以上，这也是目前氮化镓在手机充电器上广泛被应用的重要原因。 氮化镓GaNFast TM 是纳微半导体此前被广泛应用的氮化镓功率芯片系列，纳微半导体销售营运总监李铭钊介绍到，目前全球超过140款量产中的充电器都采用了纳微的方案，大约150款
2021-11-26 09:42:13
6891 前不久，纳微半导体刚刚发布全球首款量产级的650V双向GaNFast氮化镓功率芯片。
2025-06-03 09:57:502392 
增加GaNSense™技术，全新GaNFast™氮化镓功率芯片通过实时智能传感和保护，为40亿美元的手机充电器和消费市场带来最高效率和可靠性。
2021-11-08 10:21:262519 
氮化镓 （GaN） 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克代码：NVTS）宣布，戴尔已采用纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片为其 Latitude 9000 系列高端笔记本电脑实现快充。
2021-12-30 15:06:091790 
— 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及GaNFast™氮化镓功率芯片和GeneSiC™碳化硅功率器件行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日发布 全新一代高度集成的氮化镓功率芯片产品——GaNSlim™ ，其凭借 最高级别的集成度和散热性能 ，可为 手机
2024-10-17 16:31:091305 
GaNFast功率半导体建模(氮化镓)
2023-06-19 07:07:27
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
200℃。
1972年，基于氮化镓材质的 LED 发光二极管才被发明出来（使用掺有镁的氮化镓），。这是里程碑式的历史事件。虽然最初的氮化镓 LED ，它的亮度还不足以商用，但这是人类第一次制备出能够发出蓝
2023-06-15 15:50:54
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
。
与硅芯片相比：
1、氮化镓芯片的功率损耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸为硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解决方案更便宜
然而，虽然 GaN 似乎是一个更好的选择，但它
2023-08-21 17:06:18
；这也说明市场对于充电器功率的市场需求及用户使用的范围；随着小米65W的充电器的发布，快速的走进氮化镓快充充电器时代。目前市面上已经量产商用的氮化镓方案主要来自PI和纳微半导体两家供应商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
/ 45W+18W / 18W）最大输出功率，100-200V 50/60Hz 电网下可提供 50W（45W+5W / 45W / 18W）最大输出功率。 充电器采用第三代氮化镓芯片制作，集功率器件、驱动、保护
2022-06-14 11:11:16
现在越来越多充电器开始换成氮化镓充电器了，氮化镓充电器看起来很小，但是功率一般很大，可以给手机平板，甚至笔记本电脑充电。那么氮化镓到底是什么，氮化镓充电器有哪些优点，下文简单做个分析。一、氮化镓
2021-09-14 08:35:58
的代替材料就更加迫切。
氮化镓（GaN）被称为第三代半导体材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更适合做大功率器件、体积更小、功率密度更大。氮化镓芯片频率远高于硅，有效降低内部变压器等原件体积，同时优秀
2025-01-15 16:41:14
的体量优势会被碳化硅基氮化镓愈发陡峭的价格侵蚀曲线所抵消，市场在积极地开发其廉价替代品。通过早期的CATV应用，碳化硅基氮化镓和硅基氮化镓之间的性能差距已经显著缩小，所产生的经济高效的硅基氮化镓功率
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。 与LDMOS相比，硅基氮化镓的性能优势已牢固确立——它可提供超过70%的功率效率，将每单位面积的功率提高4到6倍，并且可扩展至高频率。同时，综合测试
2018-08-17 09:49:42
AN011: NV612x GaNFast功率集成电路(氮化镓)的热管理
2023-06-19 10:05:37
，只应用在高端充电器上。一些小功率的，高性价比的充电器无法享受到氮化镓性能提升所带来的红利。目前，国内已经有多家厂商推出了用于33-100W大功率充电器的合封芯片，通过将氮化镓开关管，控制器以及驱动器
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 编辑
