。 I2C接口模块实现了I2C协议的标准模式和快速模式，支持多主机I2C总线架构。其标准模式为100K，快速模式400K。而EEPROM，作为一种支持字节级单独擦写、数据掉电不丢失的存储器，其存储容量（从几字节到数百千字节）恰好满足了大量嵌入式应用对中小规模非易失性数据存储的需求
2025-12-21 21:39:36
446 
1.Q：CW24C系列的EEPROM的擦写次数是多少次？
A：CW24C系列的EEPROM采用Double-cell架构，极大的提高了EEPROM的可靠性和擦写寿命，其擦写为500万次。
2.Q
2025-12-15 07:56:40
和从机接收模式类似。
三、EEPROM(CW24C02AD)
1.功能简介
CW24C02是一个2Kbit的串行EEPROM存储芯片，可存储256个字节数据。芯片内部分为32页，每页8字节。工作
2025-12-09 07:43:27
在电子设备设计中，数据存储是一个关键环节，EEPROM（电可擦可编程只读存储器）因其非易失性和可重复编程的特性，成为了众多应用的理想选择。今天，我们就来深入探讨 ON Semiconductor
2025-12-05 15:12:42439 
CW32 MCU优化I2C接口，确保在与EEPROM芯片通信时的稳定性。内容涵盖以下几个关键技术点：
I2C时序与频率调整：介绍如何根据EEPROM的特性，合理设置I2C时钟频率和时序参数，避免因过高或
2025-12-03 07:29:35
在电子设计领域，EEPROM是一种至关重要的存储元件，而Onsemi的N24C02、N24C04、N24C08和N24C16系列I²C EEPROM更是其中的佼佼者。今天，我们就来深入了解一下这一系列产品的特性、功能以及在实际应用中的表现。
2025-12-02 14:02:29411 
01CW24xx系列串行EEPROM具有低引脚数、高可靠性、多种存储容量
02用于灵活的参数管理和小代码存储，满足稳定的数据保存、低功耗和空间受限的需要
03采用华虹95nm 最先进工艺，晶圆
2025-11-28 06:43:14
在电子设计领域，对于DDR4 DIMM的设计，EEPROM的选择至关重要。N34C04作为一款专门为DDR4 DIMM设计的EEPROM Serial 4 - Kb器件，实现了JEDEC
2025-11-27 14:42:12306 
在电子设备的设计领域，温度监测与数据存储是两个关键环节。ON Semiconductor推出的N34TS04，将温度传感器（TS）与4 - Kb的串行存在检测（SPD）EEPROM集成于一体，为DDR4 DIMM应用提供了高效且可靠的解决方案。今天，我们就来深入了解这款产品。
2025-11-27 14:35:39290 
在电子设计领域，EEPROM（电可擦可编程只读存储器）一直是数据存储的关键组件。onsemi推出的NV25080LV、NV25160LV、NV25320LV和NV25640LV系列EEPROM，以其
2025-11-27 13:52:36236 
在电子工程师的设计世界里，选择合适的存储器件至关重要。今天，我们将深入探讨 onsemi 公司的 CAT93C46B 1-Kb 微线串行 EEPROM，它以其丰富的特性和灵活的配置，为各种应用场景提供了可靠的存储解决方案。
2025-11-27 13:46:08254 
在电子设计领域，EEPROM（电可擦可编程只读存储器）是一种至关重要的组件，广泛应用于各种需要数据存储和读取的设备中。今天，我们将深入探讨ON Semiconductor的CAT34C02，这是一款
2025-11-27 11:18:26263 
在电子设计领域，EEPROM（电可擦可编程只读存储器）是一种常用的存储设备，它允许用户在不使用特殊工具的情况下对数据进行擦除和重新编程。今天，我们将深入探讨ON Semiconductor
2025-11-27 11:11:31325 
在电子设计领域，EEPROM（电可擦可编程只读存储器）是一种不可或缺的组件，广泛应用于各种需要数据存储的设备中。今天，我们将深入探讨 onsemi 公司的 N24C008 8 Kb 串行 CMOS EEPROM，详细解析其特性、功能以及在实际应用中的优势。
2025-11-27 09:47:01279 
