电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>电源/新能源>东芝推出用于IGBT/MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦

东芝推出用于IGBT/MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐

东芝推出五款新型MOSFET栅极驱动IC,助力移动电子设备小型化

中国上海,2022年6月7日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,在其TCK42xG系列MOSFET栅极驱动IC产品中新增五款适用于可穿戴设备等移动电子设备的产品。该系列的新产品
2022-06-07 13:49:202650

德州仪器(TI)推出面向IGBTMOSFET的隔离式栅极驱动

日前,德州仪器 (TI) 宣布推出一款面向绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与MOSFET的隔离式栅极驱动器,其速度比同等光学栅极驱动器快40%。
2012-10-11 14:04:331610

东芝新颖IGBT/MOSFET驱动光电耦合器

东芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布将推出采用DIP8封装的IC耦合器,可直接驱动中等容量的IGBT或功率MOSFET
2013-01-11 09:39:451311

有刷电机驱动芯片的电流输出特性,如何增强驱动峰值电流

本文会着重介绍TI集成MOSFET的有刷电机驱动芯片的电流输出级特性,以及如何增强驱动峰值电流
2023-07-04 10:21:231844

东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低开关损耗的4引脚封装

出货。 新产品是 东芝碳化硅MOSFET产品线中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品 ,其封装支持栅极驱动信号
2023-09-04 15:13:401134

4.5至18V低侧MOSFET驱动器评估板MIC4414YFT EV

MIC4414YFT EV,MIC4414评估板是一款低侧MOSFET驱动器,设计用于在低侧开关应用中切换N沟道增强MOSFET。 MIC4414是一款非反相驱动器。该驱动器具有短延迟和高峰值电流
2020-04-16 10:14:10

8输出增强隔离IGBT驱动反激电源参考设计包括BOM及层图

描述此参考设计在单个 24 伏直流输入电源中提供绝缘闸极双极晶体管 (IGBT) 栅极驱动器所需的加强版隔离式正负电压轨。此参考设计采用反激式隔离控制拓扑,提供符合 IEC61800-5 标准
2018-09-25 10:21:35

IGBT

是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N
2012-07-25 09:49:08

IGBT驱动TLP250功率驱动模块在IRF840 MOSFET中的应用

隔离措施,以提高系统抗干扰措施,可采用带光电隔离的MOSFET驱动芯片TLP250。光TLP250是一种可直接驱动小功率MOSFETIGBT的功率,由日本东芝公司生产,其最大驱动能力达1.5A
2012-06-14 20:30:08

IGBT驱动和过流保护电路的研究

电源的功耗,门极正反向偏置电压之差为△Vge,工作频率为f,栅极电容为Cge,则电源的最少峰值电流为:  驱动电源的平均功率为:  2 IGBT的过流保护  IGBT的过流保护就是当上、下桥臂直通
2012-07-18 14:54:31

MOSFETIGBT 栅极驱动器电路的基本原理

MOSFETIGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30:22

MOSFETIGBT的区别

VCE的 dv/dt造成的电流注到栅极驱动回路中的风险,避免使器件重新偏置为传导状态,从而导致多个产生Eoff的开关动作。ZVS和ZCS拓扑在降低MOSFETIGBT的关断损耗方面很有优势。不过
2018-08-27 20:50:45

MOSFETIGBT的本质区别

性能。正确的栅极驱动顺序可使IGBT栅极信号在第二个集电极电流过零点以前不被清除,从而显著降低IGBT ZCS Eoff 。MOSFET的Eoff能耗是其米勒电容Crss、栅极驱动速度、栅极驱动关断源
2021-06-16 09:21:55

MOSFETIGBT的本质区别在哪里?

