信息。NXP 网站上是否有一个位置可以找到 NXP 部件号的此类信息？
2023-04-19 09:27:44
有没有负触发导通正的晶体管呢？哪位大神知道请赐教。谢谢啦！
2023-03-31 11:47:46
NPN 100mA 50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管)
2023-03-28 18:20:51
NPN 100mA 50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管)
2023-03-28 18:20:50
NPN 100mA 50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管)
2023-03-28 18:20:50
NPN 100mA 50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管)
2023-03-28 18:20:50
NPN 100mA 50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管)
2023-03-28 18:20:50
NPN 100mA 50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管)
2023-03-28 18:20:49
NPN 100mA 50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管)
2023-03-28 18:20:49
NPN 100mA 50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管)
2023-03-28 18:20:47
NPN 100mA 50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管)
2023-03-28 18:20:46
NPN 100mA 50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管)
2023-03-28 18:20:46
NPN 100mA 50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管)
2023-03-28 18:20:46
NPN 100mA 50V通用晶体管
2023-03-28 18:20:38
NPN 100mA 50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管)
2023-03-28 15:06:58
NPN 100mA 50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管)
2023-03-28 14:59:43
NPN 100mA 50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管)
2023-03-28 14:59:43
NPN 100mA 50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管)
2023-03-28 14:59:41
NPN 100mA 50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管)
2023-03-28 14:59:40
NPN 100mA 50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管)
2023-03-28 14:59:40
NPN 100mA 50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管)
2023-03-28 14:59:39
NPN 100mA 50V数字晶体管（偏置电阻内置晶体管）
2023-03-28 13:03:08
我在设计 PCB 时犯了一个错误，我的一些晶体管在原理图上将集电极和发射极调换了。“正常”方式是有 1：基极，2：发射极，3：集电极，但我需要一个晶体管，1：基极，2：集电极，3：发射极。引脚号与此图像相关：你知道有这种封装的晶体管吗？我知道我可以将它倒置并旋转，但我想知道我是否可以正确使用一个。
2023-03-28 06:37:56
NPN 100mA 50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管)
2023-03-24 16:08:21
电子发烧友App
工商网监
评论