Plating(电镀)是一种电化学过程，通过此过程在基片(wafer)表面沉积金属层。在微电子领域，....
随着极紫外光刻（EUV）技术面临光源功率和掩模缺陷挑战，X射线光刻技术凭借其固有优势，在特定领域正形....
本文介绍了通过LPCVD制备氮化硅低应力膜 氮化硅膜在MEMS中应用十分广泛，可作为支撑层、....
CPU Socket是连接中央处理单元（CPU）与计算机主板之间的关键部件，它充当着传递电信号、电源....
半导体的典型封装工艺流程包括芯片减薄、芯片切割、芯片贴装、芯片互连、成型固化、去飞边毛刺、切筋成型、....
当激光器导通时，开始产生自发辐射的光子直到载流子密度超过一个阈值。因而，产生受激辐射，也就是说，真实....
圆片级封装（WLP），也称为晶圆级封装，是一种直接在晶圆上完成大部分或全部封装测试程序，再进行切割制....
计量学是推动当前及未来几代半导体器件开发与制造的重要基石。随着技术节点不断缩小至100纳米，甚至更小....
晶圆制备是材料科学、热力学与精密控制的综合体现，每一环节均凝聚着工程技术的极致追求。而晶圆清洗本质是....
在半导体存储器测试中，测试图形（Test Pattern）是检测故障、验证可靠性的核心工具。根据测试....
本文介绍了在芯片铜互连工艺中需要阻挡层的原因以及关键工艺流程。
选择性外延生长(SEG)是当今关键的前端工艺(FEOL)技术之一，已在CMOS器件制造中使用了20年....
在半导体制造流程中，晶圆拣选测试（Wafer Sort）堪称芯片从“原材料”到“成品”的关键质控节点....
本文系统梳理了直写式、多电子束与投影式EBL的关键技术路径，涵盖扫描策略、束流整形、邻近效应校正与系....
本文总结了FPGA选型的核心原则和流程，旨在为设计人员提供决策依据，确保项目成功。
光刻胶类型及特性光刻胶（Photoresist），又称光致抗蚀剂，是芯片制造中光刻工艺的核心材料。其....
微管是SiC晶体中极为有害的缺陷，哪怕数量极少，也会对SiC器件的性能产生毁灭性打击。在传统物理气相....
本文介绍了6G技术的关键技术之一：通讯非地面网络。
本文简单介绍了芯片离子注入后退火会引入的工艺问题：射程末端（EOR）缺陷、硼离子注入退火问题和磷离子....
芯片，是人类科技的精华，也被称为现代工业皇冠上的明珠。芯片的基本组成是晶体管。晶体管的基本工作原理其....
装片工序完成后，芯片虽已稳固于载体（基板或框架）之上，但其表面预设的焊盘尚未与封装体构建电气连接，因....
张量处理单元（TPU，Tensor Processing Unit）是一种专门为深度学习应用设计的硬....
本文介绍了倒装芯片键合技术的特点和实现过程以及详细工艺等。
文介绍了高压CMOS技术与基础CMOS技术的区别与其应用场景。
激光划片作为新兴材料加工技术，近年来凭借非接触式加工特性实现快速发展。其工作机制是将高峰值功率激光束....
本文介绍了用抗反射涂层来保证光刻精度的原理。
SiC的物理特性决定了其生长难度。在常压环境下，SiC并无熔点，一旦温度攀升至2000℃以上，便会直....
装片（Die Bond）作为半导体封装关键工序，指通过导电或绝缘连接方式，将裸芯片精准固定至基板或引....
在集成电路设计中，CPU的指令是指计算机中央处理单元（CPU）用来执行计算任务的基本操作指令集。这些....
本主要讲解了芯片封装中银烧结工艺的原理、优势、工程化应用以及未来展望。
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