IGBT组合封装在一起。  除了选择正确的二极管外,设计人员还能够通过调节栅极驱动导通源阻抗来控制Eon损耗。降低驱动源阻抗将提高IGBTMOSFET的导通di/dt及减小Eon损耗。Eon损耗和EMI
2020-06-28 15:16:35

东芝新款车载直流无刷电机栅极驱动IC有助于提升车辆电气元件的安全性

中国上海,2023年2月28日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布推出车载直流无刷电机栅极驱动IC ^[1]^ ---“TB9083FTG”,该IC适用于电动转向助力系统(EPS
2023-02-28 14:11:51

封装寄生电感对MOSFET性能的影响

。 特别是,封装源极寄生电感是是器件控制的关键因素。在本文中,英飞凌提出了一种用于快速开关超结MOSFET的最新推出的TO247 4引脚器件封装解决方案。这个解决方案将源极连接分为两个电流路径;一个用于
2018-10-08 15:19:33

栅极驱动器是什么

IGBT/功率MOSFET是一种电压控制器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24

栅极驱动器是什么,为何需要栅极驱动器?

摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为
2021-07-09 07:00:00

用于 IGBT 驱动器的隔离 Octa 输出 Fly-Buck 偏置电源

`描述PMP10531.1 参考设计是一个 8 输出隔离式 Fly-Buck 电源,用于电机驱动或高电压逆变器应用中的 IGBT 栅极驱动器。接受 24V 额定输入,提供 4 组隔离式(+15V
2015-04-28 15:53:29

用于PFC的碳化硅MOSFET介绍

MOSFET中的开关损耗为0.6 mJ。这大约是IGBT测量的2.5 mJ的四分之一。在每种情况下,均在 800 V、漏极/拉电流 10 A、环境温度 150 °C 和最佳栅极-发射极阈值电压下进行测试(图
2023-02-22 16:34:53

用于三相逆变器的IGBT栅极驱动隔离电源包括BOM及层图

描述此参考设计在单个 24 伏直流输入电源中提供绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) 栅极驱动器所需的隔离式正负电压轨。此参考设计采用 Fly-Buck&trade(...)主要特色• 隔离
2018-09-06 09:07:35

用于三相逆变器的宽输入隔离 IGBT 栅极驱动 Fly-Buck 电源

的电压轨。特性• 隔离电源,输入范围为 24V±20%,支持用于三相逆变器(每个臂为半桥配置)的 6 个 IGBT 栅极驱动器• 低波纹 (<200mV) 偏置输出(+15V 和 -8V
2015-03-23 14:53:06

用于住宅逆变器的集成栅极驱动器高度集成解决方案

描述 PMP9455 参考设计为 800VA 至 3kVA iPure 正弦波低频逆变器提供了高度集成的栅极驱动器解决方案。该设计具有独特的高峰值电流驱动能力,同时集成了具有外部可编程增益和滤波
2018-11-30 15:52:43

用于住宅逆变器的高度集成栅极驱动器解决方案

:带有 3A 峰值电流驱动功能的全桥 MOSFET 驱动器集成的超快 100V 自举二极管支持额定值最高 5KVA 的逆变器两个高侧电流感应放大器带有外部可编程增益和缓冲输出,可用于测量电池充电和放电
2022-09-22 06:37:42

用于电机驱动的8输出隔离Fly-Buck偏置电源包括BOM及原理图

描述PMP10531 参考设计是一个 8 输出隔离式 Fly-Buck 电源,用于电机驱动或高电压逆变器应用中的 IGBT 栅极驱动器。接受 24V 额定输入,提供 4 组隔离式(+15V、-8V
2018-09-12 08:50:56

EV和充电桩:IGBTMOSFET工程选型9个异同点

MOSFET有9大异同点,我们一起来看看。 01 IGBTMOSFET的分类与异同点 IGBT全称是绝缘栅极功率管,是由双极三极管 (BJT) 和MOSFET组成的复合全控电压驱动式半导体
2022-06-28 10:26:31

FOD3150 安森美ON 高抗噪能力 1.0A输出电流 栅极驱动光电耦合器 工业电源 UPS方案

FOD3150是一个1.0A的输出电流栅极驱动光电耦合器,可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。 它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT
2022-03-05 09:58:18

