纳微GaNFast氮化镓功率芯片获三星旗舰智能手机Galaxy S23采用

从三星S22到S23，下一代GaNFast技术持续在超便携、超快充的手机市场中取代传统硅功率芯片

加利福尼亚托伦斯2023年10月31日讯—纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布再度进入三星进供应链：纳微GaNFast氮化镓功率芯片获三星旗舰智能手机Galaxy S23采用。作为下一代功率半导体技术，氮化镓正持续取代传统硅功率芯片在移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车的市场份额。

Galaxy S23可谓配置“拉满”——配备一块大小为6.1英寸，分辨率为2340×1080的Dynamic AMOLED 2X屏，刷新率为120Hz，屏幕峰值亮度高达1750尼特，同时配备了康宁大猩猩玻璃增加耐用性。性能方面则搭载了高通第二代骁龙8移动平台，8G运存和512G存储空间，使用更加流畅。后置最高达5000万像素的3摄镜头，带来更优异的影像体验。

为支撑强大的性能，Galaxy S23配备一块3900mAh的锂离子电池，搭载GaNFast氮化镓功率芯片的25W充电器（型号为EP-T2510）以及USB PD3.0接口，使其仅需30分钟就能充满50%的电量，并在待机模式下，只消耗5mW的电力。PD 3.0接口意味着这款新充电器可以为从Galaxy Buds2耳机到Galaxy Z Fold5，Galaxy Flip和Galaxy A23的一系列设备供电。

纳微半导体的GaNFast氮化镓功率芯片运用在该充电器的150kHz高频反激(HFQR)拓扑结构中，并凭借着领先的高频性能，使得充电器体积缩小30%以上。此外，纳微的器件具有领先的交付能力、可靠的质量和极高可靠性，完美符合三星严格的资质要求。

纳微半导体

全球高级销售副总裁

David Carroll

“作为移动快充的行业先驱，纳微半导体持续领导着下一代快充市场，目前全球前十大移动设备生产商都在生产我们的GaNFast充电器。

从25W到20MW，我们将不断扩大领先的氮化镓和碳化硅产品组合，全面覆盖从移动设备和消费电子，到电动汽车、太阳能及工业应用的所有领域。”

审核编辑：彭菁