整合意法半导体的制造规模、供货安全保障和电涌耐受能力与MACOM的硅上氮化镓射频功率技术，瞄准主流消费
2018-02-12 15:11:38
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件既具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点，又比碳化硅基氮化镓器件在成本上更具有优势，采用硅来做氮化镓衬底，与碳化硅基氮化镓相比，硅基氮化镓晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
多个方面都无法满足要求。在基站端，由于对高功率的需求，氮化镓（GaN）因其在耐高温、优异的高频性能以及低导通损耗、高电流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
，在半桥拓扑结构中结合了频率、密度和效率优势。如有源钳位反激式、图腾柱PFC和LLC。随着从硬开关拓扑结构到软开关拓扑结构的改变，初级FET的一般损耗方程可以最小化，从而提升至10倍的高频率。
氮化镓功率芯片前所未有的性能表现，将成为第二次电力电子学革命的催化剂。
2023-06-15 15:53:16
6×8mm QFN 封装中，用于交流电或400V 直流电的输入应用。
无论是“全桥”还是“半桥”电路设计，纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片都能够支持。GaNFast 氮化镓功率芯片具备适用性极强
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
尽可能提高（和降低）。氮化镓在任何功率级别都很关键。工程师正努力提高切换速度、效率和可靠性，同时减小尺寸、重量和元件数量。从历来经验来看，您必须至少对其中的部分因素进行权衡，但德州仪器正通过所有这些优势
2020-10-27 09:28:22
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的充电器件运行速度，比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化镓相比传统的硅，可以在更小的器件空间内处理更大的电场，同时提供更快的开关速度。此外，氮化镓比硅基半导体器件，可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证，特推出“氮化镓系列”，告诉大家什么是氮化镓（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
=rgb(51, 51, 51) !important]与砷化镓和磷化铟等高频工艺相比，氮化镓器件输出的功率更大；与LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工艺相比，氮化镓的频率特性更好。氮化镓器件的瞬时
2019-07-08 04:20:32
组件连手改变电力电子产业原本由硅组件主导的格局。氮化镓材料具有低Qg、Qoss与零Qrr的特性，能为高频电源设计带来效率提升、体积缩小与提升功率密度的优势，因此在服务器、通讯电源及便携设备充电器等领域
2021-09-23 15:02:11
明佳达电子优势供应氮化镓功率芯片NV6127+晶体管AON6268丝印6268，只做原装，价格优势，实单欢迎洽谈。产品信息型号1：NV6127丝印：NV6127属性：氮化镓功率芯片封装：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
OPPO公司分享了这一应用的优势，一颗氮化镓可以代替两颗硅MOS，体积更小、更节省空间，且阻抗比单颗硅MOS更低，可降低在此路径上的热量消耗，降低充电温升，提升充电的恒流持续时间。不仅如此，氮化镓有
2023-02-21 16:13:41
尽可能提高（和降低）。氮化镓在任何功率级别都很关键。工程师正努力提高切换速度、效率和可靠性，同时减小尺寸、重量和元件数量。从历来经验来看，您必须至少对其中的部分因素进行权衡，但德州仪器正通过所有这些优势
2022-11-10 06:36:09
，氮化镓器件可以在同一衬底上集成多个器件，使得单片式电源系统可以更直接、更高效和更具成本效益地在单芯片上进行设计。集成功率级诸如EPC23102为设计人员提供了一个比基于分立器件方案的体积小35
2023-06-25 14:17:47
用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57:31
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
纳微半导体向福布斯详细介绍了纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片的相关信息，并且介绍了氮化镓功率芯片在电动汽车以及电动交通工具等方面的应用。
2021-08-24 09:39:212061 