IR推出正弦和梯形电机控制坚固单相高压IC系列

独立高侧和低侧参考输出通道。该输出驱动器有一个高脉冲电流缓冲级,适用于最小的驱动器跨导,同时浮动通道可以用来驱动工作在高达600V高侧配置的N沟道功率MOSFETIGBT。这些器件可为两种通道提供
2008-11-13 20:40:15

IRS26302DJBPF高速功率MOSFETIGBT驱动器相关资料分享

MOS栅极驱动能力及最高600V工作电压下,可提供200mA/300mA的驱动电流。它有三个互相独立的高边和低边输出通路以及全保护功能。此外还有一个用于PFC 或 Brake IGBT驱动的低边驱动
2021-05-18 07:25:34

MOSFE和IGBT的本质区别

二极管要缓慢。因此,对于硬开关MOSFET应用而言,体二极管常常是决定SMPS工作频率的限制因素。一般来说,IGBT组合封装二极管的选择要与其应用匹配,具有较低正向传导损耗的较慢超快二极管与较慢的低
2018-09-28 14:14:34

ON安森美高功率应用TO247封装IGBT单管

的功率MOSFET,从而形成垂直的PNP双极结晶体管。该附加的p+区域产生PNP双极结晶体管与表面n沟道MOSFET的级联连接。  IGBTMOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和
2020-07-07 08:40:25

STGAP2HD和STGAP2SICD电流隔离4A双通道栅极驱动

用于IGBT的STGAP2HD和用于SiC MOSFET的STGAP2SICD,采用意法半导体新型6kV电流隔离技术,以及SO-36W宽体封装。瞬态抗扰度为±100V/ns,可防止电噪音工作条件
2023-09-05 06:59:59

TLP352 原装东芝2.5A IGBT栅极驱动 低成本代替TLP350 TLP250

详细说明:TLP352是可直接驱动中等容量IGBT或者功率MOSFET的DIP8封装的IC耦合器。该产品的延迟时间为200 ns,光电耦合器之间的传输延迟时间差(PDD*) 为90 ns(上述
2019-09-20 09:03:36

Vishay 2.5A输出电流IGBTMOSFET驱动

额定功率更高的IGBT,VO3120可用于驱动离散功率级,以驱动IGBT栅极。推荐产品:VO3120-X007T;VO3120Vishay其它相关产品请 点击此处 了解特征:最小峰值输出电流
2019-10-30 15:23:17

栅极驱动27515的应用】 24V 4A 拉、灌电流 单通道驱动

• -40oC 到 125oC 的工作温度范围 SL27517 是单通道 4A 的高速低侧栅极驱动器,可以高效安全地驱动 MOSFETIGBT 以及新兴的宽带隙功率器件。低传播延迟以及紧凑
2022-07-26 10:21:31

【技术】MOSFETIGBT区别?

Eoff。ZCS拓扑可以提升最大的IGBT Eoff性能。正确的栅极驱动顺序可使IGBT栅极信号在第二个集电极电流过零点以前不被清除,从而显著降低IGBT ZCS Eoff 。MOSFET的 Eoff
2017-04-15 15:48:51

一文解读mosfetigbt的区别

如图2所示。IGBT通过两个脉冲进行开关转换来测量Eon。第一个脉冲将增大电感电流以达致所需的测试电流,然后第二个脉冲会测量测试电流在二极管上恢复的Eon损耗。在硬开关导通的情况下,栅极驱动电压和阻抗
2019-03-06 06:30:00

三相逆变器的宽输入隔离 IGBT 栅极驱动 Fly-Buck 电源

的电压轨。 特性• 隔离电源,输入范围为 24V±20%,支持用于三相逆变器(每个臂为半桥配置)的 6 个 IGBT 栅极驱动器• 低波纹 (<200mV) 偏置输出(+15V 和 -8V
2015-04-27 16:55:43

