美高森美公司(MicrosemiCorporation) 宣布扩展其RF功率产品线，推出了DRF1400功率MOSFET。
2012-06-05 15:02:24
1616 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 近日推出具有超低导通电阻 （RDS（on）） 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，适合各种工业应用，包括电
2012-12-04 22:17:341675 东芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO:6502）今天宣布将推出采用DIP8封装的IC耦合器，可直接驱动中等容量的IGBT或功率MOSFET。
2013-01-11 09:39:451596 联大控股宣布，其旗下诠鼎推出基于东芝（TOSHIBA）的车载以太网桥接解决方案。
2019-04-17 11:18:092260 器件可在+125 °C高温下工作，经过500小时85 °C/相对湿度85 %条件下温湿度偏压测试。
2021-11-15 11:12:251431 
东芝推出采用薄型SO6L封装的两款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。
2021-11-30 15:24:191919 
东芝将进一步扩大其MOSFET产品线，通过减少损耗提高设备电源效率，进而帮助其降低功耗。
2022-03-31 11:13:271633 
中国上海， 2023 年 2 月 3 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出采用新型L-TOGL™（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET
2023-02-06 10:01:471486 
中国上海， 2023 年 2 月 28 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出车载直流无刷电机栅极驱动IC[1]---“TB9083FTG”，该IC适用于电动转向助力
2023-02-28 14:17:30918 
中国上海， 2023 年 6 月 13 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品
2023-06-13 16:38:501327 
X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路[1]等应用。该产品于今日开始支持批量出货。 TPH3R10AQM具有业界领先的[2]3.1mΩ最大漏极-源极导通电阻，比东芝目前100V产品“
2023-07-03 14:48:141126 
电压，可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上第一款击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为
2024-03-14 11:07:581205 
。尤其在高压工作环境下，依然体现优异的电气特性，其高温工作特性，大大提高了高温稳定性，也大幅度提高电气设备的整体效率。 产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。 1200V碳化硅MOSFET系列选型
2020-09-24 16:23:17
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范，具体而言，低压MOSFET必须耐受高温和高尖峰电流。
2019-08-09 07:28:08
支持以相当于240fps录制高速高清视频东京—东芝公司（TOKYO：6502）推出一款800万像素的BSI [1] CMOS图像传感器“T4KA3”,该传感器使智能手机和平板电脑能够以业界最高的[2]帧率，即相当于240帧/秒（fps），录制高清（HD）视频。样品出货即日启动。
2020-04-27 06:44:29
东芝推出了TZ1041MBG，希望满足市场对能够支持多个外部传感器的物联网设备日益增长的需求，其提供一个利用蓝牙的扩展集线器功能的多功能通信环境。
2020-05-18 06:20:47
的情况下，功率因数值大于0.8-0.9,LED输出电流精度为+/-5%. LED照明设备具有功耗低、寿命长等特点，正在取代白炽灯。东芝正在开发可控制大功率LED,支持调光和高PF,并且输出电流精度
2018-09-26 16:05:07
东芝推出的三相无刷电机控制预驱IC“TC78B027FTG”的特性是什么
2021-07-09 08:00:42
之前拍摄的照片就要作废。不过等到东芝研发的全新相机模块推出之后，我们就能在拍照完毕后，直接在照片上调整焦点了。http://www.hds668.com东芝研发全新相机模块可在拍摄后直接调整照片焦点
2012-12-31 09:17:23
日本电子产品制造企业东芝(Toshiba Corp.)周五公布，将在年底前推出使用谷歌(Google Inc.)Android操作系统的平板电脑，因东芝希望在苹果(Apple Inc.)iPad引领
2011-03-03 16:36:39
中国上海，2023年2月28日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出车载直流无刷电机栅极驱动IC ^[1]^ ---“TB9083FTG”，该IC适用于电动转向助力系统（EPS
2023-02-28 14:11:51
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何计算 同步整流器的功耗如何计算
2021-03-11 07:32:50
），那么，对于耐压100V功率MOSFET管，工作在105V是否安全，110V是否安全？如果加上110V电压不会损坏，那么，安全原则是什么呢？
从设计角度，要求在最极端条件下，设计参数有一定余量，保持系
2025-11-19 06:35:56
`功率Mosfet参数介绍V(BR)DSS（有时候叫做BVDSS）是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
半导体相比，损耗更低，高温环境条件下工作特性优异，有望成为新一代低损耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。SiC半导体已经开始实际应用，并且还应用在对品质可靠性要求很严苛的车载设备上。提起SiC，可能在
2018-11-29 14:39:47
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 编辑
因能源效率标准和最终系统要求的推动，在不影响功率密度的高能的情况下，能缩减应用电源的外形尺寸且有效解决方案是当下电源设计人
2012-04-28 10:21:32