截至 2021 年 5 月，超过 2000 万片纳微 GaNFast™️ 氮化镓功率芯片已经成功出货。
2021-08-24 09:42:301765 
小米 65W 1A1C 氮化镓充电器，采用了纳微半导体 NV6115 GaNFast 氮化镓功率芯片。该芯片采用 5×6mm 的 QFN 封装，并且采用高频软开关拓扑，集成氮化镓开关管、独立驱动器以及逻辑控制电路。
2021-08-24 09:48:102573 
氮化镓作为下一代半导体技术，其运行速度比传统硅功率芯片快 20 倍。纳微半导体以其专有的GaNFast™氮化镓功率集成芯片技术，集成了氮化镓功率场效应管（GaN Power［FET］）、驱动、控制和保护模块在单个SMT表面贴装工艺封装中。
2022-03-29 13:45:132201 氮化镓 （GaN） 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技术的智能GaNFast功率芯片已升级以提高效率和功率密度，将加速进入更多类型的快充市场。
2022-05-05 10:32:562302 美国加利福尼亚州埃尔塞贡多，2022 年 5 月10日：氮化镓 （GaN） 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克代码：NVTS）正式发布 NV6169，这是一款采用 GaNSense™技术的650/800 V 大功率GaNFast™芯片，可满足高功率应用。
2022-05-11 11:24:312749 ，近期小米旗下最新发布的 RedmiBook Pro笔记本电脑系列标配 100W 氮化镓快充已采用搭载纳微下一代 GaNSense™ 技术的新一代智能 GaNFast™ 氮化镓功率芯片。 全球
2022-07-01 14:39:402312 
（GaN）。在这些潜在材料中，氮化镓或氮化镓正得到广泛认可和青睐。这是因为GaN晶体管与材料晶体管相比具有几个优势。
2022-12-13 10:00:083919 样的背景下，一种新型的功率半导体——氮化镓（GaN）的出现，那么氮化镓工艺优点和缺点有哪些呢？ 氮化镓是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，该化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3．4电子伏特，
2023-02-05 11:31:314543 氮化镓是目前全球最快功率开关器件之一，氮化镓本身是第三代的半导体材料，许多特性都比传统硅基半导体更强。
2023-02-05 12:48:1527982 却可以实现更高的性能。那么氮化镓芯片应用领域有哪些呢？ 而随着氮化镓技术的不断发展，氮化镓也应用在了很多新兴领域。 新型电子器件 GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器
2023-02-05 14:30:084276 与普通半导体的硅材料相比，氮化镓的带隙更宽且导热好，能够匹配体积更小的变压器和大功率电感，所以氮化镓充电器有体积小、效率高、更安全等优势。
2023-02-05 14:33:2022670 一步，推出采用GaNSense™技术的新一代智能GaNFast™氮化镓功率芯片，为氮化镓技术的探索翻开了新的一页。 氮化镓VS传统的硅，节能又减排 众所周知，硅作为晶体管的首选材料，一直是半导体科技的基
2023-02-21 14:57:11
0 增加GaNSense™技术，全新GaNFast™氮化镓功率芯片通过实时智能传感和保护，为40亿美元的手机充电器和消费市场带来最
高效率和可靠性
11月8日，北京–氮化镓（GaN）功率芯片的行业
2023-02-22 13:48:053 下一代氮化镓功率芯片将加速充电更快，驾驶距离更远的电动汽车普及提前三年来到，并减少20%道路二氧化碳排放 2022年1月14日，北京—— 氮化镓 (GaN) 功率芯片的行业领导者 Navitas
2023-02-22 13:49:511 集成的GaNFast氮化镓功率芯片让充电更快、更高效、更便捷。 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者 — 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布旗下
2023-02-28 17:57:131763 在电源领域掀起了翻天覆地的变革。 为简化电路设计，加强器件可靠性，降低系统成本，纳微半导体基于成功的GaNFast™氮化镓功率芯片及先进的GaNSense™技术，推出新一代GaNSense™ Control合封氮化镓功率芯片，进一步加速氮化镓市场普及
2023-03-28 13:58:021876 
更高、可靠性更强。 合封氮化镓芯片的主要特点有： 高效率：合封氮化镓芯片采用了全新的器件结构，使得器件的效率更高，可以达到传统半导体器件的两倍以上。 高功率密度：合封氮化镓芯片采用了多个半导体器件集成在一起的
