一文详解SOI异质结衬底

文章来源：学习那些事

原文作者：前路漫漫

本文介绍了与SOI相关的技术。

SOI（silicon-on-insulator，绝缘衬底上的硅）技术的核心设计，是在顶层硅与硅衬底之间引入一层氧化层，这层氧化层可将衬底硅与表面的硅器件层有效分隔（见图 1）。借助在绝缘体上形成半导体薄膜的结构，SOI 材料具备体硅无法比拟的优势：能实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底根除体硅 CMOS 电路中的闩锁（Latch-up）效应；基于该材料制作的集成电路还拥有寄生电容低、集成密度高、运行速度快、制备工艺简化、短沟道效应弱等特点，尤其适配低压低功耗电路场景，因此 SOI 有望成为深亚微米级低压低功耗集成电路的主流技术方向。

SOI 的核心材料主要包括三类：通过注氧隔离制备的 SIMOX（separation by implanted oxygen，注氧隔离）材料、经硅片键合与反面腐蚀制成的 BESOI（bonding-etchback SOI，键合 - 回蚀 SOI）材料，以及融合键合与离子注入技术的 Smart Cut SOI 材料。在这三类材料中，SIMOX 适用于制备薄膜全耗尽超大规模集成电路，BESOI 材料更适配部分耗尽集成电路的制作；而后续发展的 Smart Cut（智能剥离）技术，整合了 SIMOX 与 BESOI 的优势，属于极具发展潜力的 SOI 材料，未来有望成为 SOI 材料的主流类型。

注氧隔离技术（SIMOX）

作为 SOI 圆片制备领域发展最早的技术之一，SIMOX 曾被认为有望实现大规模应用。该技术的核心步骤包含离子注入与高温退火 —— 具体为高能量、高剂量的氧离子注入及后续退火处理，其中注入能量通常为几十 keV，注入剂量约为 1×10¹⁸ cm⁻²。在注入过程中，氧离子进入硅圆片内部并与硅发生反应，形成二氧化硅沉淀物；经过 1150℃下 2 分钟的退火处理后，可在硅圆片表面下方 380nm 处形成厚度为 210nm 的 SiO₂层，其工艺流程如图 2 所示。

尽管 SIMOX 技术因发展历史悠久而相对成熟，但长时间大剂量的离子注入，以及后续需进行的超高温长时间退火工艺，导致 SIMOX 材料在质量稳定性与成本控制方面难以实现突破，这也是目前该技术尚未被产业界完全接纳并大规模应用的根本原因。SIMOX 技术面临的核心难点包括：颗粒污染控制、埋层（尤其低剂量 / 超低剂量埋层）的结构完整性、金属杂质沾污、界面台阶控制、界面与表面粗糙度，以及表层硅中的缺陷问题，其中材料质量的稳定性更是难以保证。

薄膜全耗尽（FDSOI）

通常依据绝缘体上硅膜的厚度，可将 SOI 结构划分为薄膜全耗尽（FD，fully depleted）与厚膜部分耗尽（PD，partially depleted）两类。由于 SOI 具备介质隔离特性，制作于厚膜 SOI 结构上的器件，其正面与背面界面的耗尽层互不影响，两层之间存在一个中性体区。该中性体区的存在会使硅体处于电学浮空状态，进而产生两种明显的寄生效应：一是 “翘曲效应”（即 Kink 效应），二是器件源极与漏极之间形成的基极开路 NPN 寄生晶体管效应。若将该中性区通过体接触接地，厚膜 SOI 器件的工作特性便与体硅器件几乎一致。

而基于薄膜 SOI 结构的器件，因硅膜可实现完全耗尽，能彻底消除 “翘曲效应”；同时这类器件还具备低电场、高跨导、优异的短沟道特性，以及接近理想值的亚阈值斜率等优势，因此薄膜全耗尽 FDSOI 被认为是极具前景的 SOI 结构类型。

键合技术（BESOI）

通过键合（bond）技术，可使硅（Si）与二氧化硅（SiO₂）、或二氧化硅与二氧化硅之间的两个圆片紧密结合，并在两圆片中间形成 SiO₂层作为绝缘层。BESOI 圆片的制备需在键合完成后，将其中一个圆片的一侧削薄至目标厚度，整个过程分为三步（见图 3）。

键合技术面临的核心问题是表层硅厚度的均匀性控制，这也是限制该技术广泛推广的根本原因。除此之外，键合边缘的控制、界面缺陷、圆片翘曲度与弯曲度的控制、滑移线抑制、颗粒污染防控、崩边问题，以及界面沾污等，均是制约 BESOI 产业化制备的关键技术难题。而成品率与成本控制，则是决定键合类 SOI 产品能否被量产客户接受的核心商业因素。另外，Wafer A（待减薄圆片）的减薄效率，也是影响 BESOI 技术实用化进程的重要因素，具体可参考图 3（c）。

