PN结是一种常见的半导体结构，它由p型半导体和n型半导体组成，这两种半导体材料具有不同的掺杂浓度，形成一个正负载流的结构。当在PN结上施加正向电压时，会引起空间电荷效应，即在PN结区域形成带电
2024-03-01 11:14:59
325 在各种传感技术中，最常用和最广泛的检测磁场的方法是霍尔效应法。基于霍尔效应，在各种应用中发现了许多霍尔效应传感器或换能器，它们最常用于感测接近度、速度、电流和位置。 这是因为可以在集成电路上构建霍尔
2024-02-25 15:13:08127 
单向导电性的，是二极管，不是PN结！
真正令 PN结 导不了电的，关非 过不去，而是 离不开及进不来，
交叉对流无障碍，背道而驰不允许，所以，当PN结成了集电结，单向导电性就被打破了。
2024-02-25 08:57:14
将P型半导体连接到正电极，则耗尽层的幅度变窄,P型区域内的空穴越过PN结移动到N型区域,N型区域内的电子则移动到P型区域。
2024-02-06 10:58:55567 
1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。这里的沟道是指导电的主要离子，N沟道为电子，P沟道为空穴。
为使N沟道场效应管能够正常工作，应在其栅源之间加负向电压，以保证耗尽层承受反向电压；在漏源之间
2024-01-30 11:51:42
1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。
为使N沟道场效应管能够正常工作，应在其栅源之间加负向电压，以保证耗尽层承受反向电压；在漏源之间加正向电压，以形成漏极电流。N沟道场效应管在不加控制电压
2024-01-30 11:38:27
在负反馈网络没有考虑到反馈支路的负载效应，只是认为反馈网络是单向的，即没有考虑到输入经反馈网络到输出的过程，如果考虑到反馈支路的负载效应，就必须重新分析反馈环节的影响。
1、请问如何判断反馈支路
2024-01-26 09:58:01
为了使PN/PN耦合器的去分类请求也能动画化，ACK_REQ信号必须连接到网络的“基本功能”=“x”。
2024-01-25 10:26:07158 
热电效应是指当两个不同材料的接触处存在温度差时，会产生电场或电势差，从而引起电荷的移动和电流的产生。热电效应的研究对于热电材料的开发和热电转换技术的应用有着重要的意义。 热电效应可以分为三种
2024-01-18 11:43:15646 电流热效应是指电流通过导体时，导体会受到Joule热的加热现象。根据电阻的热效应，电器的功率会因为电流热效应而变大。 首先，我们需要了解电流热效应的原理。当电流通过导体时，导体内部的自由电子会受
2024-01-16 10:43:48208 利用电流热效应工作的电器是指那些根据电流通过导体产生的热量来实现其功能的电器。电流热效应是指当电流通过导体时，由于导体的电阻，电能会被转化为热能，导致导体温度升高。这种热能转化的现象广泛应用于各种
2024-01-16 10:41:10224 微波炉的工作原理并非通过电流的热效应实现，而是利用了微波的特殊性质以及分子的共振吸收来加热食物的。 微波炉是一种利用高频无线电波的设备，它的工作原理基于电磁辐射和分子的转动和共振吸收。微波炉主要
2024-01-12 17:51:34391 场效应管和IGBT的驱动经常听到米勒效应这个词，查阅了一些资料是栅极和漏极之间的等效电容，这个等效电容在场效应管或者IGBT开通的时候在某一阶段会放大较多倍，进而导致驱动电路需要提供的电压电流增多
2024-01-11 16:47:48
PN编码器缺点：1、带宽占用大：由于PN编码器使用了正负极性和零态信号，对信号的频带要求较高，如果信号频带过窄，可能造成信号失真。因此在使用PN编码器时需要考虑到其较大的带宽占用问题。2、硬件可靠成本略高：它的硬件实现比较复杂，需要较高的成本。
2024-01-10 10:41:58157 
【科普小贴士】什么是pn结？
2023-12-13 15:06:07684 
采用不同的掺杂工艺将P型半导体和N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成了PN结， PN结具有单向导电性 。
2023-12-06 16:44:391041 
ad8346汽车级最高工作环境温度是125度，最高结温是多少摄氏度？
2023-12-05 07:44:20
上一个输错了型号，AD8436BRQZ 的datasheet里没有最大结温
2023-12-05 06:37:12
您好，看了关于测试码部分的pn9和pn23伪随机码，想用pn9序列做对齐，但是不太明白如何计算输出的pn码，有没有关于如何生成这个码的具体算法呢？或者具体生成值的表格呢？谢谢！
