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电子发烧友网>今日头条>2019年,氮化镓(GaN)方案与技术掀起电源行业一波波“热潮”

2019年,氮化镓(GaN)方案与技术掀起电源行业一波波“热潮”

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氮化晶体管的并联设计技术手册免费下载

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2025-02-27 18:26:311103

氮化GaN)充电头安规问题及解决方案

什么是氮化GaN)充电头?氮化充电头是种采用氮化(GalliumNitride,GaN)半导体材料制造的新型电源适配器。相比传统硅基(Si)充电器,GaN材料凭借其物理特性显著提升了功率
2025-02-27 07:20:334530

氮化硼散热材料大幅度提升氮化快充效能

什么是氮化GaN)充电头?氮化充电头是种采用氮化(GalliumNitride,GaN)半导体材料制造的新型电源适配器。相比传统硅基(Si)充电器,GaN材料凭借其物理特性显著提升了功率
2025-02-26 04:26:491181

40W ACDC系列氮化电源模块 HLK-40Mxx系列

海凌科40WACDC系列氮化电源模块,具有全球输入电压范围、低温升、低功耗、高效率、高可靠性、高安全隔离等优点,转换效率高达91%,应用广泛,性价比高。、产品介绍40WACDC系列氮化电源
2025-02-24 12:02:321020

高频低损耗大电流电感 氮化电源方案设计理想之选

CSBA系列通过采用低损耗金属磁粉芯材料和优化的线圈结构,进步降低磁芯损耗和电阻损耗,从而提升氮化电源的整体效率。例如,在数据中心服务器电源中,低损耗电感可减少能源浪费,符合绿色节能的发展趋势。
2025-02-20 10:50:171008

混合式氮化VCSEL的研究

在混合式氮化 VCSEL 的研究,2010本研究团队优化制程达到室温连续波操作电激发氮化 VCSEL,此元件是以磊晶成长 AlN/GaN DBR 以及 InGaN MQW 发光层再搭配
2025-02-19 14:20:431084

芯片行业再迎投资热潮

2024,芯片行业进行了大量资本投资,以建设新的晶圆厂和设施,或扩建现有工厂。许多工厂专门用于生产碳化硅(SiC)、氮化GaN)、DRAM、HBM(高带宽存储器),以及OAST的封装和组装
2025-02-18 15:38:59732

垂直氮化器件的最新进展和可靠性挑战

过去两年中,氮化虽然发展迅速,但似乎已经遇到了瓶颈。与此同时,不少垂直氮化的初创企业倒闭或者卖盘,这引发大家对垂直氮化未来的担忧。为此,在本文中,我们先对氮化未来的发展进行分析,并讨论了垂直氮化器件开发的最新进展以及相关的可靠性挑战。
2025-02-17 14:27:362014

目前GaN正逐渐广泛应用的四个主要中电压领域

作用。 *附件:中电压氮化GaN)在四种应用领域的优势.pdf 背景 :随着技术发展,电力需求攀升,设计人员面临提升设计效率、在相同体积下提供更多电力的挑战。GaN 因具有增加功率密度和提升效率两大优势,在高电压电源设计中得到应用,新的中电压(80V - 200V)GaN 解决方案也逐渐受到欢迎
2025-02-14 14:12:441222

GAN039-650NBB氮化(GaN)FET规格书

电子发烧友网站提供《GAN039-650NBB氮化(GaN)FET规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-13 16:10:220

Nexperia共源共栅氮化(GaN)场效应晶体管的高级SPICE模型

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2025-02-13 15:23:257

GAN041-650WSB氮化(GaN)FET规格书

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2025-02-13 14:24:192

GANE3R9-150QBA氮化(GaN)FET规格书

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2025-02-12 08:30:510

GaN技术:颠覆传统硅基,引领科技新纪元

在开关模式电源中使用 GaN 开关是种相对较新的技术。这种技术有望提供更高效率、更高功率密度的电源。本文讨论了该技术的准备情况,提到了所面临的挑战,并展望了 GaN 作为硅的替代方案在开关模式电源
2025-02-11 13:44:551177

闻泰科技深耕氮化推动产业升级

随着人工智能、数据中心、汽车电子等应用领域的快速发展,第三代半导体——氮化GaN)正迎来前所未有的发展机遇。闻泰科技已布局GaN领域多年,凭借卓越的创新能力不断推动产业链发展,创造新的价值增量。
2025-02-10 17:15:041127