三相逆变器的隔离式IGBT栅极驱动器评估系统设计

描述TIDA-00195 参考设计包括一个 22kW 功率级以及 TI 全新的增强隔离式 IGBT 栅极驱动器 ISO5852S(适用于各种应用中的电机控制)。此设计可对三相逆变器(其中整合了额定
2018-12-27 11:41:40

先进的2.5A输出电流IGBT驱动光电耦合器FEBFOD8332

FEBFOD8332是FOD8332智能栅极驱动器光电耦合器的评估板,是一款先进的2.5A输出电流IGBT驱动光电耦合器,可提供必要的关键保护,以防止导致IGBT发生破坏性热失控的故障
2019-04-30 09:06:13

先进的2.5A输出电流IGBT驱动光电耦合器FEBFOD8333评估板

FEBFOD8333是FOD8333智能栅极驱动器光电耦合器的评估板,是一款先进的2.5A输出电流IGBT驱动光电耦合器,可提供必要的关键保护,以防止导致IGBT发生破坏性热失控的故障
2019-04-28 10:36:39

端的控制电流与功率管输出驱动电流之比

端的控制电流与功率管输出驱动电流之比是用什么指标表示,其最大值是多少?(潮光光网整理编辑)2012-07-10 潮光光网解答:全部栅极驱动光耦合器都没有CTR的放大特性。虽然所有栅极驱动
2012-07-11 11:40:09

具有 4 输出的隔离 IGBT驱动 Fly-Buck™ 电源

`描述TIDA-00174 参考设计是一款四路输出隔离式 Fly-Buck 电源,适合于 IGBT 栅极驱动器偏置。它产生两组(+16V、-9V)电压输出输出电流容量为 100mA。正/负偏置电压
2015-03-23 12:07:05

具有 4 输出的隔离 IGBT驱动 Fly-Buck™ 电源

`描述TIDA-00174 参考设计是一款四路输出隔离式 Fly-Buck 电源,适合于 IGBT 栅极驱动器偏置。它产生两组(+16V、-9V)电压输出输出电流容量为 100mA。正/负偏置电压
2015-04-27 16:13:02

具有 8 输出的增强隔离 IGBT驱动反激电源的参考设计

功率:每个 IGBT 为 2W,并可扩展为支持更高功率 IGBT输出电容器的额定值支持高达 6A 的峰值栅极驱动电流可以选择关闭电源以促进安全扭矩切断 (STO) 功能设计符合 IEC61800-5 标准`
2015-04-27 18:16:34

IGBT驱动器偏置的双路隔离输出Fly-Buck电源模块

器提供正负偏置电压。主要特色双路隔离式输出,+15V/-9V @ 200mA,4.8W 功率,单 IGBT 栅极驱动器的理想偏置电源小型电源模块设计,标准 DIP 封装+/-5% 交叉调节,87% 峰值
2018-12-21 15:06:17

可避免栅极电流回路机制的并联IGBT驱动

描述对于具有较高输出额定功率的电源转换设备而言,并联 IGBT 变得很有必要,因为在这类应用中,单个 IGBT 无法提供所需的负载电流。此 TI 设计采用一个增强隔离式 IGBT 栅极控制模块来
2018-12-07 14:05:13

四路输出隔离式IGBT栅极驱动Fly-Buck电源包括BOM及层图

描述TIDA-00174 参考设计是一款四路输出隔离式 Fly-Buck 电源,适合于 IGBT 栅极驱动器偏置。它产生两组(+16V、-9V)电压输出输出电流容量为 100mA。正/负偏置电压
2018-09-05 08:54:59

大家看下我的光驱动N P MOSFET电路正确吗

这是我设计的一个单片机驱动控制电机转停的电路,大家看下电路设计对吗?单片机在光驱动位拉高引脚,输出24V,fds9958是PMOSFET,fds9945是nMOSFET,fds9958 S
2018-04-24 13:09:52