2023-12-01 08:29:55
上期简单描述了下PN结的基本结构和耗尽区的形成过程，为方便后续定量研究，还是要从能带图入手，先看下平衡PN结的能带图吧，通过能带图，可以获得PN结的很多有用的信息。
2023-11-30 18:25:262612 
半导体器件有四种基本结构，而PN结无疑是最常见，也是最重要的结构。
2023-11-30 18:22:43975 
IGBT与功率MOS最大的区别就是背面多了一个pn结，在正向导通时，背面pn结构向N-区注入空穴，使得N-区的电阻率急剧减小（即电导调制效应）。
2023-11-29 15:16:24381 
下面简要推导PN结导通状态下的电荷浓度分布以及电流、电压的关系。
2023-11-28 16:32:04477 
动，其PN结没有电流通过，二极管截止。
2. MOSFET工作原理
MOS 场效应管也被称为MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect
2023-11-28 15:53:49
在我们现有的功率半导体器件中，PN结占据了极其重要的地位，其正向阻断能力的优劣直接决定着功率半导体器件的可靠性及适用范围。
2023-11-24 15:47:53408 
何谓PN结的击穿特性？雪崩击穿和齐纳击穿各有何特点？ PN结的击穿特性是指当在PN结上施加的电压超过一定的值时，PN结将发生击穿现象，电流迅速增大，导致结电压快速降低。击穿是指在正向或反向电压
2023-11-24 14:20:271216 电子发烧友网站提供《pn结工作原理.zip》资料免费下载
2023-11-20 14:39:41
3 场效应管是一种半导体器件，它可以用来放大或者控制电流 。根据结构的不同，场效应管可以分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）。其中，JFET是由一个pn结构组成，而MOSFET
2023-11-17 16:29:521230 
ICS83PN625I 数据表
2023-11-03 18:30:170 呈正相关性。 首先，二极管的电容效应包括势垒电容CB和扩散电容CD两个部分。 势垒电容CB（Cr） 在 PN 结的内部结构中，PN结空间内缺少导电的载流子，其电导率很低，因此相当于介质。 而PN结两侧的P区和N区，P区空穴多，N区电子多，因为扩散，会在中间形成
2023-11-01 17:12:04509 
，产生击穿，把这种在强电场作用下，使势垒区中原子直接激发的击穿现象称为齐纳击穿。齐纳击穿一般发生在掺杂浓度较高的PN结中。这是因为掺杂浓度较高的PN结，空间电荷区的电荷密度很大，宽度较窄，只要加不大
2023-10-20 10:10:21
，产生击穿，把这种在强电场作用下，使势垒区中原子直接激发的击穿现象称为齐纳击穿。齐纳击穿一般发生在掺杂浓度较高的PN结中。这是因为掺杂浓度较高的PN结，空间电荷区的电荷密度很大，宽度较窄，只要加不大
2023-10-20 10:07:05
为什么加正向电压PN结变薄,加反向会变厚呢？ PN结是半导体器件中最基本和最常用的一种器件，具有正向导通和反向截止的特性。如果将PN结的两端施加正向电压，电子从N型区流向P型区，空穴从P型区流向
2023-10-19 16:42:521803 pn结的电容效应 为什么在pn结间加入i层可以减小结电容？ PN结是一种半导体器件，其中P型半导体和N型半导体间由弱耗尽区隔离。这种器件有许多应用，例如光电探测器、太阳能电池、场效应晶体管和整流器
2023-10-19 16:42:49507 ，使电子与空穴向反方向漂移。这两种运动达到平衡时的结果就是形成一段没有载流子的区域，称为空间电荷区，也叫耗尽层。这个空间电荷区叫做PN结。
2023-10-19 14:16:45540 
PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄是因为：**PN结外加正向电压，此时外电场将多数载流子推向空间电荷区，使其变窄，削弱了内电场
2023-10-18 17:38:582411 
ICS83PN161I 数据表
2023-10-11 18:30:020 PN/PN 耦合器用于连接两个不同 PROFINET 子网，实现多个控制器不同子网间的可靠数据交换
2023-10-11 16:49:421769 
PN结的反向击穿有哪几种形式？ PN结（即正负电极结）是半导体器件的基础结构之一，它是由p型半导体和n型半导体直接接触组成的简单晶体管结构。PN结的一个重要特性是反向击穿，它指的是当PN结处于反向
