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推荐高性能存储psram芯片

samsun2016 来源:samsun2016 作者:samsun2016 2025-11-18 17:24 次阅读
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智能穿戴、物联网设备和端侧AI应用快速发展,PSRAM伪静态随机存储器,正成为越来越多嵌入式系统的优选方案,如何选择一个高性能、小尺寸与低功耗的psram芯片是一个值得思考的问题。由EMI自主研发、英尚微电子代理的高性能PSRAM芯片——EMI164LA16LM-70I,是一款专为现代智能设备设计的高性能存储解决方案,在市场应用中得到了良好的反馈。


如何理解PSRAM存储器
PSRAM,即“伪静态随机存储器”,是一种结合了SRAM接口协议与DRAM存储架构的创新存储解决方案。PSRAM采用了DRAM的1T1C(单晶体管+单电容)存储单元设计,与SRAM使用相近的接口协议,只需要提供地址和读写命令即可存取数据,无需像DRAM那样依赖内存控制器进行定期刷新,使用更加方便。


为什么推荐EMI164LA16LM-70I PSRAM芯片
1.宽存储容量覆盖:psram芯片支持8Mb、32Mb、64Mb及128Mb等多个存储容量规格,适应从轻量嵌入式设备到复杂端侧AI设备的个性化需求;
2.宽电压工作:电压范围覆盖1.7V~3.3V,适配多数低功耗物联网场景;
3.紧凑封装设计:psram芯片尺寸小巧,有利于整机结构紧凑化设计;
4.强续航能力:在保证高性能的同时,功耗控制出色,续航表现优异。


相比于传统RAM,PSRAM在多种关键维度上具备独特优势
1.接口丰富,适配性强
PSRAM芯片设计轻量化,接口功能齐全,能够高效挂接在CPU系统总线端口,支持高速数据输入输出。其灵活的接口设计,也便于在各个工艺节点中实现速度与功耗的最佳平衡。
2.低噪音与高信号完整性
psram芯片采用一流的低噪音电路设计,确保数据传输的稳定性与时序裕度,特别适用于对电磁干扰敏感的高频应用场景。
3.自刷新机制,无需外部刷新电路
与DRAM需定期进行刷新不同,psram芯片采用自刷新(Self-Refresh)技术,无需外部刷新电路即可保持数据不丢失,系统设计更简化,适用场景更广。


PSRAM芯片EMI164LA16LM-70I凭借其接口友好、存储容量适中、功耗可控等综合优势,为物联网、穿戴电子与端侧AI设备提供了可靠的存储基础,正成为连接处理器与存储系统之间的理想选择。

审核编辑 黄宇

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