安森美 (onsemi) CAT93C86 16Kb Microwire串行EEPROM是一款配置为16位（V~CC~的ORG引脚）或8位（GND的ORG引脚）寄存器的存储器件。每个寄存器都可以通过
2025-11-26 09:31:34493 
CW32L010F8P6的flash是否可以当eeprom来用？
2025-11-26 07:26:31
安森美 (onsemi) CAT24C64 64Kb I^2^C CMOS串行EEPROM在内部为每个8位安排有8192个字。这些EEPROM具有32字节页面写入缓冲区，并支持标准（100kHz
2025-11-25 10:14:07377 
安森美 (onsemi) CAT24C32B电子擦除可编程只读存储器是一种32KB设备，支持标准 (100kHz)、快速 (400kHz) 和快速+ (1MHz) I^2^C协议。该EEPROM
2025-11-25 09:42:51297 
文件 eeprom.c，添加到项目中去，下面是和别的程序怎么配合：
#include \"CW32L010.h\"
#include \"eeprom.h\"
2025-11-24 07:40:17
(onsemi) NV250x0LV器件配备16字节页写缓冲区，支持串行外设接口（SPI）协议。NV250x0LV EEPROM提供软件与硬件写保护功能，包括局部和整个阵列保护。 额外的识别页可永久写保护。这些保护功能使该器件能够可靠地存储汽车系统中的关键校准与配置数据。
2025-11-22 10:53:07917 
低引脚数：武汉芯源半导体的EEPROM产品具有低引脚数的特点，这使得它们在集成到电路板时更加节省空间，适合空间受限的应用场景。
高可靠性：这些EEPROM产品具有高可靠性，能够确保数据的稳定保存
2025-11-21 07:10:48
市场业务线总监Sylvain Fidelis在本文中介绍了NVM技术的核心优势，以及让EEPROM成为当前和未来工程师的首选存储器的关键因素。
2025-11-17 09:30:101633 有没有使用芯源的EEPROM的案例指南？有哪些需要特别注意的事项？
2025-11-14 07:54:42
市场等应用。
低功耗：这些EEPROM产品具有低功耗的特点，能够在保证性能的同时，降低设备的能耗。
宽压供电：CW24C系列的EEPROM是宽压供电，工作电压为1.7V~5.5V，可工作在1.8V、3.3V、5V的系统，增加了使用的灵活性。
2025-11-14 06:23:19
STMicroelectronics M95P32超低功耗32Mb SPI页面EEPROM针对移动和可穿戴设计进行了优化。M95P32 32Mb SPI页面EEPROM具有丰富的特性集、超低
2025-10-28 14:30:32401 
评估新的存储器页面EEPROM。X-NUCLEO-PGEEZ1作为外部存储器器件可以存储数据，如制造可追溯性、校准、用户设置、错误标志、数据日志和监控数据，以构建更灵活、更准确的应用程序
2025-10-27 16:01:36604 
STMicroelectronics M95P16超低功耗16Mb SPI页面EEPROM基于非易失性存储器（NVMe）技术。该EEPROM具有字节灵活性、页面可更改、高页面循环性能和超低
2025-10-25 15:44:001210 
相应的算法固件与标定方案。 传统方案通常将算法固件和标定参数存储在主机端，这不仅占用了主机的存储资源，还要求标定参数必须与整机绑定。而 MT3805SD 芯片则能很好地解决这一痛点，其创新之处在于： 内置了EEPROM存储空间，可将算
2025-10-24 13:53:52480 
STMicroelectronics M95P08-x超低功耗串行SPI页面EEPROM采用先进的专有NVM技术。M95P08-x具有字节灵活性、页面可更改性、高页面循环性性能，以及等同于
2025-10-24 09:41:37380 
STMicroelectronics X-NUCLEO-EEICA1 I²C EEPROM存储器扩展板非常适合用于M24256E-F和M24M01E-F系列I^2^C EEPROM
2025-10-21 16:22:38527 
STMicroelectronics M24C64-U 64-Kbit串行^I2C^总线EEPROM专为高效可靠的数据存储而设计。该STMicroelectronics EEPROM采用8K×8位
2025-10-15 17:27:32657 
