0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

东芝推出五款新型MOSFET栅极驱动器IC

文传商讯 来源:文传商讯 作者:文传商讯 2022-06-09 10:00 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)为其TCK42xG系列MOSFET 栅极驱动器IC的产品阵容增加面向可穿戴设备等移动设备的五款新品。该系列的新产品配备了过压锁定功能,并根据输入电压控制外部MOSFET的栅极电压。

这些新产品包括用于24V电源线路的“TCK420G”;用于12V电源线路的 “TCK422G”和“TCK423G”;用于9V电源线路的“TCK424G”;以及用于5V电源线路的“TCK425G”。这些产品现随同已经推出的用于20V电源线路的 “TCK421G”上市。

借助新增产品,TCK42xG系列现在支持用户选择10V和5.6V的栅极-源极电压,覆盖更多种类的MOSFET。此外,输入过压锁定功能支持的不同检测电压使得产品能够用于5V至24V的电源线路。当与外部背靠背MOSFET结合使用时,它们也适用于配置负载开关电路(图1)或具有反向电流阻断功能的电源多路复用器电路(图2)。此外,由于其内置的电荷泵电路支持从2.7V到28V的宽范围输入电压,它们可以通过间歇工作在外部背靠背 MOSFET的栅极和源极之间提供稳定的电压,从而支持大电流切换。

TCK42xG系列采用WCSP6G[1]封装。这也是业界的超小型封装[2]。它实现了在可穿戴设备和智能手机等小型设备中的高密度安装,有助于减少其外形尺寸。

东芝还开发了“电源多路复用器电路”参考设计。这是一个基于TCK42xG功能的电源多路复用器的参考设计实例。 即日起可在东芝网站上获取。

应用

客户穿戴设备

智能收集

笔记本电脑,平板

存储设备等等

功能

栅极-源极电压设置(5.6V,10V),取决于输入电压,内置电荷泵电路

过压锁定支持 5V至 24V

低输入关断电流:IQ (OFF)= 0.5μA (max) @VIN=5V

主要规格

(Ta=25°C,除非另有说明)
部件编号 TCK420G TCK421G
[3]
TCK422G TCK423G TCK424G TCK425G
封装 名称 WCSP6G
尺寸 (mm) 1.2×0.8 (典型值),t=0.35(最大值)
工作
范围
输入电压
VIN_opr(V)
@Ta= -40
to 85°C
2.7 - 28
电气特性 VIN UVLO 阈值, VOUT下降
VIN_UVLO
典型值/最大值 (V)
@Ta= -40
至85°C
2.0/2.5
VIN OVLO 阈值
VOUT下降
VIN_OVLO
最小值/最大值 (V)
@Ta= -40
to 85°C
26.50
/28.50
22.34
/24.05
13.61
/14.91
10.35
/11.47
5.76
/6.87
待机电流
(断态)
IQ(OFF)最大值(μA)
@VIN=5V, Ta= -40
至85°C
0.5
栅极驱动电压
(VGATE1-VIN)
(VGATE2-VOUT)
VGStyp. (V)
@VIN=
12V/20V
10/10 10/10 10/- 5.6/- -/- -/-
栅极驱动电压
(VGATE1-VIN)
(VGATE2-VOUT)
VGS典型值 (V)
@VIN=
5V/9V
10/10 10/10 10/10 5.6/5.6 5.6/5.6 5.6/-
VGS导通时间
tON典型值(ms)
@VIN=5V,
CGATE1,2=
4000pF
2.9
VGS关断时间
tOFF典型值(μs)
@VIN=5V,
CGATE1,2=
4000pF
52 23
OVLO
VGS关断时间
tOVP典型值(μs)
@CGATE1,2=
4000pF
31 34 41 16 18 19
样品查询和库存状况 在线购买 在线购买 在线购买 在线购买 在线购买 在线购买

东芝:全新MOSFET栅极驱动器IC “TCK42xG系列”将有助于减少装置尺寸。(图示:美国商业资讯)

poYBAGKhVEqAS5VXAAAk0od_VYU185.jpg

东芝:图1:负载开关电路(单高端驱动,背靠背),图2:电源复用器电路(图示:美国商业资讯)

pYYBAGKhVFCARXpTAAB6WwIQlzc466.jpg

东芝:电源多路复用器电路板(图示:美国商业资讯)

审核编辑:汤梓红
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOSFET
    +关注

    关注

    150

    文章

    9413

    浏览量

    229604
  • 东芝
    +关注

    关注

    6

    文章

    1485

    浏览量

    123904
  • 栅极驱动器
    +关注

    关注

    8

    文章

    1303

    浏览量

    40217
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    深入解析 onsemi NCV51561 隔离式双通道栅极驱动器

    在电子工程师的日常设计中,栅极驱动器驱动功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率开关的关键组件。今天,我们就来深入探讨 ons
    的头像 发表于 12-05 15:33 93次阅读
    深入解析 onsemi NCV51561 隔离式双通道<b class='flag-5'>栅极</b><b class='flag-5'>驱动器</b>

    探索onsemi FAD7171MX:高性能汽车高侧栅极驱动器IC

    在电子工程师的日常设计中,选择合适的栅极驱动器IC至关重要,它直接影响着电路的性能和稳定性。今天,我们就来深入了解一下onsemi推出的FAD7171MX,一
    的头像 发表于 12-04 09:53 123次阅读
    探索onsemi FAD7171MX:高性能汽车高侧<b class='flag-5'>栅极</b><b class='flag-5'>驱动器</b><b class='flag-5'>IC</b>

