国产并口PSRAM存储芯片EMI164NA16LM的功能描述

EMI164NA16LM该设备是一个集成的存储器设备，其中包含64Mbit静态随机存取存储器，使用自刷新DRAM阵列由16位组织为4M。模具具有单独的电源轨，VCCQ和VSSQ，用于从设备核心的单独电源运行。

EMI164NA16LM该设备是67，108，864位pSRAM，使用DRAM型存储器单元，但该器件具有无刷新操作和极端低功耗技术。接口与低功耗异步类型SRAM兼容。该设备组织为4，194，304字x16位。

图2.功能框图

功能描述

64MB设备包含67，108，864位DRAM核心，组织为16位的4，194，304个地址。该设备包括行业标准，在其他LOW Pexer SRAM产品上找到的异步内存接口

表1功能描述

1.当UB＃和LB＃处于选择模式（低）时，DQ0〜DQ15受到如图所示的影响。

当仅LB＃处于选择模式时，DQ0〜DQ7受到如图所示的影响。只有UB＃处于选择模式时，DQ8〜DQ15会受到如图所示的影响。

2.当设备处于待机模式时，控制输入（We＃，OE＃），地址输入和数据输入/输出在内部与任何外部影响分离。

3.当我们＃处于活动状态时，OE＃INPUT在内部禁用，对I/O没有影响。

4.只要更改地址，设备将在此模式下消耗有效电源。

5.VIN=VCCQ或0V，所有器件引脚都是静态（未切换的），以实现备用电流。

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