STMicroelectronics M24C64X-DRE 64Kb串行I^2^C总线电子擦除可编程只读存储器 (EEPROM) 组织为8K x 8位。STMicroelectronics
2025-10-15 09:37:46521 
Microchip Technology 24CSM01 1-Mbit串行EEPROM的速度高达3.4MHz，工作电压范围为1.7V至5.5V。这些串行EEPROM支持多达八个器件共享一个共用I^2
2025-10-10 09:31:41486 
电子发烧友网综合报道，日前，聚辰半导体对外谈到，公司在工业、AI眼镜、汽车以及DDR5 SPD芯片方面的产品和市场拓展进展。 在工业应用市场，聚辰具有较深厚的积累，工业级存储芯片现已广泛应用
2025-10-09 03:29:007981 
）。 Microchip Technology 25CS640 EEPROM优化用于需要可靠、稳健的非易失性存储器的消费及工业应用。 25CS640可在宽电压范围（1.7V至5.5V）内工作
2025-09-30 14:57:09641 
课程目标：MCU系统是电子产品的大脑和核心；也是BMS软件板的控制核心。本课程介绍MCU子系统的主要组成，以及在BMS单板中的核心功能；并针对MCU系统的主要物料（MCU、Flash/EEPROM
2025-09-09 10:24:12485 
0xFF，而EEPROM支持直接覆盖写入。
寿命考量：FLASH擦写次数有限（约10万次），需通过策略降低磨损；EEPROM则达百万次以上。
关键技术路线
双页轮换机制：使用两个固定大小的存储页交替
2025-08-14 06:13:45
可靠性要求。其内部包含一个64K位（8192×8）的存储阵列，按每页32字节组织。 这款 EEPROM 工作电压范围宽，为1.
2025-08-13 15:17:53662 
P24C256H是I²C兼容的串行EEPROM（电可擦除可编程存储器）设备。它包含一个256Kbits （32Kbytes）的内存阵列，每页64bytes。
2025-08-08 17:05:231815 
。
/**
* @briefEEPROM_CheckOk, 判断串行EERPOM是否正常
* @paramNone
* @retval 1 表示正常， 0 表示不正常
*/
uint8_t EEPROM_CheckOk(void
2025-08-05 22:25:09
(I2C_FLAG_BUSY) != RESET);
}
主要配置I2C模式、低电平占空比、I2C寻址模式以及通信速率，最后使能I2C设备。
初始化完成后就是对AT24C02的读写操作，严格按照相应的时序操作就行
2025-08-05 22:13:03
选型EEPROM需权衡容量K至M级、速度、电压兼容与封装尺寸，普冉全系2K–4Mbit宽压1.2-5.5V多样封装，400万次擦写200年保存，工业车规认证，小体积高可靠。
2025-07-29 10:05:00422 
聚辰Giantec推出车规级4K EEPROM GT24C04A-2GLI-TR，1.7 V低电压、125 ℃宽温和3 ms页写速度适配NXP等主流SoC，ECC与抗EMI设计保障方向盘、氛围灯等子模块零故障运行，并以国产替代成本优势加速座舱个性化落地。
2025-07-23 10:28:00654 
XMC4700-F144K2048，Relax Kit 上有 EEPROM 吗？
2025-07-23 06:40:36
EEPROM 提供了条件，FLASH 与 EEPROM 特点对比如下表所示：
FLASH 模拟 EEPROM 优点：
― 低成本：可节约一颗 EEPROM 芯片；
― 存储、读取速度快：通讯速度快
2025-07-16 15:13:16
到I2C EEprom,并且可以烧写成功，然后将模式改为1FF，系统偶尔可以启动成功，绝大多数上电没有反应，请问这是什么原因？以及解决该问题的办法。
2025-07-16 07:38:21
我正在使用 CYBLE-416045-02 开发产品，但似乎最大模拟 EEPROM 是 32kBytes。
有没有办法进一步增加 EEPROM，因为我需要它来存储记录的数据。
2025-06-30 08:26:41
[UTM2C(io0) /pwr/ltc3888]$ read 0x40
