基于Microchip 24CSM01串行EEPROM的技术解析与应用指南-电子发烧友网

Microchip Technology 24CSM01 1-Mbit串行EEPROM的速度高达3.4MHz，工作电压范围为1.7V至5.5V。这些串行EEPROM支持多达八个器件共享一个共用I^2^C（两线）总线。24CSM01 EEPROM构成为131.072字节，每字节8位（12千字节），优化用于消费和工业应用。这些EEPROM具有4Kbit安全寄存器，前半部分为只读。安全寄存器在前16字节中包含工厂编程、确保唯一的128位序列号。

数据手册：*附件：Microchip Technology 24CSM01 1Mb串行EEPROM数据手册.pdf

24CSM01 EEPROM包含一个支持写保护行为的配置寄存器和一个只读纠错状态锁存（ECS）。这些串行EEPROM采用内置纠错码（ECC）方案，可在4字节读取中纠正多达一个错误读取位。24CSM01 EEPROM支持I^2^C制造商识别（ID）命令，可返回24CSM01的唯一值，从而在应用中轻松识别。这些串行器件采用PDIP-8、SOIC-8、SOIJ-8、UDFN-8、TSSOP-8、MSOP-8和WLCSP-8封装。

特性

1-Mbit电子擦除可编程只读存储器：
- 内部构造为一个131.072 x 8位
- 字节或页面写入高达256个字节
- 字节或顺序读取
- 自定时写入周期：5 ms（最大值）
高速I^2^C接口：
- 高速模式支持3.4MHz
- 行业标准1MHz、400kHz和100kHz
- 输出斜率控制，消除接地弹跳
- 用于噪声抑制的施密特触发器输入
安全寄存器
- 可编程128位序列号
- 用户可编程和可锁定256字节ID页面
内置纠错码（ECC）逻辑：
- 通过配置寄存器实现纠错状态（ECS）闩锁
支持I^2^C制造商识别功能
多功能数据保护选项
- 硬件写保护 (WP) 引脚，用于全阵列数据保护
- 通过配置寄存器增强软件写保护
工作电压范围：1.7 V至5.5 V
低功耗CMOS技术：
- 写入电流：3mA（最大值，5.5V时）
- 读取电流：1mA（最大值，5.5V、1MHz时）
- 待机电流：1µA（5.5V时，I-temp）
高可靠性：
- 超过100万次擦除/写入循环
- 内置ECC逻辑，提高可靠性
- 数据保留：>200年
- ESD保护：>4000V
温度范围：
- 工业 (I) ：-40 °C至85 °C
- 扩展温度 (E)：-40 °C至125 °C
符合汽车类AEC-Q100标准
符合RoHS标准

使用串行EEPROM进行系统配置

方框图

基于Microchip 24CSM01串行EEPROM的技术解析与应用指南

一、核心特性概述

Microchip 24CSM01是一款1Mb（128KB）容量的I2C接口串行EEPROM，具有以下技术亮点：

‌高速通信‌：支持3.4MHz高速模式，兼容标准1MHz/400kHz/100kHz时钟
‌安全机制‌：
- 预编程128位唯一序列号（只读）
- 可锁定的256字节用户ID页
- 硬件写保护引脚(WP) + 可配置的软件写保护模式
‌增强可靠性‌：
- 内置ECC纠错逻辑（可修正单比特错误）
- 100万次擦写周期
- 200年数据保存期限

二、硬件设计要点

‌引脚配置‌：
- 标准8引脚封装（MSOP/PDIP/SOIC等）
- 关键信号：
  - SDA/SCL：开漏I2C总线，需上拉电阻（1MHz时推荐2kΩ）
  - A1/A2：器件地址选择引脚
  - WP：写保护使能（低电平解锁）
‌电气特性‌：
- 宽电压工作范围：1.7V-5.5V
- 超低功耗：
  - 待机电流1μA@5.5V
  - 写入电流3mA@5.5V