以上，这也是目前氮化镓在手机充电器上广泛被应用的重要原因。 氮化镓GaNFast TM 是纳微半导体此前被广泛应用的氮化镓功率芯片系列，纳微半导体销售营运总监李铭钊介绍到，目前全球超过140款量产中的充电器都采用了纳微的方案，大约150款
2021-11-26 09:42:13
6891 纳微 (Navitas) 半导体宣布，将在11月3号到6号在上海举办的中国电源学会学术年会(CPSSC) 上展示最新的氮化镓(GaN)功率IC及其应用。
2017-10-30 11:54:4814245 采用NV611X系列氮化镓GaN 半桥应用PCB layout 作者 ：马坤 邮箱：kuner0806@163.com NV611X系列 半桥应用电路图： 半桥结构应用 应用在半桥电路中，自举电路
2020-03-24 01:08:007599 
大家清晰的了解GaN产品。 1．从氮化镓GaN产品的名称上对比 如下图所示，产品GaN标示图。纳微：GaNFast Power ICs 是GaN 功率IC，而英诺赛科： E-Mode GaN FET
2020-05-12 01:31:0027189 
前不久，纳微半导体刚刚发布全球首款量产级的650V双向GaNFast氮化镓功率芯片。
2025-06-03 09:57:502390 
氮化镓 （GaN） 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克代码：NVTS）宣布，戴尔已采用纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片为其 Latitude 9000 系列高端笔记本电脑实现快充。
2021-12-30 15:06:091790 
下一代氮化镓功率芯片将加速充电更快，驾驶距离更远的电动汽车普及提前三年来到，并减少20%道路二氧化碳排放。
2022-01-14 11:18:151534 
2022年1月18日，纳微半导体正式宣布，其新一代增加GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片已用于vivo公司旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手机所标配的120W超快闪充迷你充电器中。
2022-01-19 09:29:023763 
氮化镓功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克股票代码： NVTS）正式宣布其发货数量已超过四千万颗，终端市场故障率为零。
2022-03-28 09:27:481184 
芯片行业领导者 — 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）发布全新GaNSense™ Control合封氮化镓功率芯片，带来前所未有的高集成度和性能表现。 氮化镓是相比传统高压 (HV) 硅 (Si) 功率半导体有着重大升级的下一代半导体技术，同时还减少了提供相同
2023-03-28 13:54:321257 
采用纳微专利的DPAK-4L封装的高度集成氮化镓功率芯片，具有智能化电磁干扰(EMI)控制和无损电流感测功能，助力打造业界最快、最小、最高效的解决方案。 加利福尼亚州托伦斯2024年10月14日讯
2024-10-17 16:31:091304 
高效能、高电压的射频基础设施。几年后，即2008年，氮化镓金属氧化物半导场效晶体（MOSFET）（在硅衬底上形成）得到推广，但由于电路复杂和缺乏高频生态系统组件，使用率较低。
2023-06-15 15:50:54
桥式拓扑结构中放大了氮化镓的频率、密度和效率优势，如主动有源钳位反激式（ACF）、图腾柱PFC 和 LLC（CrCM 工作模式）。随着硬开关拓扑结构向软开关拓扑结构的转变，初级 FET 的一般损耗方程可以被最小化。更新后的简单方程使效率在 10 倍的高频率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
。
与硅芯片相比：
1、氮化镓芯片的功率损耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸为硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解决方案更便宜
然而，虽然 GaN 似乎是一个更好的选择，但它
2023-08-21 17:06:18
；这也说明市场对于充电器功率的市场需求及用户使用的范围；随着小米65W的充电器的发布，快速的走进氮化镓快充充电器时代。目前市面上已经量产商用的氮化镓方案主要来自PI和纳微半导体两家供应商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
现在越来越多充电器开始换成氮化镓充电器了，氮化镓充电器看起来很小，但是功率一般很大，可以给手机平板，甚至笔记本电脑充电。那么氮化镓到底是什么，氮化镓充电器有哪些优点，下文简单做个分析。一、氮化镓
2021-09-14 08:35:58
满足军方对小型高功率射频器件的需求，WBST 计划在一定程度上依托早期氮化镓在蓝光 LED 照明应用中的成功经验。为了快速跟踪氮化镓在军事系统中的应用，WBST 计划特准计划参与方深耕 MMIC 制造
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