GANB4R8-040CBA双向氮化(GaN)FET规格书

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2025-02-10 16:22:371

氮化电源芯片方案介绍

氮化电源芯片U8621是款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM电源管理芯片,内置1.9Ω/630V的超结硅功率MOS。U8621具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少
2025-02-07 16:01:021105

深圳银联宝科技氮化芯片2025持续发力

深圳银联宝科技氮化芯片2025持续发力氮化芯片YLB银联宝/YINLIANBAO无线通信领域,设备往往需要在有限的空间内实现强大的信号传输功能,氮化芯片就能凭借这特性,满足其功率需求的同时
2025-02-07 15:40:21919

纳微半导体氮化和碳化硅技术进入戴尔供应链

近日,GaNFast氮化功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)今日宣布其氮化和碳化硅技术进入戴尔供应链,为戴尔AI笔记本打造功率从60W至360W的电脑适配器。
2025-02-07 13:35:081232

为什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化器件
2025-01-23 16:27:431780

测量探头的 “温漂” 问题,都是怎么产生的,以及对于氮化衬底厚度测量的影响

在半导体产业这片高精尖的领域中,氮化GaN)衬底作为新代芯片制造的核心支撑材料,正驱动着光电器件、功率器件等诸多领域迈向新的高峰。然而,氮化衬底厚度测量的精准度却时刻面临着个来自暗处的挑战
2025-01-22 09:43:37449

测量探头的 “温漂” 问题,对于氮化衬底厚度测量的实际影响

在半导体制造这微观且精密的领域里,氮化GaN)衬底作为高端芯片的关键基石,正支撑着光电器件、功率器件等众多前沿应用蓬勃发展。然而,氮化衬底厚度测量的准确性却常常受到个隐匿 “敌手” 的威胁
2025-01-20 09:36:50404

不同的氮化衬底的吸附方案,对测量氮化衬底 BOW/WARP 的影响

在当今高速发展的半导体产业浪潮中,氮化GaN)衬底宛如颗耀眼的新星,凭借其卓越的电学与光学性能,在众多高端芯片制造领域,尤其是光电器件、功率器件等方向,开拓出广阔的应用天地。然而,要想充分发挥
2025-01-17 09:27:36420

氮化衬底的环吸方案相比其他吸附方案,对于测量氮化衬底 BOW/WARP 的影响

在半导体领域的璀璨星河中,氮化GaN)衬底正凭借其优异的性能,如高电子迁移率、宽禁带等特性,在光电器件、功率器件等诸多应用场景中崭露头角,成为推动行业发展的关键力量。而对于氮化衬底而言,其
2025-01-16 14:33:34366

垂直与横向GaN功率器件单片集成的高效隔离技术

垂直和横向氮化(GaN)器件的集成可以成为功率电子学领域的次革命性进展。这种集成能够使驱动和控制横向GaN器件与垂直功率器件紧密相邻。在本文中,我们将总结种解决横向和垂直器件隔离问题的方法
2025-01-16 10:55:521228

氮化充电器和普通充电器有啥区别?

相信最近关心手机行业的朋友们都有注意到“氮化GaN)”,这个名词在近期出现比较频繁。特别是随着小米发布旗下首款65W氮化快充充电器之后,“氮化”这名词就开始广泛出现在了大众的视野中。那么
2025-01-15 16:41:14

氮化电源芯片和同步整流芯片介绍

氮化电源芯片和同步整流芯片在电源系统中犹如对默契的搭档,通过紧密配合,显著提升电源效率。在开关电源的工作过程中,氮化电源芯片凭借其快速的开关速度和高频率的开关能力,能够迅速地切换电路状态,实现
2025-01-15 16:08:501733

2025功率半导体行业:五大关键趋势洞察

趋势:碳化硅(SiC)与氮化GaN)大放异彩 在功率半导体领域,碳化硅(SiC)和氮化GaN)宛如两颗冉冉升起的新星,正以迅猛之势改变着行业格局。 与传统的硅基半导体相比,SiC
2025-01-08 16:32:155035

英诺赛科登陆港交所,氮化功率半导体领域明星企业闪耀登场

近日,全球氮化(GaN)功率半导体领域的佼佼者英诺赛科(2577.HK)成功登陆港交所主板,为港股市场增添了枚稀缺且优质的投资标的。 英诺赛科作为全球首家实现量产8英吋硅基氮化晶圆的公司,其在
2025-01-06 11:29:141123

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