安森美 (onsemi) CAT93C86 16Kb Microwire串行EEPROM是一款配置为16位（VCC的ORG引脚）或8位（GND的ORG引脚）寄存器的存储器件。每个寄存器都可以通过DI（或DO）引脚串行写入（或读取）。安森美CAT93C86采用先进的CMOS EEPROM浮栅技术制造而成。该器件设计耐100万次编程/擦除周期，数据保留期限为100年。该器件采用8引脚DIP和8引脚SOIC封装。

数据手册：*附件：onsemi CAT93C86 16Kb Microwire串行EEPROM数据手册.pdf

特性

• 3MHz/VCC =5V高速运行
• 低功耗CMOS技术
• 1.8 V 至 5.5 V 操作
• 可选择x8或x16内存组织
• 带自动清除功能的自定时写入周期
• 硬件和软件写保护
• 开机无意写入保护
• 顺序读取
• 编程使能 (PE) 引脚
• 100万次编程/擦除周期
• 100年数据保留期
• 工业和扩展温度范围
• 8引线PDIP和SOIC封装
• 无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令

功能图

封装尺寸

深度解析onsemi CAT93C86：16Kb Microwire串行EEPROM的技术特性与应用

产品概述

‌CAT93C86‌是安森美半导体推出的一款16Kb串行EEPROM存储器，采用先进的CMOS EEPROM浮栅技术制造。该器件可配置为16位寄存器（ORG引脚接VCC）或8位寄存器（ORG引脚接GND），通过DI引脚进行串行写入，通过DO引脚进行串行读取。

核心特性

‌卓越的性能参数‌：

• 高速操作：3 MHz（VCC = 5 V时）
• 宽电压工作范围：1.8 V至5.5 V
• 出色的耐用性：1,000,000次编程/擦除周期
• 超长数据保持时间：100年
• 低功耗CMOS技术

引脚功能详解

引脚名称	功能描述
CS	芯片选择
SK	时钟输入
DI	串行数据输入
DO	串行数据输出
VCC	电源供应
GND	接地
ORG	存储器组织选择
PE	编程使能

关键电气特性

‌直流工作特性‌（VCC = +1.8 V至+5.5 V）：

• 写入时电源电流（ICC1）：最大3 mA（fSK = 1 MHz; VCC = 5.0 V）
• 读取时电源电流（ICC2）：最大500 μA（fSK = 1 MHz; VCC = 5.0 V）
• 待机电流（x16模式）：最大10 μA

存储器组织架构

器件支持两种存储器组织模式：

• ‌x16模式‌：当ORG引脚连接到VCC时选择，配置为1024个16位寄存器
• ‌x8模式‌：当ORG引脚连接到GND时选择，配置为2048个8位寄存器

指令集功能

CAT93C86提供完整的七指令集控制：

‌基本操作指令‌：

• ‌READ‌：读取指定地址数据
• ‌ERASE‌：擦除指定地址内容
• ‌WRITE‌：写入数据到指定地址

‌控制指令‌：

• ‌EWEN‌：写使能指令
• ‌EWDS‌：写禁止指令
• ‌ERAL‌：擦除所有地址
• ‌WRAL‌：写入所有地址

先进保护机制

‌硬件与软件写保护‌：

• 上电时无意写入保护
• 通过PE引脚实现编程使能控制
• 自定时写入周期带自动清零功能

时序特性

‌关键时序参数‌（VCC = 4.5 V - 5.5 V）：

• CS建立时间（tCSS）：最小50 ns
• DI建立时间（tDIS）：最小50 ns
• 输出延迟（tPD0, tPD1）：最大0.5 μs

封装选项

提供多种8引脚SOIC封装选择：

• ‌SOIC-8 V, W后缀‌（CASE 751BD）
• ‌SOIC-8 X后缀‌（CASE 751BE）

应用优势

1. ‌高可靠性‌：符合工业级温度范围（-40°C至+85°C）
2. ‌环保合规‌：无铅、无卤素/BFR、符合RoHS标准
3. ‌设计灵活性‌：支持多种存储器组织模式
4. ‌易用性‌：具备顺序读取和状态轮询功能