    深入解析 NCP51752:隔离单通道栅极驱动器的卓越之选

    在电子工程师的日常设计工作中,选择合适的栅极驱动器至关重要。今天,我们将深入探讨 onsemi 推出的 NCP51752 隔离单通道栅极驱动器
    的头像 发表于 11-27 16:23 214次阅读
    深入解析 NCP51752:隔离单通道<b class='flag-5'>栅极</b><b class='flag-5'>驱动器</b>的卓越之选

    如何为EliteSiC匹配栅极驱动器

    为EliteSiC匹配栅极驱动器指南旨在针对各类高功率主流应用,提供为 SiC MOSFET匹配栅极驱动器的专业指导,同时探索减少导通损耗与
    的头像 发表于 11-13 09:46 263次阅读
    如何为EliteSiC匹配<b class='flag-5'>栅极</b><b class='flag-5'>驱动器</b>

    Littelfuse推出新型汽车级低压侧栅极驱动器IX4352NEAU

    - Littelfuse公司(NASDAQ:LFUS)是一家多元化的工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出 IX4352NEAU汽车级低压侧栅极驱动器,旨在满足电动汽车
    的头像 发表于 10-28 18:07 765次阅读
    Littelfuse<b class='flag-5'>推出</b>首<b class='flag-5'>款</b><b class='flag-5'>新型</b>汽车级低压侧<b class='flag-5'>栅极</b><b class='flag-5'>驱动器</b>IX4352NEAU

    ‌DRV8305-Q1 三相汽车智能栅极驱动器技术文档总结

    DRV8305-Q1器件是一用于三相电机驱动应用的栅极驱动器IC。该器件提供三个高精度半桥驱动器
    的头像 发表于 10-16 16:13 452次阅读
    ‌DRV8305-Q1 三相汽车智能<b class='flag-5'>栅极</b><b class='flag-5'>驱动器</b>技术文档总结

    ‌DRV8770 100V刷式直流栅极驱动器技术文档总结

    DRV8770器件提供两个半桥栅极驱动器,每个驱动器能够驱动高侧和低侧N沟道功率MOSFET。集成自举二极管和外部电容器为高侧
    的头像 发表于 10-14 11:42 416次阅读
    ‌DRV8770 100V刷式直流<b class='flag-5'>栅极</b><b class='flag-5'>驱动器</b>技术文档总结

    ‌DRV8363-Q1 智能栅极驱动器技术文档总结

    DRV8363-Q1 是一集成式智能栅极驱动器,适用于 48V 汽车三相 BLDC 应用。该器件提供三个半桥栅极驱动器,每个
    的头像 发表于 10-11 09:40 603次阅读
    ‌DRV8363-Q1 智能<b class='flag-5'>栅极</b><b class='flag-5'>驱动器</b>技术文档总结

    德州仪器UCC5871-Q1汽车级IGBT/SiC MOSFET栅极驱动器技术解析

    Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET栅极驱动器是一隔离式、高度可配置的单通道栅极
    的头像 发表于 08-29 09:28 623次阅读
    德州仪器UCC5871-Q1汽车级IGBT/SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>栅极</b><b class='flag-5'>驱动器</b>技术解析

    意法半导体推出高压GaN半桥栅极驱动器

    意法半导体推出高压GaN半桥栅极驱动器,为开发者带来更高的设计灵活性和更多的功能,提高目标应用的能效和鲁棒性。
    的头像 发表于 06-04 14:44 1021次阅读

    东芝推出全新栅极驱动IC TB9103FTG

    东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,量产面向车载直流有刷电机应用的栅极驱动IC[1]——“TB9103FTG”,其典型应用包括用
    的头像 发表于 03-13 18:06 1016次阅读
    <b class='flag-5'>东芝</b><b class='flag-5'>推出</b>全新<b class='flag-5'>栅极</b><b class='flag-5'>驱动</b><b class='flag-5'>IC</b> TB9103FTG

    东芝推出应用于工业设备的具备增强安全功能的SiC MOSFET栅极驱动光电耦合

    东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布,最新推出可用于驱动碳化硅(SiC)MOSFET栅极
    的头像 发表于 03-11 15:11 478次阅读
    <b class='flag-5'>东芝</b><b class='flag-5'>推出</b>应用于工业设备的具备增强安全功能的SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>栅极</b><b class='flag-5'>驱动</b>光电耦合<b class='flag-5'>器</b>

    东芝TLP5814H 具备增强安全功能的SiC MOSFET栅极驱动光电耦合

    东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,最新推出可用于驱动碳化硅(SiC)MOSFET
    的头像 发表于 03-06 19:24 3670次阅读
    <b class='flag-5'>东芝</b>TLP5814H 具备增强安全功能的SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>栅极</b><b class='flag-5'>驱动</b>光电耦合<b class='flag-5'>器</b>

    栅极驱动器的定义和结构

    栅极驱动器(Gate Driver)是电力电子系统中的一种关键电路组件,主要用于增强场效应晶体管(MOSFET)或绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的栅极信号,以便控制
    的头像 发表于 02-02 13:47 1571次阅读

    浅谈瑞盟科技·MS30517SA——单通道、高速、低侧栅极驱动器

    MS30517SA 是单通道、高速、低侧栅极驱动器器件,能够有效地驱动 MOSFET 和 IGBT 开关 。提供FAE支持,欢迎咨询了解。单通道、高速、低侧
    的头像 发表于 12-20 17:44 1317次阅读
    浅谈瑞盟科技·MS30517SA——单通道、高速、低侧<b class='flag-5'>栅极</b><b class='flag-5'>驱动器</b>