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肖特基二极管怎么用+原理

深圳比创达EMC 来源:jf_99355895 作者:jf_99355895 2025-09-22 16:40 次阅读
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肖特基二极管与普通硅二极管(PN结二极管)最核心的结构差异,就在于它没有P+外延层(或P型半导体层),取而代之的是金属-半导体结(肖特基结)。
1.肖特基二极管的结构差异.png

图表1 肖特基二极管的结构差异

1.更低的正向压降:

在普通PN结二极管中,电流导通需要克服P区和N区接触形成的内建电势差(势垒)。硅材料PN结的这个势垒高度通常在0.7V左右,因此需要大约0.7V的电压才能让二极管开始显著导通(开启电压)。

肖特基二极管是金属(如钼、钛、铂)与N型半导体直接接触形成的金属-半导体结。这个结形成的肖特基势垒高度通常比PN结势垒低得多(大约在0.15V-0.45V之间,取决于金属材料和半导体掺杂浓度)。
2.二极管的VI特性.png

图表2 二极管的VI特性

2.更快的开关速度/无少数载流子存储效应:

在普通PN结二极管正向导通时,除了多数载流子(N区的电子进入P区,P区的空穴进入N区)导电外,还会向对方区域注入少数载流子(P区的电子,N区的空穴)。这些注入的少数载流子需要时间才能复合消失。肖特基二极管是多数载流子器件。在正向导通时,主要是N型半导体中的电子注入到金属中形成电流(金属中的空穴很难注入到半导体中)。没有空穴注入到N型半导体中,也就没有少数载流子(空穴)在N区存储。

3.更低的结电容

PN结二极管的结电容主要由耗尽层电容(势垒电容)和扩散电容(由少数载流子存储引起)组成。在正向偏置时,扩散电容通常占主导。

肖特基二极管由于没有少数载流子存储效应(没有扩散电容),其结电容主要是耗尽层电容。并且,金属-半导体结的结构特性通常使其耗尽层电容也比同等面积的PN结略低。

结论:

肖特基二极管少了P+层,采用金属-半导体结,这直接造就了其低导通压降、超快开关速度、低结电容这三大核心优势,使其在低压、大电流、高频领域成为首选。工程师在设计时必须根据具体的电压、电流、频率、温度等条件权衡利弊,进行选型。

应用场景

肖特基二极管的核心优势在于其低正向压降和极快的开关速度。这两个特性决定了它的主要应用场景:

以下是肖特基二极管最常见的应用方式:

  1. 低压大电流整流(特别是开关电源输出端):

3.半波整流电路.png

图表3 半波整流电路

场景:在开关电源(如电脑电源、手机充电器、DC-DC转换器)的输出级,需要将高频交流电(通常来自变压器次级或电感)整流成直流电。

作用:由于输出电压通常较低(如3.3V,5V,12V),即使普通硅整流二极管0.7V的压降也会造成显著的功率损耗(压降x电流)和发热。肖特基二极管的正向压降通常只有0.15V-0.45V,在大电流输出时能显著提高效率,降低温升,减小散热器尺寸。

连接:通常用在变压器次级绕组之后,串联在输出回路中(如全波整流桥中的两个臂,或作为中心抽头绕组的整流管)。

2.开关电源中的续流二极管:

场景:在Buck(降压)、Boost(升压)、Buck-Boost(升降压)等DC-DC转换器拓扑中,以及反激式开关电源中。

作用:当控制开关管(MOSFET)关断时,电感中存储的能量需要维持电流流动。肖特基二极管为这个电流提供了一条低损耗的续流通路,将电感能量释放到负载或输出电容。其快速的开关速度至关重要,能迅速导通以接管电流,并在开关管下次导通前快速关断,防止反向电流冲击开关管,提高转换效率并减少开关噪声。

连接:通常并联在电感(或变压器初级/次级)两端,阴极接在开关管漏极/集电极(或变压器同名端)与输出正极的连接点上。
4.输出正极的连接点上.png

3.防止电源反接保护:

场景:在电池供电设备、电源输入端口等,防止用户误将电源极性接反,导致电路板上的元器件损坏。

作用:利用二极管的单向导电性。当电源极性正确时(正极接二极管阳极,负极接阴极),二极管导通,为电路供电(会有约0.3V的压降)。当电源极性接反时(正极接阴极,负极接阳极),二极管截止,阻止电流流入电路板,从而保护后端电路。

连接:串联在电源输入的正极路径上(阳极接输入电源正极,阴极接电路板电源正极入口)。需注意压降带来的功耗和电压损失。

4.高频应用与检波:

场景:射频电路、高速数字电路中的信号箝位、小信号检波(如AM收音机)、高速逻辑门中的输入保护等。

作用:利用其极低的结电容(比普通PN结二极管小得多)和快速的开关特性,在高频信号下性能更好,信号失真小。作为检波器时,其低开启电压特性有助于提高对小信号的灵敏度。

连接:根据具体电路功能设计,如并联在信号线与地之间进行箝位,或串联在信号路径中进行整流/检波。
5.整流、检波.png

5.逻辑门中的输入箝位:

场景:在TTL等逻辑电路中(虽然现代CMOS中较少见)。

作用:防止输入电压过低(低于地)或过高(超过电源电压+Vcc)损坏内部晶体管。利用肖特基二极管导通压降低(约0.3V)的特性,能更快、更有效地将输入电压箝位在安全范围内(-0.3V到Vcc+0.3V)。

连接:通常集成在芯片内部,一个二极管阳极接地、阴极接输入引脚;另一个二极管阴极接Vcc、阳极接输入引脚。

选型:选择肖特基二极管时,必须仔细考虑:

最大正向平均整流电流:确保能承受电路中的最大工作电流。

最大反向峰值电压:必须高于电路中可能出现的最大反向电压,并留有余量。

工作温度范围:高温性能是关键限制因素。

封装与散热:大电流应用必须考虑散热。

审核编辑 黄宇

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