，只应用在高端充电器上。一些小功率的，高性价比的充电器无法享受到氮化镓性能提升所带来的红利。目前，国内已经有多家厂商推出了用于33-100W大功率充电器的合封芯片，通过将氮化镓开关管，控制器以及驱动器
2021-11-28 11:16:55
应用。加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了关于用于GaN功率晶体管的智能栅极驱动器IC的精彩报告，并提出了一种适用于氮化镓功率晶体管的智能栅极驱动集成电路，该集成电路带有电流传感特性、可调节输出电阻、可调
2018-11-05 09:51:35
应用。MACOM的氮化镓可用于替代磁控管的产品，这颗功率为300瓦的硅基氮化镓器件被用来作为微波炉里磁控管的替代。用氮化镓器件来替代磁控管带来好处很多：半导体器件可靠性更高，氮化镓器件比磁控管驱动电压
2017-09-04 15:02:41
测试背景地点：国外某知名品牌半导体企业，深圳氮化镓实验室测试对象：氮化镓半桥快充测试原因：因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管，需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试测试探头：麦科信OIP
2023-01-12 09:54:23
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
，在半桥拓扑结构中结合了频率、密度和效率优势。如有源钳位反激式、图腾柱PFC和LLC。随着从硬开关拓扑结构到软开关拓扑结构的改变，初级FET的一般损耗方程可以最小化，从而提升至10倍的高频率。
氮化镓功率芯片前所未有的性能表现，将成为第二次电力电子学革命的催化剂。
2023-06-15 15:53:16
6×8mm QFN 封装中，用于交流电或400V 直流电的输入应用。
无论是“全桥”还是“半桥”电路设计，纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片都能够支持。GaNFast 氮化镓功率芯片具备适用性极强
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证，特推出“氮化镓系列”，告诉大家什么是氮化镓（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
，其中第一梯队有纳微、EPC等代表企业。[color=rgb(51, 51, 51) !important]然而，现在还有什么是阻碍氮化镓器件发展的不利因素呢？[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
（GaN）原厂来说尤为常见，其根本原因是氮化镓芯片的优异开关性能所引起的测试难题，下游的氮化镓应用工程师往往束手无策。某知名氮化镓品牌的下游客户，用氮化镓半桥方案作为3C消费类产品的电源，因电源稳定性
2023-02-01 14:52:03
，氮化镓器件可以在同一衬底上集成多个器件，使得单片式电源系统可以更直接、更高效和更具成本效益地在单芯片上进行设计。集成功率级诸如EPC23102为设计人员提供了一个比基于分立器件方案的体积小35
2023-06-25 14:17:47
请问半桥上管氮化镓这样的开尔文连接正确吗？
2024-01-11 07:23:47
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
采用ADMU4121来驱动氮化镓半桥电路，采样的全隔离的驱动方案，但是现在上管的驱动电压随输入电压的升高而升高，不知道为啥？是因为驱动芯片的原因吗？上管是将5V的输入电压由B0515隔离芯片转化
2024-01-11 06:43:50
集成双氮化镓功率管的不对称半桥AC-DC-180W电源管理芯片-DK8718AD一、产品概述：DK87XXAD是一颗基于不对称半桥架构，集成了两颗氮化镓功率器件的AC-DC功率电源管理芯片
2025-01-08 10:53:32
集成双氮化镓功率管的不对称半桥120W-AC-DC电源管理芯片-DK8712AD一、产品概述DK87XXAD电源管理芯片是一颗基于不对称半桥架构，集成了两颗氮化镓功率器件的AC-DC功率开关芯片
2025-01-08 15:29:04
东科半导体集成双氮化镓功率管的不对称半桥AC-DC-100W电源管理芯片-DK8710AD一、产品概述DK87XXAD是一颗基于不对称半桥架构，集成了两颗氮化镓功率器件的AC-DC功率开关芯片
2025-01-08 15:33:07
氮化镓功率器件及其应用(四)TI氮化镓器件在无桥PFC设计中的应用(下)
2019-04-03 06:20:003496 
氮化镓功率器件及其应用(三)TI氮化镓器件在无桥PFC设计中的应用(上)
2019-04-03 06:14:005722 
纳微半导体今日正式宣布，其出货量创下最新纪录，已向市场成功交付超过1300万颗氮化镓（GaN）功率IC实现产品零故障。
2021-01-27 16:43:142251 纳微半导体（Navitas Semiconductor）是全球氮化镓功率芯片的开创者，成立于2014年，总部位于爱尔兰，在深圳、杭州、上海都拥有销售和研发中心。纳微半导体拥有一支强大且不断壮大
2021-03-10 14:33:013980 DUBLIN， IRELAND —（PRWeb） 纳微半导体宣布，在为期三天的2021年慕尼黑上海电子展上，成功完成一系列GaNFast™ 大功率氮化镓工业应用首秀。