2023-09-21 16:09:471700 Chipown经典多模式ACDC芯片PN8715H/PN8712H系列，可完美替代进口工业级芯片5ARxx系列 。
2023-09-14 14:33:42709 
什么是PN结的导通电压？ PN结是半导体器件中最常见的元器件之一，它将p型半导体和n型半导体的材料在一起，通过电场使它们连接在一起，并形成一个电子流的管道。在其中，导通电压是PN结的一个重要参数
2023-09-13 15:09:292819 pn结是怎么形成的？有哪些基本特性 PN结是半导体器件中最基本的元器件之一，它的存在使得晶体管、二极管、光电池等半导体器件得以实现。PN结是由n型半导体和p型半导体通过特定工艺加工、热扩散或离子注入
2023-09-13 15:09:203674 简述pn结的三种击穿机理 PN结是半导体器件中最常见的结构之一，它由P型半导体和N型半导体材料组成。在正向偏压下，PN结会工作在正常的导电状态，而在反向偏压下，PN结则会发生击穿现象，这是PN
2023-09-13 15:09:182979 密切相关。在PN结外加正向偏压的情况下，暗电流随外加电压增大而急剧增大，远大于光电流，因此加正偏压无意义。在PN结外加反向偏压的情况下，暗电流随反向偏压升高而增加。
这些噪声源的成因可以归结为物质的光电效应以及热效应等，具体取决于光电探测器的设计和工作环境。
2023-09-01 17:05:31
在上一节计算光学小讲堂中，我们学习了光源掩模协同优化（source mask co-optimization, SMO）的相关知识。这一节我们将主要探索光学邻近效应修正（Optical Proximity Correction，OPC）技术是如何用来提升光刻工艺窗口，为芯片生产保驾护航的。
2023-09-01 09:48:442297 
I2C1 使用 pin PN4 和 PN5 来通信失败, 但作为 GPIO 成功使用 。
你需要检查电路是否有强烈的阻力
2023-08-25 06:56:40
电子发烧友网站提供《PN7160卡仿真.pdf》资料免费下载
2023-08-17 14:32:490 电子发烧友网站提供《PN7160安卓移植指南.pdf》资料免费下载
2023-08-17 11:40:261 结型场效应管栅极反偏但仍有电流，MOS场效应管栅极绝缘，没有电流。
2023-08-17 09:19:34616 
ICS83PN148I 数据表
2023-07-14 11:40:380 ICS83PN128I 数据表
2023-07-13 19:22:020 ICS83PN156I 数据表
2023-07-10 20:39:050 ICS83PN187I 数据表
2023-07-10 20:38:460 83PN15639 数据表
2023-07-10 19:36:180 GT41FUA-PN，霍尔效应传感器，设计用于无刷直流电机应用的电子换向。该装置包括一个用于磁传感的片上霍尔电压发生器，一个放大霍尔电压的比较器，以及一个用于提供噪声抑制的开关磁滞，开放收集器输出
2023-07-07 14:29:160 什么是PN编码器？PN编码器主要应用与优点：PN编码器具有很多优点。首先，它可以将原始信号进行变换编码，从而增加了发送信号的保密性。其次，它可以通过事先协定好的代码进行解码，提高了数据传输的准确性
2023-07-05 13:55:521297 
半导体可以掺杂其他材料，变成p型或n型。pn结二极管可以是正向偏置或反向偏置。led是产生光子的正向偏压二极管。太阳能电池是吸收光子的pn结，给电子足够的能量进入导带。
2023-06-30 09:51:361958 
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2023-06-10 10:59:394 场效应管可以分成两大类，一类是结型场效应管（JFET），另一类是绝缘栅场效应管（MOSFET）。
2023-06-08 09:20:14430 
CPU 1514SP T-2 PN和CPU 1514TP TF-2 PN，它们不仅具有扩展的运动控制功能，而且，以SIMATIC S7-1500控制器的创新固件版本V3.0为基础。
2023-06-07 15:48:06364 
PN7150作为卡模拟功能时，华为手机无法读取卡模拟。使用小米/三星等手机模拟读卡成功。对比两个日志文件发现，华为手机读取PN7150卡模拟时，识别的是NFC-DEP，而小米手机识别
2023-06-05 08:00:41
我正在尝试使用 PN532 芯片模拟 NFC 卡 - 因此将 PN532 放在桌子上，使用 Android 或 iOS 设备，能够从芯片读取数据。这个想法是使用 PN532 的主动功能使读/写过程更容易/更快/防故障。