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【关键词】：功率损耗,导通电
2010-05-06 08:55:20
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
RF 功率 MOSFET的最大应用是无线通讯中的RF功率放大器。直到上世纪90年代中期，RF功率MOSFET还都是使用硅双极型晶体管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出现改变了这一
2019-07-08 08:28:02
家公司已经建立了SiC技术作为其功率器件生产的基础。此外，几家领先的功率模块和功率逆变器制造商已为其未来基于SiC的产品的路线图奠定了基础。碳化硅（SiC）MOSFET即将取代硅功率开关;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
说明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常见的结构。Si的功率MOSFET，因其高耐压且可降低导通电阻，近年来超级结（Super Junction）结构的MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
` 本帖最后由 CHIPSPOWER-Anne 于 2016-10-25 10:26 编辑
东芝新推出了一款步进电机驱动芯片，TB67S109AFNAG。各位做机器人的朋友可以考虑测试下试试
2016-10-25 10:13:51
MOSFET不能完全开通，系统不能正常工作。另一方面，温度越高，VTH的电压就会越低，功率MOSFET在高负载或高温环境下VTH的电压就会降低，在感应VGS尖峰电压的作用下，就增加了栅极误触发的可能性，导致
2019-08-08 21:40:31
某一个30A单相的设计实例，进一步阐明这些概念。 计算MOSFET的耗散功率 为了确定一个MOSFET是否适合于某特定应用，你必须计算一下其功率耗散，它主要包含阻性和开关损耗两部分
2021-01-11 16:14:25
使用功率 MOSFET 也有两年多时间了，这方面的技术文章看了不少，但实际应用选型方面的文章不是很多。在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率 MOSFET 的选型
2019-11-17 08:00:00
导读：近日，德州仪器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封装的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 输入电压，进一步壮大了 TI 普及型 NexFET 产品
2018-11-29 17:13:53
最大的连续漏极电流ID的计算公式： 其中，RDS(ON)_TJ(max)为在最大工作结温TJ下，功率MOSFET的导通电阻；通常，硅片允许的最大工作结温为150℃。热阻RqJC的测量可以参见文章：功率
2016-08-15 14:31:59
请问：驱动功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
功率MOSFET并联均流问题研究
对频率为MHz级情况下功率MOSFET并联均流问题进行了研究，详细分析了影响功率MOSFET并联均流诸因素。通过Q轨迹把器件参
2009-06-30 13:38:074092 
Vishay推出的P沟道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP沟道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAKSC-70封装，具
2009-11-25 17:56:521012 TI推出显著降低上表面热阻的功率MOSFET
日前，德州仪器 (TI) 宣布面向高电流 DC/DC 应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。相对其它标准
2010-01-14 09:01:43942 德州仪器推出面向高电流DC/DC应用的功率MOSFET，可以显著降低上表面热阻
采用创新封装手段的DualCool NexFET功率 MOSFET在标准封装尺寸下将散热效率提升80%、允许电流提高5
2010-01-15 08:39:051039 TI推出具备板载功率MOSFET的全集成型双路功率驱动器
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款具备集成型功率 MOSFET、保护模块以及监控特性的数字双路同步降压功率驱动器，
2010-02-23 09:26:571007 CISSOID引入了新系列P通道高温功率MOSFET晶体管
CISSOID，在高温半导体解决方案的领导者，介绍了 VENUS，他们的新系列高温 30V 的 P通道功率 MOSFET 晶体管保证操
2010-02-23 10:42:591969 英飞凌推出可扩展的全套高温8位MCU系列
在纽必堡举行的2010年嵌入式技术展会上，英飞凌科技股份公司宣布推出可扩展的全套高温8位微控制器(MCU)系列。该系列可在高
2010-03-10 10:56:54866 IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391734 Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，这些功率MOSFET改善效率和具有快速开关速度，应用工作电压高达650V, 电流20A。新的TK系列器件适合用于各
2010-03-30 10:37:181779 车载功放的额定功率 额定功率是车载功放在不产生失真的情况下，能够持续稳定工作的功率。只有这
2010-01-04 11:03:552044 英飞凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽车封装类型的合格100%无铅功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451485 东芝光耦 IGBT/MOSFET，List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (IGBT / MOSFET)
2012-03-16 13:43:011353 
东芝光耦 MOSFET Output，Photorelays (MOSFET Output)
2012-03-16 13:44:59769 
新近，东芝公司（Toshiba Corporation）推出新款单通道单刀双掷（SPDT）总线开关IC，支持PCI Express Gen3 （8Gbps），可在-3dB时实现11.5GHz的宽广带宽。
2013-04-01 11:11:341221 东京—东芝公司（TOKYO：6502）今天宣布推出采用低高度SO6L封装的轨对轨输出栅极驱动光电耦合器，用于直接驱动中低等功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）及功率金属氧化物半导体场效应晶体管（power MOSFET）。
