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中科院半导体所

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PoP叠层封装与光电路组装技术解析

半导体封装正快速走向“堆叠+融合”:PoP把逻辑和存储垂直整合,先测后叠保良率;光电路组装用光纤替代....
的头像 中科院半导体所 发表于 10-10 08:08 10320次阅读
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系统级立体封装技术的发展与应用

系统级立体封装技术作为后摩尔时代集成电路产业的核心突破方向,正以三维集成理念重构电子系统的构建逻辑。
的头像 中科院半导体所 发表于 09-29 10:46 8005次阅读
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碳化硅材料有什么特点

目前车规级IGBT功率模块主要采用硅基材料制作,与硅基半导体材料相比, 以SiC为代表的第三代半导体....
的头像 中科院半导体所 发表于 09-29 10:44 2988次阅读
碳化硅材料有什么特点

一文详解SOI异质结衬底

SOI(silicon-on-insulator,绝缘衬底上的硅)技术的核心设计,是在顶层硅与硅衬底....
的头像 中科院半导体所 发表于 09-22 16:17 7236次阅读
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晶体管的基本结构和发展历程

随着集成电路科学与工程的持续发展,当前集成电路已涵盖二极管、晶体管、非易失性存储器件、功率器件、光子....
的头像 中科院半导体所 发表于 09-22 10:53 1915次阅读
晶体管的基本结构和发展历程

集成电路制造中封装失效的机理和分类

随着封装技术向小型化、薄型化、轻量化演进,封装缺陷对可靠性的影响愈发凸显,为提升封装质量需深入探究失....
的头像 中科院半导体所 发表于 09-22 10:52 1389次阅读
集成电路制造中封装失效的机理和分类

集成电路中场效应晶体管的寄生参数提取方法

栅极电阻的存在对电路性能的影响很大,会引入热噪声,增大电路的噪声系数,影响器件的开关速度和最大振荡频....
的头像 中科院半导体所 发表于 09-22 10:51 1157次阅读
集成电路中场效应晶体管的寄生参数提取方法

HBM技术在CowoS封装中的应用

HBM通过使用3D堆叠技术,将多个DRAM(动态随机存取存储器)芯片堆叠在一起,并通过硅通孔(TSV....
的头像 中科院半导体所 发表于 09-22 10:47 2670次阅读

一文详解BSIM-SOI模型

随着半导体工艺进入纳米尺度,传统体硅(Bulk CMOS)技术面临寄生电容大、闩锁效应等瓶颈。SOI....
的头像 中科院半导体所 发表于 09-22 10:41 2606次阅读
一文详解BSIM-SOI模型

一文详解半导体与CMOS工艺

天然沙子里富含二氧化硅(SiO₂),人们能够从沙子中提取高纯度单晶硅,以此制造集成电路。单晶硅对纯度....
的头像 中科院半导体所 发表于 09-17 16:13 1834次阅读
一文详解半导体与CMOS工艺

拉曼光谱的基础知识

想象一下,如果我们能够"听见"分子的"声音",那会是什么样的?拉曼光谱技术正是这样一种神奇的工具,它....
的头像 中科院半导体所 发表于 09-17 16:11 2895次阅读
拉曼光谱的基础知识

光伏电池的发展历程和分类

2025 光伏电池的研究起源可追溯至 1883 年,科学家 Charles Fritts 采用硒半导....
的头像 中科院半导体所 发表于 09-17 16:09 2029次阅读
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电源管理芯片常见术语

PMIC (Power Management Integrated Circuit):电源管理集成电....
的头像 中科院半导体所 发表于 09-17 16:07 1428次阅读

一文详解TEM中的非弹性散射和电子束损伤

为什么非弹性散射值得我们关注?因为这类散射过程产生了多种信号,每种信号都能提供比弹性电子更丰富的样品....
的头像 中科院半导体所 发表于 09-16 11:30 2190次阅读
一文详解TEM中的非弹性散射和电子束损伤

离子注入技术的常见问题

离子注入单晶靶材时,因靶体存在特定晶向,其对入射离子的阻滞作用不再如非晶材料般呈现各向同性。沿硅晶体....
的头像 中科院半导体所 发表于 09-12 17:16 2982次阅读
离子注入技术的常见问题

