采用氮化镓材料的电子器件在无桥PFC电路中的应用(2)
GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
ti
+关注
关注
114文章
8054浏览量
218163 -
氮化镓
+关注
关注
66文章
1858浏览量
119211 -
MOSEFT
+关注
关注
0文章
35浏览量
4906
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
慧能泰图腾柱无桥PFC专用数字控制器HP1010A解析
从昼夜不息的数据中心服务器到需要适配各种极端环境的工业电源，人们对高效以及高可靠性的电源解决方案的需求也在不断增加。随着第三代半导体器件氮化镓和碳化硅的大范围应用，图腾柱
云镓半导体发布 3kW 无桥图腾柱 GaN PFC 评估板
桥图腾柱PFC(BTP-PFC)评估板。对于服务器电源/通信电源/移动储能等产品设计有借鉴意义。2.云镓GaN参数优势传统
如何在开关模式电源中运用氮化镓技术
完整的外部电路。图3展示了用于在LTspice中进行评估的LT8418原理图。
图3.在LTspice仿真环境中评估采用GaN电源开关的S
发表于 06-11 10:07
CE65H110DNDI 能华330W 氮化镓方案,可过EMC
深圳市三佛科技有限公司供应CE65H110DNDI 能华330W 氮化镓方案,可过EMC,原装现货
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化镓（GaN）FET是常关
发表于 03-31 14:26
京东方华灿光电氮化镓器件的最新进展
日前，京东方华灿的氮化镓研发总监马欢应半导体在线邀请，分享了关于氮化镓器件的最新进展，引起了行业的广泛关注。随着全球半导体领域对高性能、高效
电力电子器件的换流方式
由于采用电力电子器件作为开关器件，各支路间电流的转移必然包含着电力电子器件开关状态的变化，它包括关断退出工作的已处通态的器件和接通进入工作的
氮化镓（GaN）充电头安规问题及解决方案
器件的性能，使充电头在体积、效率、功率密度等方面实现突破，成为快充技术的核心载体。氮化镓充电头的核心优势：1.体积更小，功率密度更高材料特性
PMP40690 使用C2000™ MCU和GaN的4kW交错式 CCM 图腾柱无桥 PFC 参考设计
此参考设计是一个 4kW 交错式 CCM 图腾柱 （TTPL） 无桥 PFC 参考设计，使用 64 引脚 C2000™ 微控制器、LM3410 氮化
氮化硼散热材料大幅度提升氮化镓快充效能
器件的性能，使充电头在体积、效率、功率密度等方面实现突破，成为快充技术的核心载体。氮化镓充电头的核心优势：1.体积更小，功率密度更高材料特性
垂直氮化镓器件的最新进展和可靠性挑战
过去两年中，氮化镓虽然发展迅速，但似乎已经遇到了瓶颈。与此同时，不少垂直氮化镓的初创企业倒闭或者卖盘，这引发大家对垂直氮化
氮化镓充电器和普通充电器有啥区别？
相信最近关心手机行业的朋友们都有注意到“氮化镓（GaN）”，这个名词在近期出现比较频繁。特别是随着小米发布旗下首款65W氮化镓快充充电器之后
发表于 01-15 16:41
工商网监
评论