2014-10-08 18:19:061788 东京—东芝公司（TOKYO：6502）旗下半导体&存储产品公司今天宣布，推出单通道高边N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）栅极驱动器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:362105 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231789 东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET，新器件进一步提高电源效率。在这个连小学生做作业都讲求高效率的年代，还有什么是高效率不能解决的呢？
2018-09-13 15:54:155921 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出车载直流无刷电机（BLDC电机）无传感器预驱动器IC“TB9062FNG”，该IC适用于车载电动泵等汽车应用。样品现已上市，批量生产定于今年12月开始。
2019-03-30 11:08:202301 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出车载直流无刷电机（BLDC电机）无传感器预驱动器IC“TB9062FNG”，该IC适用于车载电动泵等汽车应用。样品现已上市，批量生产定于今年12月开始。
2019-05-16 16:00:492902 新产品是东芝首款采用紧凑型SOP Advance（WF）封装的车用100V N沟道功率MOSFET。封装采用可焊锡侧翼端子结构，安装在电路板上时能够进行自动目视检查，从而有助于提高可靠性。
2019-12-26 09:26:463654 各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID近日宣布，将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战，并推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM）平台。
2020-03-07 09:31:301412 中国上海，2020年5月14日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出栅驱动器开关IPD“TPD7107F”。该产品可用于控制接线盒和车身控制模块等车载控制单元（ECU）的供电电流的通断，并计划于今日开始出货。
2020-05-14 17:12:572994 %的情况下饱和电流高达420 A。Vishay Dale IHXL-1500VZ-51适用于再生能源、工业和通信应用，DCR典型值非常低，仅为0.12 mW，可在+155 ℃ 高温下连续工作。
2021-01-15 17:23:572386 东芝电子元件及存储装置株式会社（东芝）宣布，在其TOLL（TO-无引线）封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231813 
的能力主要通过实践培养起来的。 近日，东芝针对汽车应用推出了XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC三款100V N沟道功率MOSFET产品，进一步扩充了产品线。这些产品符合AEC-Q101标准，应用于汽车设计中，有助于缩小汽车设备体积，满足当前市
2021-10-25 14:16:292312 
的能力主要通过实践培养起来的。 新品 近日，东芝针对汽车应用推出了XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC三款100V N沟道功率MOSFET产品，进一步扩充了产品线。这些产品符合AEC-Q101标准，应用于汽车设计中，有助于缩小汽车设备体积，满足当
2021-11-26 15:22:502814 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已经推出面向20V电源线路的“TCK421G”，这是其“TCK42xG系列”MOSFET栅极驱动集成电路(IC)的首款产品。该系列的器件基于输入电压专用于控制外部N沟道MOSFET的栅极电压，并具备过压自锁功能。批量出货即日起开始。
2022-02-12 09:18:512151 东芝拓展650V超结结构N沟道功率MOSFET新品 景嘉微发布JH920 东芝拓展新一代超级结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的产品线 东芝电子元件及存储装置株式会社 （“东芝
2022-03-18 17:35:265831 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。
2022-04-01 16:42:3612278 如今，市场对于高效率电源的需求日益增涨，在此背景下，东芝拓展了新一代650V超结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”，推出TK090E65Z、TK090E65Z、TK110E65Z
2022-04-26 14:11:292040 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）为其TCK42xG系列MOSFET 栅极驱动器IC 的产品阵容增加面向可穿戴设备等移动设备的五款新品。该系列的新产品配备了过压锁定功能，并根据输入电压控制外部MOSFET的栅极电压。
2022-06-09 10:00:302567 
随着科技的不断革新发展，MOSFET产品也经过技术的迭代升级有了更加优越的表现。但如何提升器件性能的同时进一步降低器件的自身损耗依旧是亟待解决的问题。为此东芝半导体拓展了MOSFET产品线，推出
2022-08-26 11:01:071847 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布扩大其智能栅极驱动光耦产品线，推出一款输出电流为2.5A的智能栅极驱动光耦---“TLP5222”。这是一种可为MOSFET或IGBT等功率器件提供过流保护的隔离栅极驱动IC，内置保护操作自动恢复的功能。该产品于今日开始出货。
2022-08-31 17:58:552258 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，现已开始出货。
2022-09-01 15:37:531079 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出采用新型L-TOGLTM（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB
2023-02-04 18:31:453724 线性模式下的功率 MOSFET-AN50006
2023-02-09 21:42:07
12 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。
2023-03-31 10:05:322107 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。
2023-06-16 09:03:30802 
摘要：碳化硅（SiC）由于其优异的电学及热学特性而成为一种很有发展前途的宽禁带半导体材料。SiC材料制作的功率MOSFET很适合在大功率领域中使用，高温栅氧的可靠性是大功率MOSFET中最应注意
2023-04-04 10:12:343040 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。
2023-08-22 11:03:211439 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGL（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品已于8月17日开始支持批量出货。
2023-08-24 11:19:101596 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。
2023-09-07 09:59:322086 
MOSFET也已经发展到了第3代，新推出的650V和1200V电压产品现已量产。其栅极驱动电路设计简单，可靠性得到进一步的提高。 碳化硅MOSFET的优势 相同功率等级的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，
2023-10-17 23:10:021787 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空调、空气净化器和泵等直流无刷电机驱动应用。
2023-10-27 11:05:541530 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。
2023-11-09 17:39:101320 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:412195 
东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称“东芝”）近日宣布，其最新研发的DTMOSVI系列高速二极管型功率MOSFET已正式推出。该系列产品特别适用于数据中心和光伏功率调节器等关键应用的开关电源，展现了东芝在功率半导体领域的深厚实力与持续创新。
2024-03-12 10:27:361310 东芝近日发布了两款专为车载环境设计的N沟道功率MOSFET产品——“XPQR8308QB”（80V）和“XPQ1R00AQB”（100V），均采用了其前沿的L-TOGL™封装技术。这两款新品不仅集成了东芝最新一代的U-MOS X-H工艺，使得导通电阻达到极低水平，极大提升了能效。
2024-05-08 14:35:421114 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，最新推出一款输出耐压为900 V（最小值）的车载光继电器[1]——TLX9150M，采用小型SO12L-T封装，非常适合400 V车载电池应用。现已开始批量供货。
2024-11-12 11:52:231087 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，最新开发出一款用于车载牵引逆变器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其创新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。X5M007E120现已开始提供测试样品，供客户评估。
2024-11-21 18:10:251354 
近年来，随着汽车电子化的快速发展和电动汽车销量的持续攀升，车载MOSFET市场增长迅速。在功率半导体技术不断进步的推动下，车载MOSFET性能持续提升，器件的功率密度和可靠性越来越高，功耗也越来越低，为电动汽车的发展提供了强大动力。
2024-12-02 09:57:141396 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出东芝首批面向车载应用的4通道高速标准数字隔离器产品线——“DCM34xx01系列”。新系列包含10款器件，具有100 kV/μs（典型值）[1
2025-02-27 17:38:151051 
东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)近日在其位于日本西部兵库县姬路半导体工厂的车载功率半导体后道生产新厂房举办了竣工庆祝仪式。新厂房的产能将比2022财年的水平增加一倍以上，并将于2025财年上半年开始全面生产。
2025-03-13 18:08:161279 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C
2025-05-22 14:51:22901 
随着汽车电子化、智能化进程不断加速，车载系统对元器件的可靠性、小型化及热管理能力提出了前所未有的严苛要求。在此背景下，东芝推出DFN2020B（WF）封装，在2.0mm×2.0mm的小型体积下，实现了1.84W的高耗散功率，为车载功率器件提供了高密度集成与热性能优化的双重解决方案。
2025-06-16 17:50:31901 
。同时，东芝还研发了半超结[4]肖特基势垒二极管(SJ-SBD)，有效解决了高温下导通电阻增大的问题。这两项技术突破有望显著提升功率转换器件的可靠性与效率，尤其在电动汽车和可再生能源系统等领域。
2025-06-20 14:18:50957 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出一款车载光继电器[1]“TLX9165T”，其采用10引脚SO16L-T封装，支持输出耐压1800V（最小值）的高压车载电池。该产品于今日开始支持批量出货。
2025-07-18 14:14:231039 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出一款采用小型SO12L-T封装的车载光继电器[1]“TLX9161T”，该产品输出耐压可达1500V（最小值），可满足高压车载电池应用所需。新产品于今日开始支持批量出货。
2025-08-29 18:08:331236 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款产品配备其最新[1
2025-09-01 16:33:492082 
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