[40] VOUT_OV_FAULT_LMT ....> 0ffe (1.000V)
//保存到EEPROM
2025-06-24 06:12:53
1.STVD使用STM8S005K6T6C内部data eeprom进行数据写入操作，使用st-link V2(B2013 21)进行仿真调试，发现寄存器FLASH_CR2写入1是值仍为0x00
2025-06-23 06:29:35
国内领先的一站式存储NVM IP供应商创飞芯在非易失性存储技术领域取得的一项重要成果 —— 基于130nm标准工艺平台开发，为客户定制开发的EEPROM IP，已顺利通过客户全流程的PVT测试
2025-06-12 17:42:071062 EEPROM芯片内部的1路14bit ADC, ADC精度受使用通道数和采样率是怎么样的？EEPROM芯片通常不内置ADC（模数转换器），其核心功能是存储非易失性数据，而非模拟信号转换。若某
2025-06-04 09:04:23
单片机实例项目：AT24C02EEPROM存储器，推荐下载！
2025-06-03 20:50:02
参照AN61345的文件，已经成功将接口程序调试完毕。现在遇到一个问题，68016中的固件程序只能通过RAM的方式运行，详细说明如下：
1、将SLAVE.IIC文件下载到EEPROM中，软件显示下载
2025-06-03 09:38:46
集成EEPROM与监控电路的CPU Supervisor ON Semiconductor CAT1025WI-45-GT3
2025-05-28 17:01:421136 
AN76405 指出，\" SPI 闪存/EEPROM 设备（1 Kb 至 128 Mb）可用于启动\" 。
它只列出了一些受支持的 SPI 闪存部件，如果我使用其他 SPI 闪存，会有风险吗？
FX3 的 SPI EEPROM 支持列表如何？
2025-05-21 07:37:48
我的客户使用带有 UVC 32 位配置的 FX3。
他们希望将 EEPROM 和 FPGA 连接到 I2C 线路。
这有什么问题吗？ 因为 EEPROM 是用来启动的，所以我想检查一下是否有问题。
2025-05-21 06:33:05
在我的设计中，我们使用 USB 控制器 FX3S（CYUSB3035-BZXI）和 I2C EEPROM（M24M02-DRMN6/AT24CM02-SSHM），通过 USB 电缆成功进行刷新，刷新
2025-05-20 07:47:44
DS28E02将1024位EEPROM与符合FIPS 180-3安全散列算法(SHA-1)的质询-响应安全认证功能结合在一起。1024位EEPROM阵列被配置为四页，每页256位，且带有64位暂存器
2025-05-14 14:17:24908 
(SHA-256)的加密、双向、质询-响应安全认证功能以及小型信息摘要加密功能。3Kb用户可编程EEPROM阵列为应用数据提供非易失存储，附加的保护存储器用于存储SHA-256操作的一组读保护密钥以及用户存储
2025-05-14 11:28:35866 
SHA-3引擎、256位安全用户EEPROM、一个仅递减计数器，以及一个64位特有ROM识别号(ROM ID)。特有的ROM ID用作加密操作的基本输入参数，并在应用中用作电子序列号。该器件通过符合ISO/IEC 15693标准的RF接口进行通信。
2025-05-13 10:25:23753 
在我的主板上我使用直接连接到 EEPROM 的芯片 CYUSB3326。 Hx3 配置为 I2C 主控，使用模式 sel(1)= 0 和模式 sel(0) =1 从 I2C EEPROM 读取配置
2025-05-09 06:51:56
我有一个 CYUSB3014-BZXCT 芯片，其中保存了 EEPROM 数据。 我还有第二个空的 CYUSB3014，我想将第一个芯片的 EEPROM 数据写入其中。 我想通过 USB 连接从
2025-05-07 06:46:22
是否有任何工具可以从 FX2LP 设备的 EEPROM 读取固件（.iic）？ 我想备份旧固件来重新编程我的设备，但我丢失了旧的 IIC 固件。
2025-05-07 06:37:06
的固件镜像，我已经实现了EEPROM的烧写和启动，并且实现了USB3.0通信。 本次 2024/12 的赛道与上一次 2019/10 的赛道相同。
我认为IC的版本不同。 请参阅附件。
)
我不知道
2025-05-06 09:05:11