智能剥离法（Smart-cut）

Smart-cut（智能剥离）技术是融合 SIMOX 技术与 BESOI 技术优势的创新工艺，既继承了两者的核心特点，又克服了各自的不足，属于当前较为理想的 SOI 制备方案。其技术特征体现在改进型 Smart-cut 制备 SOI 基底的流程中：通过该工艺制备 SOI 基底后，结合电子束光刻与深反应离子刻蚀技术，可制作具有二维周期结构的光子晶体，同时引入线缺陷构建光子晶体波导。该技术主要包含四个关键步骤，具体如图 4 所示。

H⁺离子注入：在室温环境下，以特定能量向硅片 A 注入定量 H⁺离子，使硅片表层下方形成一层富含 H⁺离子的硅层；与此同时，对支撑硅片进行热氧化处理，在其表面生成一层氧化层，具体结构如图 4（a）所示。

预键合：先对硅片 A 与另一硅片 B 进行严格的清洗与活化处理，随后在室温下将两片硅片的抛光面贴合，实现初步键合，如图 4（b）所示。需注意，硅片A 与 B 中至少有一片的键合表面需通过热氧化法生长SiO₂层，该层将作为 SOI 结构中的隐埋绝缘层。

热处理：整体分为两步进行：第一步，将键合后的硅片置于高温环境中，注入的高浓度 H⁺离子层会发生成核并形成气泡，气泡急剧膨胀促使硅片在富含 H⁺离子的层位发生剥离，剥离后的硅层留存备用，剩余硅层则作为 SOI 结构的顶部硅层，如图 4（c）所示；第二步，通过高温热处理进一步提升键合界面的结合强度，并消除 SOI 层中因离子注入产生的结构损伤。

化学机械抛光：对剥离后的硅片表面进行抛光处理，降低表面粗糙度，如图 4（d）所示。断裂面经轻度抛光后，即可达到体硅的表面光洁度，目前已能制备出顶层硅厚度为 200±4nm 的 4 英寸SOI 材料。

SOI 片顶层硅膜的厚度与 H⁺注入能量直接相关：H⁺注入能量越高，H⁺注入峰的深度越大，顶层硅膜的厚度也随之增加。表 9-1 详细列出了器件层厚度与 H⁺注入能量的对应关系。

相较于 SIMOX 与 BESOI 两种 SOI 制备技术，Smart-cut 技术的优势十分显著：其一，H⁺注入剂量仅为 1×10¹⁶ cm⁻²，比 SIMOX 低两个数量级，可采用普通离子注入机完成，降低设备成本；其二，埋氧层通过热氧化工艺形成，不仅 Si/SiO₂界面质量优异，氧化层本身性能也更稳定；其三，剥离后的硅片可重新作为键合衬底循环使用，大幅降低原材料消耗，同时硅层减薄效率显著提升。因此，Smart-cut 技术已成为 SOI 材料制备领域中竞争力最强、发展前景最广的技术之一。自 1995 年开发以来，该技术发展迅速，法国 SOITEC 公司已能提供基于 Smart-cut 技术制备的商用 SOI 硅片，并拥有相关核心专利。

GaAs 和 Ge 有源衬底层

当互补型金属氧化物半导体（CMOS）场效应管的栅极长度接近 10nm 后，传统 CMOS 技术的缩放效应面临根本性的物理限制。下表对比了几类相关半导体材料的电学性质。

由于 GaAs 系列 Ⅲ-Ⅴ 族化合物半导体的电子迁移率远高于硅材料，因此有望替代硅用于制作 nMOSFET。不过，Ⅲ-Ⅴ 族 MOSFET 的研发面临两大核心挑战：一是如何在硅基平台上集成高品质的 GaAs 系列 Ⅲ-Ⅴ 族沟道层材料；二是如何实现稳定的 Ⅲ-Ⅴ 族半导体 / 高 k 栅绝缘层界面，并规避常见的费米能级钉扎效应（Fermi Pinning Effect，该效应会导致金属栅的费米能级被钉扎在半导体禁带中央附近，无法满足双金属栅 MOS 器件对阈值电压的要求）。

近年来，薄膜淀积技术取得显著突破。H.J.Oh 团队报道了在氧化硅上生长砷化镓绝缘体的成果，成功实现硅基平台上的 GaAs 异质外延层制备；结合金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术，进一步制作出 InGaAs/HfO₂叠层结构，有效规避了界面费米能级钉扎问题，基于该结构的 NMOS 场效应管速度比传统硅基器件快近 3 倍。

对于 pMOSFET 而言，锗硅（GeSi）异质结系列半导体的空穴迁移率远高于硅材料，因此可作为硅的替代材料制作 pMOSFET。由于锗材料与硅材料的晶格匹配度较高，在硅基底上制备锗硅系列 pMOSFET 的难度相对较低。MT.Currie 团队与张雪锋团队通过在高 k 介质与 Ge 表面引入 HfO₂/HfON 叠层栅介质，制作出的 pMOS 器件有效迁移率可达硅基器件的 2 倍左右。

图 5 展示了以 GaAs 为 nMOS、Ge 为 pMOS 的下一代硅基 CMOS 结构，该结构仍以硅基 SOI 为衬底材料，有望成为下一代集成电路（IC）中 CMOS 的首选电路单元。

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