如何使用电流源极驱动器BM60059FV-C驱动SiC MOSFETIGBT

使用驱动器 BM60059FV-C 驱动 1200V IGBT 时的设置。在每种情况下,都可以清楚地观察到恒定的栅极输出电流。  比较电流驱动器和电压源驱动器时感兴趣的区域是周期T2-T3,其中dv
2023-02-21 16:36:47

如何使用高速栅极驱动器IC驱动碳化硅MOSFET

SOIC 封装。IX6611特点IX6611具有以下特点:信号输入/输出与脉冲变压器兼容,可与电气隔离MCU通信10 A 峰值电流和灌电流栅极驱动,具有独立的拉电流和灌电流输出栅极驱动能力,用于驱动
2023-02-27 09:52:17

学会IGBT驱动电路设计不更香吗。。。。。。

绝缘栅双极晶体管IGBT是由MOSFET和双极晶体管复合而成的一种器件,其输入极为 MOSFET,输出极为 PNP 晶体管,因此,可以把其看作是 MOS 输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点
2021-03-19 15:22:33

带有双极性闸极电压的灵活电流IGBT栅极驱动设计包括BOM及层图

描述 TIDA-00448 参考设计是带有双极性闸极电压的隔离式 IGBT 闸极驱动程序,旨在用于驱动所需高峰值闸极电流高达 40 A 的大功率 IGBT。TI 的 NexFET 电源块就在此范围内
2018-09-04 09:20:51

推挽式隔离控制拓扑IGBT驱动电源设计包括BOM及框图

(x2) 和 -8V (x2)使用预调制的 24V 输入进行操作输出功率:每个 IGBT 2W可以选择关闭电源以促进安全扭矩切断 (STO) 功能输出波纹:< 200mV输出电容器的额定值支持高达 6A 的峰值栅极驱动电流旨在满足 IEC61800-1-5
2018-09-20 08:49:06

汽车类双通道SiC MOSFET栅极驱动器包括BOM及层图

和 –4V 输出电压以及 1W(...)主要特色用于在半桥配置中驱动 SiC MOSFET 的紧凑双通道栅极驱动器解决方案4A 峰值电流和 6A 峰值电流驱动能力,适用于驱动 SiC
2018-10-16 17:15:55

浅析IGBT门级驱动

绝缘栅双极晶体管IGBT是第三代电力电子器件,安全工作,它集功率晶体管GTR和功率场效应管MOSFET的优点于一身,具有易于驱动峰值电流容量大、自关断、开关频率高(10-40 kHz)的特点
2016-11-28 23:45:03

浅析IGBT门级驱动

绝缘栅双极晶体管IGBT是第三代电力电子器件,安全工作,它集功率晶体管GTR和功率场效应管MOSFET的优点于一身,具有易于驱动峰值电流容量大、自关断、开关频率高(10-40 kHz)的特点
2016-10-15 22:47:06

浅析FD2606S半桥栅极驱动

栅极驱动器,能够驱动 N 功率 MOSFETIGBT。 FD2606S 内置 VCC 和 VB 欠压(UVLO)保护功能,防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S 逻辑输入兼容 TTL 和 CMOS(低至 3.3V),方便与控制设备接口。该驱动输出具有最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲设计。
2021-09-14 07:29:33

潮光内部整理资料:FOD8316智能式IGBT栅极驱动光电耦合器

FOD8316是仙童推出的一款智能式IGBT栅极驱动光电耦合器。FOD8316基本特性在传统的IGBT驱动器上增加了保护电路。可编程故障传感去饱和检测IGBT软断开欠压锁定输出电压轨到轨摆动:低功耗
2013-06-07 16:34:06

瑞萨电子推出全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布,推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM,用于驱动电动汽车(EV)逆变器的IGBT(绝缘栅双极晶体管和SiC(碳化硅)MOSFET等高压功率
2023-02-15 11:19:05