2021-04-27 14:11:531302 纳微半导体向福布斯详细介绍了纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片的相关信息，并且介绍了氮化镓功率芯片在电动汽车以及电动交通工具等方面的应用。
2021-08-24 09:39:212060 
截至 2021 年 5 月，超过 2000 万片纳微 GaNFast™️ 氮化镓功率芯片已经成功出货。
2021-08-24 09:42:301765 
小米 65W 1A1C 氮化镓充电器，采用了纳微半导体 NV6115 GaNFast 氮化镓功率芯片。该芯片采用 5×6mm 的 QFN 封装，并且采用高频软开关拓扑，集成氮化镓开关管、独立驱动器以及逻辑控制电路。
2021-08-24 09:48:102573 
纳微半导体今日宣布，小米正式发布新款智能手机小米 Civi，配备采用纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片的 55W 氮化镓充电器。
2021-10-08 11:45:092410 
氮化镓功率芯片的行业领导者纳微半导体（“纳微”）的股票，正式开始在纳斯达克全球市场交易，股票代码为“NVTS”。
2021-10-21 14:30:312630 
全球氮化镓功率芯片行业领导者纳微半导体，在北京小米科技园举办的 2021 被投企业 Demo Day 上，展示了下一代功率电源和手机快充产品。
2021-11-02 09:51:311289 
氮化镓作为下一代半导体技术，其运行速度比传统硅功率芯片快 20 倍。纳微半导体以其专有的GaNFast™氮化镓功率集成芯片技术，集成了氮化镓功率场效应管（GaN Power［FET］）、驱动、控制和保护模块在单个SMT表面贴装工艺封装中。
2022-03-29 13:45:132201 氮化镓 （GaN） 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技术的智能GaNFast功率芯片已升级以提高效率和功率密度，将加速进入更多类型的快充市场。
2022-05-05 10:32:562302 美国加利福尼亚州埃尔塞贡多，2022 年 5 月10日：氮化镓 （GaN） 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克代码：NVTS）正式发布 NV6169，这是一款采用 GaNSense™技术的650/800 V 大功率GaNFast™芯片，可满足高功率应用。
2022-05-11 11:24:312749 下一代氮化镓功率芯片 助力RedmiBook Pro实现轻巧快充 加利福尼亚州埃尔塞贡多2022年6月29日讯 — 氮化镓 (GaN) 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克代码：NVTS）宣布
2022-07-01 14:39:402312 
Anker，重新定义氮化镓！ “纳微半导体是氮化镓功率芯片行业领导者，自 2017 年以来一直与安克紧密合作。作为纳微半导体的首批投资者，安克见证了纳微从成立初期到 2021 年在纳斯达克的成功上市。 安克GaNPrime™ 全氮化镓快充家族的产品中，采用了纳微新一代增加GaNSense™️技术的
2022-07-29 16:17:441027 
纳微半导体于2022年9月正式发布新一采用GaNSense技术的 NV624x GaNFast半桥功率芯片，作为全新一代产品，其集成了两个GaN FETs 和驱动器，以及控制、电平转换、传感和保护功能 ，其适用于手机移动、消费和工业市场中100-300W应用。
2022-09-09 14:44:532505 GaNSense半桥氮化镓功率芯片集成了两个GaN FETs 和驱动器，以及控制、电平转换、传感和保护功能，为电子元件创建了一个易于使用的系统构建块。相较分立式方案，革命性的单片集成方案能有效减少60%的元件数量及布局结构，进而减少系统成本、尺寸、重量与复杂性。
2022-09-09 14:51:141998 普通消费者，甚至对氮化镓了解不多的工程师，普遍认为氮化镓只能实现几十瓦到一百多瓦的输出功率。这种情况基本属实，因为增强型氮化镓目前只有QFN/DFN和TOLL等贴片封装形式，在中大功率应用场景的散热问题难以解决。
2022-11-25 15:41:282258 未来已来，氮化镓的社会经济价值加速到来。 本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓方面的技术合作方案。 镓未来提供的紧凑级联型氮化镓器件与纳芯微隔离驱动器配合，隔离驱动器保证了异常工作情况下对氮化镓器件
2022-11-30 14:52:251382 
纳微半导体如何在氮化镓上造芯片？ 作者丨 周雅 刚刚过去的10月底，纳微半导体（Navitas Semiconductor）成功在纳斯达克上市，上市当天企业价值10亿美元。1个月后，纳微半导体再进
2023-02-21 14:57:11
0 领导者纳微半导体（Navitas Semiconductor）（纳斯达克股票代码：NVTS）宣
布推出新一代采用GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片。GaNSense技术集成了关键、实时、智能的传感和保护电路，