我尝试使用 Cy Control Center 实用程序将固件下载到我的 EVM 中，
第一天，我尝试了很多次，但都失败了，比如下面的错误，
I2C EEPROM 编程失败。
我搜索了英飞凌社区
2025-05-06 07:25:10
国产烧录器 AP8000 的支持范围。 FT24C16A-KL是一款容量为16384比特的串行电可擦可编程只读存储器，通常被称为电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。其存储结构为2048个字，每个字8比特(即1字节)。这些器件采用专有的先进互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺制造，适用于低功
2025-04-30 14:46:20766 
我有标题中的板块。我已经下载了 sdk fx3，它可以为 PC 看到的主板驱动程序工作。问题是，尽管已经安装了一个 EEprom，但驱动程序在列表中却没有显示 EEprom。我需要正确的驱动程序来访问该 eeprom，以便我可以将文件加载到它的内存中。
2025-04-30 07:40:45
6 I2C读写EEPROM
6.1 RA Smart Configurator配置I2C
打开RA Smart Configurator，根据硬件连接，I2C使用的是I2C3，因此在配置界面里面依次
2025-04-28 23:14:42
UV-EPROM的结构与使用方法，闪速存储器的结构与使用方法，EEPROM的结构与使用方法， SRAM的结构与使用方法， 特殊的SRAM的结构与使用方法 ，DRAM的结构与使用方法，
2025-04-16 16:04:56
您好,我想使用STM32直接下载程序到ADAU1462再到EEPROM，请问有什么可以参考的手册?或者例子。谢谢!
2025-04-15 07:31:50
基于APM32F407如何制作I2C EEPROM（AT24C02型号）的Keil下载算法，这样在我们下载代码时可以一键把数据烧录到EEPROM中。
2025-04-11 11:06:041884 
单片机与存储器的关系像什么？单片机里的存储都是一样的吗？为什么有的单片机既有EEPROM又有Flash？
2025-04-10 10:06:011434 
贝岭（BELLING）作为知名的电子元件制造商，始终致力于为市场提供高性能、高可靠性的集成电路解决方案。BL24CM1A-PARC是贝岭公司推出的一款高性能EEPROM存储器，凭借其低功耗、高集成度
2025-04-09 15:47:21692 EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)是指带电可擦可编程只读存储器。是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。EEPROM
2025-03-29 17:26:511536 
EVASH推出高性能Ultra EEPROM芯片，助力智能设备创新
2025-03-09 15:30:46976 本书主要介绍了UV-EPROM的结构和使用方法，闪速存储器的结构和使用方法，EEPROM的结构和使用方法， SRAM的结构与使用方法，特殊的SRAM的结构与使用方法，DRAM的结构与使用方法，
2025-03-07 10:52:47
EEPROM芯片市场应用与出货量分析（截至2025年数据）
2025-03-03 16:57:161516 AT24C64是一款串行电可擦除编程只读存储器 (EEPROM)，存储容量为8192字节，分为256页，每页32字节。 具有低功耗CMOS技术，自定时编程周期，支持SOP-8和DIP-8封装。 适用于智能仪器仪表、笔记本电脑、计算机、家用电器、汽车电子、通信设备和工业控制
2025-02-28 15:45:43
0
DLPC6401什么时候可以只用Nand Flash或者EEPROM单独对DLP进行配置？
2025-02-28 07:47:59
DS2430A是一款256位1-Wire® EEPROM，用于识别和存储与产品相关的信息。这个标签或特殊产品信息可以通过最少的接口访问，例如微控制器的一个端口引脚。DS2430A带有一个由工厂刻度
2025-02-27 15:21:541110 