2023-04-11 17:46:232506 氮化镓是一种二元III/V族直接带隙半导体晶体，也是一般照明LED和蓝光播放器最常使用的材料。另外，氮化镓还被用于射频放大器和功率电子器件。氮化镓是非常坚硬的材料;其原子的化学键是高度离子化的氮化镓化学键，该化学键产生的能隙达到3.4 电子伏特。
2023-05-26 10:10:412272 
氮化镓用途有哪些 氮化镓是一种半导体材料，具有优良的电学和光学性质，因此广泛用于以下领域： 1. 发光二极管(LED)：氮化镓是LED的主要工艺材料之一，可用于制造蓝、绿、白光LED，广泛应用于照明
2023-06-02 15:34:4613933 氮化镓功率器件具有较低的导通阻抗和较高的开关速度，使其适用于高功率和高频率应用，如电源转换、无线通信、雷达和太阳能逆变器等领域。由于其优异的性能，氮化镓功率器件在提高功率密度、提高系统效率和减小尺寸方面具有很大的潜力。
2023-08-24 16:09:154484 氮化镓功率器以氮化镓作为主要材料，具有优异的电特性，例如高电子迁移率、高饱和漂移速度和高击穿电场强度。这使得氮化镓功率器具有低导通电阻、高工作频率和高开关速度等优势，能够在较小体积下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:561027 氮化镓芯片是目前世界上速度最快的电源开关器件之一。氮化镓本身就是第三代材料，很多特性都强于传统的硅基半导体。
2023-09-11 17:17:534150 氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构
2023-09-19 14:50:3410640 
作为第三代半导体材料，氮化镓具有高频、高效率、低发热等特点，是制作功率芯片的理想材料。如今，电源芯片厂商纷纷推出氮化镓封装芯片产品。这些氮化镓芯片可以显著提高充电器的使用效率，减少热量的产生，并且缩小了充电器的体积，使用户在日常出行时更容易携带。
2023-10-07 15:32:331748 
在当今的高科技社会中，氮化镓（GaN）功率器件已成为电力电子技术领域的明星产品，其具有的高效、高频、高可靠性以及高温工作能力等优势在众多领域得到广泛应用。然而，为了确保氮化镓功率器件的性能和可靠性，制定一套科学、规范的测试方案至关重要。
2023-10-08 15:13:231900 
氮化镓快充技术的普及，绝不仅仅是成品数量的增加而已，更重要的是，在芯片层面，氮化镓功率器件的供应商从最初的几家增加到十几家，产品类型多样，主控芯片品牌超过十个，使后续的氮化镓快充市场多元化。开发开辟了最关键的一环
2023-10-12 17:29:081109 不，氮化镓功率器（GaN Power Device）与电容是不同的组件。氮化镓功率器是一种用于电力转换和功率放大的半导体器件，它利用氮化镓材料的特性来实现高效率和高功率密度的电力应用。
2023-10-16 14:52:442506 氮化镓芯片的选用要从实际应用出发，结合实际使用场景，选择最合适的氮化镓芯片，以达到最佳的性能和效果。明确应用场景。首先要明确使用的具体场景，如音频、视频、计算还是其他应用场景。不同的场景对氮化镓芯片的性能和特点要求不同，因此在选择氮化镓芯片时，要充分考虑应用的场景。
2023-10-26 17:02:181576 进入三星进供应链：纳微GaNFast氮化镓功率芯片获三星旗舰智能手机Galaxy S23采用。作为下一代功率半导体技术，氮化镓正持续取代传统硅功率芯片在移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车的市场份额。 Galaxy S23可谓配置“拉满”——配备一块大小为6.1英寸，分辨率为2340×
2023-11-03 14:06:311663 氮化镓芯片是什么？氮化镓芯片优缺点 氮化镓芯片和硅芯片区别 氮化镓芯片是一种用氮化镓物质制造的芯片，它被广泛应用于高功率和高频率应用领域，如通信、雷达、卫星通信、微波射频等领域。与传统的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011008 使用的材料。 氮化镓的提取过程： 氮化镓的提取过程主要包括两个步骤：金属镓的提取和氮化反应。 金属镓的提取 金属镓是氮化镓的基本组成元素之一。为了提取金属镓，我们通常采用化学反应的方法。常用的方法是将氮化镓芯片在高
2023-11-24 11:15:206429 氮化镓激光芯片是一种基于氮化镓材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高温、耐腐蚀等优点，被广泛应用于通信、医疗、工业等领域。下面我们将详细介绍氮化镓激光芯片的用途。 一、通信领域 氮化镓激光芯片
2023-11-24 11:23:155437 氮化镓功率器和氮化镓合封芯片在快充市场和移动设备市场得到广泛应用。氮化镓具有高电子迁移率和稳定性，适用于高温、高压和高功率条件。氮化镓合封芯片是一种高度集成的电力电子器件，将主控MUC、反激控制器、氮化镓驱动器和氮化镓开关管整合到一个...