进一步提高了纳微半导体在功率半导体行业领先的可靠性和稳健性，同时增加了
2023-02-22 13:48:053 下一代氮化镓功率芯片将加速充电更快，驾驶距离更远的电动汽车普及提前三年来到，并减少20%道路二氧化碳排放 2022年1月14日，北京—— 氮化镓 (GaN) 功率芯片的行业领导者 Navitas
2023-02-22 13:49:511 集成的GaNFast氮化镓功率芯片让充电更快、更高效、更便捷。 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者 — 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布旗下
2023-02-28 17:57:131763 在电源领域掀起了翻天覆地的变革。 为简化电路设计，加强器件可靠性，降低系统成本，纳微半导体基于成功的GaNFast™氮化镓功率芯片及先进的GaNSense™技术，推出新一代GaNSense™ Control合封氮化镓功率芯片，进一步加速氮化镓市场普及
2023-03-28 13:58:021876 
全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者 — 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布 已出货超7500万颗高压氮化镓功率器件。 氮化镓是是较高压传统硅功率半导体有着重大升级的下一代半导体技术，它减少了提供高压性
2023-03-28 14:19:531041 
合封氮化镓芯片是一种新型的半导体器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等优点。与传统的半导体器件相比，合封氮化镓芯片采用了全新的封装技术，将多个半导体器件集成在一个芯片上，使得器件的体积更小、功率
2023-04-11 17:46:232504 DK120GA是一款合封氮化镓功率器件的有源箝位反激AC-DC功率转换芯片。它具有超高集成度，内置有源箝位拓扑所需的两颗GaNHEMT功率管，逻辑控制电路和半桥驱动电路，是目前业内唯一一款一体式合
2022-06-21 09:47:164264 
早前，纳微半导体率先凭借氮化镓功率芯片产品，踩准氮化镓在充电器和电源适配器应用爆发的节奏，成为氮化镓领域的头部企业。同时，纳微也不断开发氮化镓和碳化硅产品线，拓展新兴应用市场。在2023慕尼黑上海
2023-08-01 16:36:192934 
纳微半导体利用横向650V eMode硅基氮化镓技术，创造了专有的AllGaN工艺设计套件（PDK），以实现集成氮化镓 FET、氮化镓驱动器，逻辑和保护功能于单芯片中。该芯片被封装到行业标准的、低
2023-09-01 14:46:041591 
纳微半导体第四代高度集成氮化镓平台在效率、密度及可靠性要求严苛的大功率行业应用内树立新标杆
2023-09-07 14:30:151913 作为第三代半导体材料，氮化镓具有高频、高效率、低发热等特点，是制作功率芯片的理想材料。如今，电源芯片厂商纷纷推出氮化镓封装芯片产品。这些氮化镓芯片可以显著提高充电器的使用效率，减少热量的产生，并且缩小了充电器的体积，使用户在日常出行时更容易携带。
2023-10-07 15:32:331748 
不，氮化镓功率器（GaN Power Device）与电容是不同的组件。氮化镓功率器是一种用于电力转换和功率放大的半导体器件，它利用氮化镓材料的特性来实现高效率和高功率密度的电力应用。
2023-10-16 14:52:442505 氮化镓芯片的选用要从实际应用出发，结合实际使用场景，选择最合适的氮化镓芯片，以达到最佳的性能和效果。明确应用场景。首先要明确使用的具体场景，如音频、视频、计算还是其他应用场景。不同的场景对氮化镓芯片的性能和特点要求不同，因此在选择氮化镓芯片时，要充分考虑应用的场景。
2023-10-26 17:02:181576 进入三星进供应链：纳微GaNFast氮化镓功率芯片获三星旗舰智能手机Galaxy S23采用。作为下一代功率半导体技术，氮化镓正持续取代传统硅功率芯片在移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车的市场份额。 Galaxy S23可谓配置“拉满”——配备一块大小为6.1英寸，分辨率为2340×
2023-11-03 14:06:311663 氮化镓芯片是什么？氮化镓芯片优缺点 氮化镓芯片和硅芯片区别 氮化镓芯片是一种用氮化镓物质制造的芯片，它被广泛应用于高功率和高频率应用领域，如通信、雷达、卫星通信、微波射频等领域。与传统的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011008 氮化镓激光芯片是一种基于氮化镓材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高温、耐腐蚀等优点，被广泛应用于通信、医疗、工业等领域。下面我们将详细介绍氮化镓激光芯片的用途。 一、通信领域 氮化镓激光芯片
2023-11-24 11:23:155437 氮化镓功率器和氮化镓合封芯片在快充市场和移动设备市场得到广泛应用。氮化镓具有高电子迁移率和稳定性，适用于高温、高压和高功率条件。氮化镓合封芯片是一种高度集成的电力电子器件，将主控MUC、反激控制器、氮化镓驱动器和氮化镓开关管整合到一个...
