东芝推出了两款面向车载电气系统应用的新型MOSFET

中国上海，2019年12月25日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”-其漏极电流为70A，以及“XPH6R30ANB”-其漏极电流为45A。批量生产和出货计划于今天开始。

MOSFET产品图

新产品是东芝首款采用紧凑型SOP Advance（WF）封装的车用100V N沟道功率MOSFET。封装采用可焊锡侧翼端子结构，安装在电路板上时能够进行自动目视检查，从而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低导通电阻有利于降低设备功耗；XPH4R10ANB拥有业界领先的[2]低导通电阻。

应用：

汽车设备

电源装置（DC-DC转换器）和LED头灯等（电机驱动、开关稳压器和负载开关）

特性：

东芝的首款[1]100V车用产品使用小型表面贴装SOP Advance（WF）封装

通过AEC-Q101认证

低导通电阻：

RDS(ON)=4.1mΩ（最大值）@VGS=10V（XPH4R10ANB）

RDS(ON)=6.3mΩ（最大值）@VGS=10V（XPH6R30ANB）

采用可焊锡侧翼端子结构的SOP Advance（WF）封装

主要规格：

（除非另有说明，@Ta=25°C）

器件型号

XPH4R10ANB

XPH6R30ANB

极性

N沟道

绝对最大额定值

漏源极电压

VDSS

（V）

100

漏极电流

（DC）

ID

（A）

70

45

漏极电流

（脉冲）

IDP

（A）

210

135

沟道温度

Tch

（℃）

175

漏源极导通电阻

RDS(ON)最大值

（mΩ）

@VGS=6V

6.2

9.5

@VGS=10V

4.1

6.3

沟道至外壳热阻

Zth(ch-c)

最大值

@Tc=25℃

（℃/W）

0.88

1.13

封装

SOP Advance（WF）

产品系列

U-MOSVIII-H

U-MOSVIII-H