2023-11-24 16:49:221796 氮化镓（GaN）MOS（金属氧化物半导体）管驱动芯片是一种新型的电子器件，它采用氮化镓材料作为通道和底层衬底，具有能够承受高功率、高频率和高温度的特性。GaN MOS管驱动芯片广泛应用于功率电子
2023-12-27 14:43:233430 氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率器件的结构和原理。 一、氮化镓功率器件结构 氮化镓功率器件的主要结构是GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率
2024-01-09 18:06:416137 氮化镓技术（GaN技术）是一种基于氮化镓材料的半导体技术，被广泛应用于电子设备、光电子器件、能源、通信和国防等领域。本文将详细介绍氮化镓技术的用途和应用，并从不同领域深入探讨其重要性和优势。 一
2024-01-09 18:06:363961 随着信息技术和通信领域的不断发展，对高性能芯片的需求也越来越大。作为半导体材料中的重要组成部分，氮化镓芯片因其优异的性能在近年来受到了广泛关注。本文将详细介绍氮化镓芯片的基本原理及其应用领域，并
2024-01-10 09:25:573841 氮化镓（GaN）MOS管，是一种基于氮化镓材料制造的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。由于氮化镓具有优异的电子迁移率、高电子饱和速度和较高的击穿电压能力，使得氮化镓MOS管在高功率
2024-01-10 09:32:154274 氮化镓作为材料，而硅芯片则采用硅作为材料。氮化镓具有优秀的物理特性，包括较高的电子与空穴迁移率、较高的饱和电子漂移速度和较高的击穿电压等，这些特性使得氮化镓芯片在高功率、高频率和高温环境下表现出较好的性能。
2024-01-10 10:08:143855 氮化镓芯片是一种新型的半导体材料，由于其优良的电学性能，广泛应用于高频电子器件和光电器件中。在氮化镓芯片的生产工艺中，主要包括以下几个方面：材料准备、芯片制备、工厂测试和封装等。 首先，氮化镓芯片
2024-01-10 10:09:414135 氮化镓芯片（GaN芯片）是一种新型的半导体材料，在目前的电子设备中逐渐得到应用。它以其优异的性能和特点备受研究人员的关注和追捧。在现代科技的进步中，氮化镓芯片的研发过程至关重要。下面将详细介绍氮化镓
2024-01-10 10:11:392150 氮化镓（GaN）芯片是一种新型的半导体材料，由氮化镓制成。它具有许多优越的特性，例如高电子迁移率、高耐压、高频特性和低电阻等，这使得它在许多领域有着广泛应用的潜力。以下是几个氮化镓芯片的应用领域
2024-01-10 10:13:193278 硅基氮化镓（SiGaN）集成电路芯片是一种新型的半导体材料，具有广阔的应用前景。它将硅基材料与氮化镓材料结合在一起，利用其优势来加速集成电路发展的速度。本文将介绍硅基氮化镓集成电路芯片的背景、特点
2024-01-10 10:14:582335 氮化镓（GaN）芯片是一种新型的功率半导体器件，具有很多优点和一些缺点。以下是关于氮化镓芯片的详细介绍。 优点： 1.高频率特性：GaN芯片具有优秀的高频特性，可以实现高频率工作，适合用于射频和微波
2024-01-10 10:16:526202 加利福尼亚州托伦斯2024年2月21日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布其GaNFast™氮化镓功率芯片为三星全新发布的“AI机皇”—— Galaxy S24智能手机打造25W超快“加速充电”。
2024-02-22 11:42:041476 加利福尼亚州托伦斯2024年6月20日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）近日宣布其GaNFast氮化镓功率芯片获
2024-06-21 14:45:442671 在科技日新月异的今天，充电技术正不断取得新的突破。近日，纳微半导体宣布其先进的GaNFast氮化镓功率芯片被联想两款全新充电器所采用，为消费者带来了前所未有的快充体验。这两款充电器分别是小新105W
2024-06-22 14:13:491787 氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）都是当前半导体材料领域的佼佼者，它们各自具有独特的优势，应用领域也有所不同。以下是对两者优势的比较： 氮化镓（GaN）的优势 高频应用性能优越 ： 氮化镓具有较高
2024-09-02 11:26:114884 氮化镓（GaN），作为一种具有独特物理和化学性质的半导体材料，近年来在电子领域大放异彩，其制成的氮化镓功率芯片在功率转换效率、开关速度及耐高温等方面优势尽显，在5G通信、新能源汽车、数据中心、消费电子等热门领域，发挥重要的作用。
2024-10-29 16:23:151570 
近日，GaNFast氮化镓功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布其氮化镓和碳化硅技术进入戴尔供应链，为戴尔AI笔记本打造功率从60W至360W的电脑适配器。
2025-02-07 13:35:081237 
唯一全面专注的下一代功率半导体公司及下一代氮化镓（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技术领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）今日重磅发布全球首款量产级650V双向GaNFast氮化镓
2025-03-13 15:49:393001 
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