2023-11-24 16:49:221796 氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率器件的结构和原理。 一、氮化镓功率器件结构 氮化镓功率器件的主要结构是GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率
2024-01-09 18:06:416132 氮化镓作为材料，而硅芯片则采用硅作为材料。氮化镓具有优秀的物理特性，包括较高的电子与空穴迁移率、较高的饱和电子漂移速度和较高的击穿电压等，这些特性使得氮化镓芯片在高功率、高频率和高温环境下表现出较好的性能。
2024-01-10 10:08:143855 氮化镓（GaN）芯片是一种新型的功率半导体器件，具有很多优点和一些缺点。以下是关于氮化镓芯片的详细介绍。 优点： 1.高频率特性：GaN芯片具有优秀的高频特性，可以实现高频率工作，适合用于射频和微波
2024-01-10 10:16:526202 加利福尼亚州托伦斯2024年2月21日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布其GaNFast™氮化镓功率芯片为三星全新发布的“AI机皇”—— Galaxy S24智能手机打造25W超快“加速充电”。
2024-02-22 11:42:041476 纳微氮化镓技术助力Virtual Forest打造太阳能灌溉泵，不仅有效确保粮食安全，同时让印度农民无需再使用远距离电缆或昂贵且有污染的柴油发电机。
2024-04-22 14:07:26954 在电力电子领域，纳微半导体凭借其卓越的GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅功率半导体技术，已成为行业内的佼佼者。近日，该公司受邀参加6月11日至13日在德国纽伦堡举行的PCIM 2024电力电子展，并在“纳微芯球”展台上展示其最新技术成果。
2024-05-30 14:43:081171 近日，纳微半导体CEO Gene Sheridan做客CNBC，与WORLDWIDE EXCHANGE主持人Frank Holland对话，分享了在AI数据中心所需电源功率呈指数级增长的需求下，下一代氮化镓和碳化硅将迎来怎样的火热前景。
2024-06-13 10:30:041343 加利福尼亚州托伦斯2024年6月20日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）近日宣布其GaNFast氮化镓功率芯片获
2024-06-21 14:45:442670 在科技日新月异的今天，充电技术正不断取得新的突破。近日，纳微半导体宣布其先进的GaNFast氮化镓功率芯片被联想两款全新充电器所采用，为消费者带来了前所未有的快充体验。这两款充电器分别是小新105W
2024-06-22 14:13:491787 近日，纳微半导体推出了全新一代高度集成的氮化镓功率芯片——GaNSlim™。这款芯片凭借卓越的集成度和出色的散热性能，在手机和笔记本电脑充电器、电视电源以及固态照明电源等多个领域展现出了巨大潜力。
2024-10-17 16:02:311138 辉煌的十年。 如今，纳微在氮化镓产品线上不断拓展，最近重磅发布全新一代高度集成的氮化镓功率芯片产品——GaNSlim，其凭借最高级别的集成度和散热性能，可为手机和笔记本电脑充电器、电视电源、固态照明电源等领域，进一步
2024-10-23 09:43:592386 
近日，GaNFast氮化镓功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布其氮化镓和碳化硅技术进入戴尔供应链，为戴尔AI笔记本打造功率从60W至360W的电脑适配器。
2025-02-07 13:35:081237 
唯一全面专注的下一代功率半导体公司及下一代氮化镓（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技术领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）今日重磅发布全球首款量产级650V双向GaNFast氮化镓
2025-03-13 15:49:392996 
纳微高功率GaNSafe氮化镓功率芯片已达到电动汽车所需的量产表现，可为车载充电机（OBC）和高压转低压的DC-DC变换器解锁前所未有的功率密度和效率表现 加利福尼亚州托伦斯 2025年4月15
2025-04-17 15:09:264300 
全集成保护型氮化镓功率芯片搭配双向无损耗电流检测，效率提升4%、系统成本降低15%、PCB占位面积缩小40% 加利福尼亚州托伦斯2025年5月1日讯——纳微半导体今日正式宣布推出 全新专为电机驱动
2025-05-09 13:58:181260 
纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力，可以显著简化GaN驱动电路设计，提升系统可靠性并降低系统成本。
2025-06-09 09:05:591599 
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