一文详解TEM中的弹性散射

弹性散射电子是TEM图像衬度的主要来源,同时也产生衍射图样(DPs)的大部分强度,因此理解控制这一过....
的头像 中科院半导体所 发表于 09-10 15:20 3054次阅读
一文详解TEM中的弹性散射

一文读懂共聚焦拉曼显微镜

拉曼散射通常是一种非常微弱的效应,因为激发的光子与参与散射过程的分子之间存在非谐振的相互作用。因此,....
的头像 中科院半导体所 发表于 09-09 09:50 1683次阅读
一文读懂共聚焦拉曼显微镜

一文详解空间辐射诱发单粒子效应

在空间辐射环境下,高能质子与重离子的作用会诱发单粒子效应。诱发这类单粒子效应的空间辐射,主要来源于两....
的头像 中科院半导体所 发表于 09-08 09:57 1620次阅读
一文详解空间辐射诱发单粒子效应

PDK在集成电路领域的定义、组成和作用

PDK(Process Design Kit,工艺设计套件)是集成电路设计流程中的重要工具包,它为设....
的头像 中科院半导体所 发表于 09-08 09:56 3073次阅读

TEM中散射和衍射的基本原理

电子是低质量、带负电荷的粒子,经过其他电子或原子核附近时易被库仑相互作用偏转。这种静电作用引起的散射....
的头像 中科院半导体所 发表于 09-08 09:52 2209次阅读
TEM中散射和衍射的基本原理

NAND Flash的基本原理和结构

NAND Flash是什么?NAND Flash(闪存)是一种非易失性存储器技术,主要用于数据存储。....
的头像 中科院半导体所 发表于 09-08 09:51 7754次阅读
NAND Flash的基本原理和结构

一文详解单粒子效应的电荷收集

在探讨单粒子翻转基本机理时,深入理解并掌握各类电荷收集过程及其作用机理至关重要,这些过程与机理对明确....
的头像 中科院半导体所 发表于 09-08 09:50 1511次阅读
一文详解单粒子效应的电荷收集

一文详解半导体器件中的单粒子效应

我们知道,带电离子穿透半导体材料的过程中,会与靶材原子发生交互作用,沿离子运动轨迹生成电子 - 空穴....
的头像 中科院半导体所 发表于 09-08 09:48 1893次阅读
一文详解半导体器件中的单粒子效应

LOCOS工艺中鸟喙效应的形成原因和解决措施

集成电路采用LOCOS(Local Oxidation of Silicon)工艺时会出现“鸟喙效应....
的头像 中科院半导体所 发表于 09-08 09:42 1525次阅读
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晶圆级MOSFET的直接漏极设计

本文主要讲述什么是晶圆级芯粒封装中的分立式功率器件。 分立式功率器件作为电源管理系统的核心单元,涵盖....
的头像 中科院半导体所 发表于 09-05 09:45 3547次阅读
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详解超高密度互连的InFO封装技术

InFO-R作为基础架构,采用"芯片嵌入+RDL成型"的工艺路径。芯片在晶圆级基板上完成精准定位后,....
的头像 中科院半导体所 发表于 09-01 16:10 3040次阅读
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简单认识MEMS晶圆级电镀技术

MEMS晶圆级电镀是一种在微机电系统制造过程中,整个硅晶圆表面通过电化学方法选择性沉积金属微结构的关....
的头像 中科院半导体所 发表于 09-01 16:07 2477次阅读
简单认识MEMS晶圆级电镀技术

芯片封装的功能、等级以及分类

在摩尔定律趋近物理极限、功率器件制程仍停留在百纳米节点的背景下,芯片“尺寸缩小”与“性能提升”之间的....
的头像 中科院半导体所 发表于 08-28 13:50 2176次阅读

详解WLCSP三维集成技术

晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)因其“裸片即封装”的极致尺寸与成本优势,已成为移动、可穿戴及 IoT....
的头像 中科院半导体所 发表于 08-28 13:46 3560次阅读
详解WLCSP三维集成技术

详解SPICE器件模型的分类

今天我们来聊聊工程师在仿真时比较关注的问题。众多的器件模型,我在仿真的时候到底应该怎么选择一个器件的....
的头像 中科院半导体所 发表于 08-28 13:42 1821次阅读
详解SPICE器件模型的分类