浅析高压大功率igbt驱动模块的技术发展趋势及功能

IGBT作为一种复合型的功率半导体，由于其功率低、开关频率高、电流容量大的特点，已被众多行业特别是大功率变换器行业广泛的应用，与此同时对其驱动电路的要求也将会越来越高。

佳恩IGBT单管

高压大功率IGBT驱动模块的技术发展趋势主要体现在更高的集成度、更高的隔离电压、更大的驱动功率、更高的开关频率、更完备的功能这五大方面，小编带领大家接着慢慢往下看吧。

1、更高的集成度

现如今大功率IGBT驱动模块的体积还比较大，通常均会采用变压器来实现隔离进而增加隔离电压耐量。此外，变压器的体积和重量相对来说比较大，而且较难实现集成化。因此，采用体积更小、更容易集成化的隔离器件必将是驱动器的最佳选择，例如应用压电式变压器或者先进的磁集成技术通过减少隔离元件的体积和重量来增加集成度。

2、更高的隔离电压

当前驱动器都是采用光耦和变压器来实现隔离，光耦虽然体积小但是存在隔离电压较低、易老化、延迟较大等不足。变压器隔离的隔离电压较高、延迟较小，但体积较大。因此在需要高压隔离的场合还多数采用变压器来实现隔离。因此，为了适应更高电压的应用场合，必须采用隔离电压更高的驱动器。

3、更大的驱动功率

IGBT模块的容量仍持续增加，单个模块的电流容量已经可以做到3600A，有时为了增加容量，通常会采用并联的工作方式，对驱动器的驱动功率也提出了更高的要求，驱动器的最大输出电流必须相应地增加，特别是在多个模块并联应用时，驱动器平均输出功率可达到5w~10w，瞬间最大输出电流要求达到30A以上。

4、更高的开关频率

为了更好的适应感应加热电源等方面的应用，IGBT高频开关频率正在不断增加，已经可以部分替代MOS管，对于驱动器来讲，意味着必须提供更大的驱动功率，而且还要驱动器具有更短的驱动脉冲延迟时间和上升、下降的时间，提供更大的瞬间最大驱动电流等。

5、更完备的功能

现广泛应用的门极驱动技术无法实现IGBT开关过程中引起的di/dt、dv/dt的控制，从而控制变换电路的emi。有源门极驱动技术可以有效地控制IGBT开关造成的较高的di/dt、dv/dt，相应的可以使IGBT工作在更加安全的工作区，减少其开关过程中产生的emi，相应地减少IGBT的缓冲吸收电路。此外，为满足串联、并联IGBT应用的需求，驱动器还必须具备动态均压和均流功能。

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