国产AMB陶瓷基板突破封锁：高端电子材料的逆袭之路

在功率电子领域，高性能陶瓷基板堪称“芯片的骨骼”，其性能直接决定了IGBT、SiC等功率器件的可靠性与寿命。近年来，随着新能源汽车、光伏、5G通信等产业的爆发，活性金属钎焊AMB陶瓷覆铜基板因其卓越的散热性、高结合强度和耐高温性能，成为行业关键材料,下面由深圳金瑞欣小编来为大家讲解一下：

AMB技术：陶瓷与金属的“强力胶”

传统DBC工艺通过高温熔铜直接键合陶瓷，但界面强度不足。而AMB技术通过在银铜钎料中添加钛（Ti）等活性元素，在真空高温下与陶瓷发生化学反应，形成高强度冶金结合。这种工艺使基板耐冷热冲击性能提升10倍以上，特别适合高功率、高温度变化的严苛环境。

核心突破点：

活性钎料：Ti元素含量和氧含量控制是关键，国产Ag-Cu-Ti钎料已实现氧含量＜150ppm，媲美国际水平。

陶瓷选择：氮化硅（Si?N?）因高强度、高导热成为主流，但成本较高；氧化铝（Al?O?）和氮化铝（AlN）也在特定场景应用。

国产化破局，打破海外垄断

长期以来，AMB陶瓷基板市场被罗杰斯（美）、贺利氏（德）、京瓷（日）等巨头垄断。近年来，国内企业如浙江亚通新材成功研发高性能Ag-Cu-Ti钎料，实现关键材料自主可控；中瓷电子等企业则推动AMB基板量产，逐步替代进口。

应用前景广阔：

新能源汽车：SiC模块需求激增，AMB基板成刚需。

5G基站：GaN射频器件依赖AMB基板高效散热。

智能电网：高压IGBT模块要求AMB的高耐压特性。

未来挑战与机遇

尽管国产AMB技术已取得突破，但仍面临成本高、Si?N?陶瓷依赖进口等挑战。未来，低温钎焊、纳米增强钎料等新技术有望进一步提升性能，助力国产高端电子材料在全球市场占据更大份额。

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