电机控制中的MOSFETIGBT基础知识

的效率。要做到这一点,电机控制电路必须很快地开关流向电机线圈的电流,在开关上面需要达到最小的切换时间或导电期间的损失。 要满足这些需求需要使用MOSFETIGBT。这两种半导体器件都可以用于电机驱动
2016-01-27 17:22:21

用于UPS和逆变器的碳化硅FET和IGBT栅极驱动器参考设计

3kVRMS 基础隔离式栅极驱动器,可以驱动高侧和低侧(...)主要特色适合单相和三相逆变器、中高电压电源转换器(100VAC 至 230VAC)0.5A/2A/6A/10A 拉电流和灌电流适合驱动
2018-09-30 09:23:41

适合于IGBT栅极驱动器偏置的四路输出隔离式Fly-Buck电源参考设计

描述TIDA-00174参考设计是一款四路输出隔离式 Fly-Buck 电源,适合于 IGBT 栅极驱动器偏置。它产生两组(+16V、-9V)电压输出输出电流容量为 100mA。正/负偏置电压用于
2022-09-26 07:54:11

隔离 4 轨推挽式 IGBT驱动电源

(x2) 和 -8V (x2)使用预调制的 24V 输入进行操作输出功率:每个 IGBT 2W可以选择关闭电源以促进安全扭矩切断 (STO) 功能输出波纹:&lt; 200mV输出电容器的额定值支持高达 6A 的峰值栅极驱动电流旨在满足 IEC61800-1-5`
2015-03-23 14:35:34

隔离 4 轨推挽式 IGBT驱动电源

(x2) 和 -8V (x2)使用预调制的 24V 输入进行操作输出功率:每个 IGBT 2W可以选择关闭电源以促进安全扭矩切断 (STO) 功能输出波纹:&lt; 200mV输出电容器的额定值支持高达 6A 的峰值栅极驱动电流旨在满足 IEC61800-1-5`
2015-04-27 17:31:57

面向嵌入式系统的优化IGBT

IGBT(绝缘栅双极晶体管)生产和封装技术的革命性发展,拓宽了这种主力电源开关技术的应用范围。IGBT的基本概念是双极性(高电流密度)的开关器件,以及如MOSFET器件上的高阻抗栅极。尽管人们早在
2018-12-03 13:47:00

IGBT栅极驱动

IGBT栅极驱动IGBT 应用中的关键问题。本文阐明构成IGBT 栅极驱动电路的注意事项,基本电路参数的选择原则,还介绍丁几种驱动电路实例。
2010-08-31 16:33:41213

IR2117 单通道MOSFETIGBT栅极驱动器集成电路

单通道MOSFETIGBT栅极驱动器集成电路IR2117 IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFETIGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能
2009-12-08 10:21:006016

Toshiba推出低功率栅极驱动光耦合器

Toshiba推出低功率栅极驱动光耦合器 Toshiba推出了一系列的超低功耗光耦合隔离器,设计用来驱动需要输出电流高达±6.0A的IGBT和功率MOSFET。新的驱动器IC光耦合器TLP358系
2010-01-20 08:37:03696

IGBT/MOSFET栅极驱动光电耦合器:TLP2451

东芝推出一系列采用小型SO8封装的IC光电耦合器TLP2451是一款使用图腾柱输出IGBT / MOSFET栅极驱动光电耦合器
2012-03-13 11:08:413462

东芝光耦 IGBT/MOSFET

东芝光耦 IGBT/MOSFET,List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (IGBT / MOSFET)
2012-03-16 13:43:011090

东芝推出低高度封装轨对轨输出栅极驱动光电耦合器

东京—东芝公司(TOKYO:6502)今天宣布推出采用低高度SO6L封装的轨对轨输出栅极驱动光电耦合器,用于直接驱动中低等功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)及功率金属氧化物半导体场效应晶体管(power MOSFET)。
2014-10-08 18:19:061449

