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突变结变容二极管陶瓷封装 skyworksinc

数据：突变结变容二极管陶瓷封装数据手册

封装名称（mils）-203, 210, 219, 240

Vr 反向击穿电压 Ir = 10 μA （V）最小值30

Ct 总电容¹Vr=1 V （pF）典型值6.37

Ct 总电容¹Vr=4 V （pF）典型值4.1

Ct 总电容¹Vr=10 V （pF）典型值2.85

Ct 总电容¹Vr=30 V （pF）典型值1.77

总静电容量比 Ct=0 V / Ct=30 V 以上4.2

Rs 系列电阻最大 500 MHz （Ω）0.35

Q Vr=4 V @ 50 MHz 最小值2400

技术文档

数据手册（1）

突变结变容二极管陶瓷封装数据手册

元器件购买 突变结变容二极管陶瓷封装相关库存

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