DS2433是一款4K位1-Wire® EEPROM，用于识别和存储与产品相关的信息。这个标签或特殊产品信息可以通过最少的接口访问，例如微控制器的一个端口引脚。DS2433带有一个由工厂刻度的注册码
2025-02-27 10:03:111219 
DS2431是一款1024位1-Wire® EEPROM芯片，由四页存储区组成，每页256位。数据先被写入一个8字节暂存器中，经校验后复制到EEPROM存储器。该器件的特点是，四页存储区相互独立
2025-02-26 15:38:071838 
出DS28E04-100的物理地置和功能。4096位EEPROM阵列配置为16页，每页32字节，另外还有用来进行写操作的32字节暂存器。EEPROM存储器页可单独进行写保护或置为EPROM仿真模式，此时
2025-02-26 15:29:08980 
DS28EC20是一款20480位、1-Wire® EEPROM，分为80个256位的存储器页。器件提供一个额外的页用于控制功能。数据被写入一个32字节暂存器，经过校验后，复制到EEPROM存储
2025-02-26 14:33:341258 
DS28E05是一款112字节的用户可编程EEPROM，分为7页，每页16字节。通过保护字节设置，可将存储器页面单独设置为写保护或epro模拟模式。每个器件都有自己保证唯一的64位ROM识别码
2025-02-26 11:50:591559 
DS28E07是一款1024位、单线EEPROM芯片，分为四个存储器页面，每个页面256位。数据写入一个8字节的暂存区，经过验证，然后复制到EEPROM存储器。作为一项特殊功能，四个用户内存页面可以
2025-02-26 11:30:581426 
DS1972是一款1024位1-Wire EEPROM芯片，采用坚固的iButton封装，每个内存页面有256位。数据写入8字节的暂存区，经过验证后，再复制到EEPROM内存。四个内存页面可以单独
2025-02-26 10:08:251085 
通过 LIN 总线进行闪存/EEPROM 编程
2025-02-19 16:17:520
参考DLPDLCR3010EVM_G2的设计，经过测试发现无法将edid写入空白的eeprom中，请问这个是自动写入edid到eepron中，还是需要预先写入edid至eeprom中？
如果是需要预先写入edid至eeprom中，那么我应该使用什么命令？
2025-02-19 08:01:34
电子发烧友网站提供《AN4254-在24CS系列串行EEPROM中使用增强软件写保护功能.pdf》资料免费下载
2025-01-22 15:43:250 EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）是一种非易失性存储器芯片，应用广泛，即使断电也不会丢失数据，并且支持通过电子信号进行重新编程。通常，EEPROM用于存储对设备运行至关重要的信息，包括可能不时更新的信息，例如固件、系统本身的配置数据或用户配置和偏好。
2025-01-22 10:02:00959 
电子发烧友网站提供《具有128位序列号和增强型写保护的4Mb SPI串行EEPROM.pdf》资料免费下载
2025-01-21 13:56:530
1.关于1394 PHY,EEPROM烧录的f.w请问有sample吗？
是使用winrom 读出controller register map写入到1394 OHCI
2025-01-16 08:16:36
电子发烧友网站提供《在24CS系列串行EEPROM中使用增强软件写保护功能.pdf》资料免费下载
2025-01-15 15:21:490 电子发烧友网站提供《AN-145：LTC PSM器件中的EEPROM概述.pdf》资料免费下载
2025-01-12 11:29:290 电子发烧友网站提供《AN-1383: ADP1046A EEPROM编程.pdf》资料免费下载
2025-01-12 11:19:400 电子发烧友网站提供《AN-1306：电源生产环境中ADP1050和ADP1051 EEPROM的编程与校准.pdf》资料免费下载
2025-01-12 10:39:260 电子发烧友网站提供《AN-0973: 超级时序控制器的EEPROM擦除和编程.pdf》资料免费下载
2025-01-09 13:43:490
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