东芝推出汽车用单通道高边N沟道功率MOSFET栅极驱动

东京—东芝公司(TOKYO:6502)旗下半导体&存储产品公司今天宣布,推出单通道高边N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET栅极驱动器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:361787

Diodes栅极驱动器可在半桥或全桥配置下 开关功率MOSFETIGBT

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器,可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFETIGBT
2016-03-14 18:13:231402

使用MOSFET栅极驱动器的IGBT驱动

栅极驱动要求等。与在这种设计中正式使用的双极晶体管相比,IGBT驱动电路的尺寸和复杂度上都有相当大的降低。最近在IGBT开关速度的改进取得了设备适用于电源的应用,因此IGBT将与某些高电压MOSFET以及应用。许多设计者因此转向MOSFET驱动器以满足其
2017-07-04 10:51:0522

东芝推出两款大电流光继电器

东芝推出采用DIP4封装的大电流光继电器,具有低导通电阻和大额定导通电流,更易使用。
2018-09-29 15:35:354448

如何使用栅极电荷设计功率MOSFETIGBT栅极驱动电路

 不熟悉MOSFETIGBT输入特性的设计人员首先根据数据表中列出的栅源或输入电容来确定元件值,从而开始驱动电路设计。基于栅极对源电容的RC值通常会导致栅极驱动严重不足。虽然栅极对源电容是一个重要
2020-03-09 08:00:0024

东芝面向中大电流IGBTMOSFET 推出内置保护功能的光耦

新型预驱动光耦使用外部P沟道和N沟道互补的MOSFET作为缓冲器,来控制中大电流IGBTMOSFET
2020-03-11 08:19:001180

基于IGBT / MOSFET栅极驱动光耦合器设计方案

本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、导通和关断、功率半导体开关、MOSFET/IGBT栅极驱动功率计算可分为三部分;驱动器内部电路
2021-06-14 03:51:003144

MOSFETIGBT栅极驱动器电路的基本原理

MOSFETIGBT栅极驱动器电路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763

东芝推出采用薄型SO6L封装的两款光耦TLP5705H和TLP5702H

器件于今日开始支持批量出货。 TLP5705H是东芝首款采用厚度仅有2.3毫米(最大值)的薄性封装(SO6L)可提供±5.0A峰值输出电流额定值的产品。传统采用缓冲电路进行电流放大的中小型逆变器与伺服放大器等设备,现在可直接通过该光耦驱动IGBTMOSFET而无需任何缓冲器。这将有助于减少
2021-12-10 18:19:354266

东芝发布TCK42xG系列MOSFET栅极驱动集成电路

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)已经推出面向20V电源线路的“TCK421G”,这是其“TCK42xG系列”MOSFET栅极驱动集成电路(IC)的首款产品。该系列的器件基于输入电压专用于控制外部N沟道MOSFET栅极电压,并具备过压自锁功能。批量出货即日起开始。
2022-02-12 09:18:511289

东芝推出五款新型MOSFET栅极驱动器IC

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)为其TCK42xG系列MOSFET 栅极驱动器IC 的产品阵容增加面向可穿戴设备等移动设备的五款新品。该系列的新产品配备了过压锁定功能,并根据输入电压控制外部MOSFET栅极电压。
2022-06-09 10:00:301635

东芝推出推出输出电流为2.5A的智能栅极驱动光耦

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布扩大其智能栅极驱动光耦产品线,推出一款输出电流为2.5A的智能栅极驱动光耦---“TLP5222”。这是一种可为MOSFETIGBT等功率器件提供过流保护的隔离栅极驱动IC,内置保护操作自动恢复的功能。该产品于今日开始出货。
2022-08-31 17:58:551219

AN-3009/D标准栅极驱动器光电耦合器

栅极驱动光电耦合器FOD31xx系列的功能是用作电源缓冲器 ,来控制功率MOSFETIGBT栅极 。它为 MOSFETIGBT栅极输入供应所需的峰值充电电 流 ,来打开器件。该目标通过
2022-10-24 09:00:07920