但是，我遇到了问题。有什么我应该效仿的例子吗？
2023-06-01 08:42:59
二极管大家都很熟悉，前面也好几次对其工作特性分析过，具有导电单向性，其主要性能参数有：反向峰值电压，正向平均电流，正向耗散功率，pn结电容、温度效应，一般大家都比较关心靠前的那些参数指标，却很少过多
2023-05-30 09:16:562189 
我了解到NXP PN7160的部分固件存放在FLASH中，可以通过sFWU的方式进行更新。
2023-05-30 07:30:06
关于二极管的原理来自于PN结，下图为本征半导体。
2023-05-29 10:31:131124 
我设计了带有 I2C 端口的 PN7160 和 PN7161 板。
我得到以下结果：
1.所有PN7160板都运行良好。
2.所有PN7161板都不工作，启动失败。
PN7160 和 PN
2023-05-29 07:02:23
PN7462 是否支持 Segger RTT？
2023-05-19 07:35:56
PN560是否支持felica？哪些NXP芯片支持felica？
多谢！
2023-05-09 06:17:58
当我以共享模式运行 libnfc-nci demoapp 时，阅读器设备显示 pn7150 的 uid 是“040302010400”，但是我如何为 PN7150 设置特定的 UID？
我可以参考什么文件？
2023-05-08 08:44:55
我正在使用 PN7462 开发套件和 MCUXpresso IDE v11.4.1，在调试代码时出现错误，
图片中提到的，你能告诉我为什么这个错误也有根本原因和解决方案吗，
2023-05-05 11:10:03
我看有些项目使用PN7150时使用的驱动为pn544，文件列表如下
dx@ubuntu:~/nfc/pn544$ ls
2023-05-04 07:08:48
我正在寻找使用 PN7150 读/写 MIFARE Ultralight 页面的命令序列。我正在努力阅读 PN7150 用户手册 - 我看到了 MIFARE Classic（带身份验证）的序列图，但没有看到 MIFARE Ultralight。谁能启发我或指出一些示例代码。
2023-05-04 07:04:12
我正在开发一款 Android12 设备，它将使用 PN532 实现 NFC 功能。我搜索了 PN532 产品介绍，但没有找到 PN532 的 android12 移植指南。
我可以从你那里得到一些
2023-04-23 07:51:12
我想使用 PN7362 芯片实现 NFC 功能。但是，如果安装MCUXpresso IDE 搜索SDK，则没有PN7362 的SDK。
我不知道如何在 MCUXpresso IDE 中使用我在恩智浦
2023-04-23 06:56:21
ICS83PN625I 数据表
2023-04-17 18:46:590 ICS83PN161I 数据表
2023-04-14 19:17:410 放大状态下的三极管是两个PN结都大于0.7V吗？求解
2023-04-12 11:30:57
如何解决PCB制造中的HDI工艺内层涨缩对位问题呢？
2023-04-06 15:45:50
ICS83PN148I 数据表
2023-04-04 18:46:090 我们正在开发一款带有 PN5190 的阅读器。 部分读者在调用函数phhalHw_Pn5190_EnBootNormalMode时初始化PN5190失败，返回错误。通常当PN5190正常工作时，初始
2023-04-03 08:55:36
ICS83PN128I 数据表
2023-03-30 19:50:370 二极管具有电容效应。它的电容包括势垒电容CB和扩散电容CD。
1．势垒电容CB（Cr）
前面已经讲过，PN结内缺少导电的载流子，其电导率很低，相当于介质；而PN结两侧的P区、N区的电导率高，相当于金属导体。从这一结构来看，PN结等效于一个电容器。
2023-03-30 13:58:342860 
我有一个问题。可以用libnfc-nci驱动pn532吗？如果可以驱动，我们有任何说明吗？我期待着您的反馈。
2023-03-29 07:58:08
ICS83PN156I 数据表
2023-03-24 18:49:290 ICS83PN187I 数据表
2023-03-24 18:49:120 83PN15639 数据表
2023-03-23 19:44:410 CONNDSUBPLUG17POSSTRSLDCUP
2023-03-23 02:16:21
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