电子封装-低温共烧陶瓷基板

低温共烧陶瓷基板制备工艺与高温共烧多层陶瓷基板类似，其区别是在Al2O3粉体中混入质量分数30%-50%的低熔点玻璃料，使烧结温度降低至850~900℃，因此可以采用导电率较好的金、银作为电极和布线材料。但另一方面，因为低温共烧陶瓷基板陶瓷料中含有玻璃相，其综合热导率仅为2~3W/（m·℃）。此外，由于低温共烧陶瓷基板采用丝网印刷技术制作金属线路，有可能因张网问题造成对位误差；而且多层陶瓷叠压烧结时还存在收缩比例差异问题，影响成品率。

这里需要注意的是，在实际生产中，为了提高低温共烧陶瓷基板导热性能，可在贴片区增加导热孔或导电孔，但缺点是会造成成本增加。同时为了拓展陶瓷基板的应用领域，一般采用多层叠压共烧工艺，可以制备出含腔体的多层结构（通常称为陶瓷管壳而非陶瓷基板），满足电子器件气密封装要求，广泛应用于航空航天等环境恶劣及光通信等可靠性要求较高的领域。lw