1ED3124MU12F单通道隔离栅极驱动器的特征及应用优势

设备驱动程序 紧凑型单通道隔离栅极驱动器,在用于IGBTMOSFET和SiC MOSFET的DSO-8窄体封装中具有14A的典型吸收和源峰值输出电流
2022-11-02 16:47:09974

MOSFET栅极驱动电流计算和栅极驱动功率计算

本文介绍了三个驱动MOSFET工作时的功率计算 以及通过实例进行计算 辅助MOSFET电路的驱动设计中电流的计算 不是mosfet导通电流mosfet栅极驱动电流计算和驱动功耗计算
2022-11-11 17:33:0335

川土微电子发布CA-IS3211单通道隔离式栅极驱动

CA-IS3211是一款光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器,可用于驱动MOSFETIGBT和SiC器件。隔离等级达到5.7kVRMS,芯片可提供5A拉、6A灌输出峰值电流能力。
2022-12-05 10:00:45697

新品发布 | 瑞萨电子推出新型栅极驱动IC,用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET

新品速递 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)宣布,推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM,用于驱动电动汽车(EV)逆变器的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和SiC
2023-02-02 11:10:02906

瑞萨电子推出新型栅极驱动IC,用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)宣布,推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM,用于驱动电动汽车(EV)逆变器的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和SiC(碳化硅)MOSFET等高压功率器件。
2023-02-02 11:09:39991

瑞萨电子推出用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET——RAJ2930004AGM

瑞萨电子推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM,用于驱动电动汽车(EV)逆变器的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和SiC(碳化硅)MOSFET等高压功率器件。
2023-02-03 14:59:11314

MOSFETIGBT栅极驱动器电路学习笔记之栅极驱动参考

栅极驱动参考 1.PWM直接驱动2.双极Totem-Pole驱动器3.MOSFET Totem-Pole驱动器4.速度增强电路5.dv/dt保护 1.PWM直接驱动 在电源应用中,驱动主开关
2023-02-23 15:59:0017

SLM27517能驱动MOSFETIGBT功率开关

SLM27517 单通道,高速,低侧栅极驱动器器件可以有效地驱动MOSFETIGBT功率开关。使用设计其固有地最小化击穿电流,可以源汇高峰值电流脉冲转换为电容性负载轨对轨驱动能力非常小传播延迟通常
2023-02-23 15:42:222

SCT52240QSTDR 双路 4A/4A 高速MOSFET/IGBT栅极驱动器, 可并联输出

宽供电电压、双通道、高速、低测栅极驱动器,包括功率MOSFETIGBT。单个通道能够提供高达4A拉电流和4A灌电流的轨到轨驱
2023-07-18 09:01:27330

高集成度智能栅极驱动光耦通吃MOSFETIGBT

驱动光耦产品线,近期新增一款输出电流为2.5A的智能栅极驱动光耦 TLP5222 。它是一款可为MOSFETIGBT等功率器件提供过流保护的隔离栅极驱动IC,内置保护操作自动恢复的功能。该器件主要用来实现逆变器、交流伺服器,光伏逆变器等的智
2023-09-28 17:40:02526

igbt栅极驱动条件 igbt栅极驱动条件对其特性有什么影响?

igbt栅极驱动条件 igbt栅极驱动条件对其特性有什么影响? IGBT是晶体管的一种,它是一种高压、高电流的开关器件,常用于高功率电子应用中。IGBT是一种三极管,由一个PN结组成的集成电路
2023-10-19 17:08:14622

MOSFET栅极电路电压对电流的影响?MOSFET栅极电路电阻的作用?

MOSFET栅极电路电压对电流的影响?MOSFET栅极电路电阻的作用? MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在MOSFET中,栅极电路的电压和电阻
2023-10-22 15:18:121369

意法半导体推出功率MOSFETIGBT栅极驱动

意法半导体(下文为ST)的功率MOSFETIGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578

已全部加载完成