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模拟技术

意法半导体亮相2025电源网工程师技术高峰论坛
‍‍‍‍‍‍‍‍2025年11月22日,电源网工程师技术高峰论坛在深圳盛大启幕。这场行业盛会汇聚了知名院校学者与国内外半导体厂商专家,共同分享前沿行业展望、展示最新解决方案。现场吸引了1000余名与会者,参观大会的展位和演讲活动。
中微爱芯零漂移双向电流检测放大器AiP8280介绍
在工业控制、电源管理等场景中,电流检测的精准度、抗干扰能力和适配范围直接决定系统可靠性。AiP8280作为一款专为严苛场景设计的电流检测放大器,以超宽共模电压、超低误差和高速响应三大核心优势,打破传统检测局限,成为工程师手中的精准检测利器。
运算放大器的核心组成与典型结构
运算放大器是模拟电路与混合信号电路的核心基础模块,其性能直接决定电子系统的信号处理精度与稳定性。掌握其工作原理、设计方法及优化策略,是理解模拟集成电路机制、开展电路研发的关键。以下从基础特性出发,探讨核心组成、典型结构,并结合设计案例展开技术说明,为实践提供指引。
上海贝岭BL380X系列零漂移运算放大器产品介绍
在现代电子系统设计中,运算放大器作为信号处理的核心元件,其性能直接决定了信号链路的品质与输出信号的可靠性。尤其在工业测量、医疗电子、仪表仪器等高精度应用场景中,对运放芯片的低失调低温漂特性、长期稳定性及复杂环境适应性提出了严苛要求。上海贝岭高精度零漂移系列运算放大器BL3801/BL3802/BL3804(合称BL380X),凭借其优异的性能,为设计工程师提供了一个理想的解决方案。
解析GaN与SiC在太阳能逆变器中的应用方案
光伏发电(PV)是一种将阳光转化为电能的技术,这个过程涉及使用太阳能电池来捕获太阳能并将其转化为可用的电力;然后,使用逆变器将太阳能电池产生的电力从直流电(DC)转换为交流电(AC),这些交流电可为电气设备供电或反馈到电网供他人使用。太阳能行业在过去几十年中发展迅速,成为全球向可再生能源转变的关键参与者。
模拟DCDC电源芯片ASP3605S引脚功能及控制环路分析
ASP3605S 是国科安芯推出的一款高效的同步降压调节器,能够提供最大 5A 的输出电流。它支持 4V 至 15V 的输入电压范围,适用于电池供电设备、汽车电源系统等应用。
Wolfspeed碳化硅产品在恶劣环境中实现更优系统耐久性
可靠性是测量或方法的一致性。可靠性对我们行业的重要性再怎么强调也不为过。然而,一个必要的、可以带来可靠性阶跃式提升的概念讨论得较少:即我们 Wolfspeed 所强调的"耐久性",或有些人所说的"稳固性"。诸如电动船舶和铁路牵引逆变器、商用及重型车辆、可再生能源发电厂以及脉冲电源系统等应用,正在不断挑战电力系统的运行极限。这些应用中对系统耐久性日益增长的需求,引发了一系列新的设计挑战和性能期望。
MOSFET的三重防护(3)
OK,还剩MOSFET的最后一重防护,就是在DS之间加TVS做保护,对应的就是下图TVS3的位置。
新思科技重新定义模拟与混合信号芯片设计模式
新思科技近日荣获 Frost & Sullivan 颁发的“2025年度模拟存内计算技术创新领导者”称号,充分体现了公司在AI驱动的模拟与混合信号(AMS)EDA 解决方案领域的领先实力。
SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的代表性材料,下图1展示了SiC的材料优势,相较于 Si,SiC 具有更高的禁带宽度,使 SiC 器件的工作温度可达 300℃以上(传统 Si 器件为150 ℃),适用于高温环境;此外,高禁带宽度使 SiC 的本征载流子浓度更低,从而大幅减小了器件的漏电流。SiC 具有更高的热导率,使 SiC 器件在相同散热系统下可耗散掉更高的热量,从而提升功率密度;同时 SiC 的高热导率有助于优化散热设计,从而增强器件在高功率应用中的稳定性。
德州仪器GaN器件释放光伏系统更多潜能
如何尽可能高效地利用太阳能,光伏逆变器的性能是技术创新的核心。其中一项创新涉及使用氮化镓 (GaN)。
领慧立芯LHA7530系列高精度ADC国产替代CS5530系列
作为曾广泛应用于工业控制、称重传感、温度监测等领域的经典 24 位 Σ-Δ 型 ADC 芯片,Cirrus Logic 旗下 CS5530 系列已即将步入停产流程 ——2026 年 9 月 12 日将迎来最终停产(EOL)节点,供应链端因晶圆厂关闭导致的结构性调整,让依赖该芯片的企业面临 “断供” 危机。寻找性能匹配、供应可靠的替代方案已成为紧迫任务。
安森美垂直GaN技术赋能功率器件应用未来
在传统横向结构的GaN器件中,电流沿芯片表面流动。而垂直 GaN 的 GaN 层生长在氮化镓衬底上,其独特结构使电流能直接从芯片顶部流到底部,而不是仅在表面流动。这种垂直电流路径让器件能够承受更高的电压和更大的电流,从而实现更高的功率密度、更高的效率和更紧凑的系统设计。
如何防止推挽式转换器中的变压器饱和
本期,为大家带来的是《优化放大器电路中的输入和输出瞬态稳定时间》,将讨论如何利用死区时间内的磁通量衰减效应,来有效防止推挽式转换器中的变压器饱和问题。
中科银河芯全新推出GXC400 RTD至数字输出转换器
RTD(热阻式温度检测器)基于材料电阻随温度“灵敏变化”的特性实现对温度的测量。其中应用最广泛的铂电阻RTD(PT-RTD),测温范围最高可超过800℃,并具备良好的精度、可重复性与线性表现,因此被广泛用于工业高温监控、医疗电子精密温控以及仪器仪表等高精度测量场景。
合科泰MOS管在现代电源控制系统中的应用
在现代电源控制系统中,MOS管已成为不可或缺的核心器件。其最基础且核心的作用,是作为高速开关元件,如通过栅极电压的高低变化,快速切换源极与漏极之间的导通和截止状态,进而实现对电源电路的精确管理。这种开关功能并非简单的通断,而是深度参与电源转换、能量分配的关键环节,是电源系统实现高效、稳定运行的基础。
过采样技术如何提高ADC的动态性能
你是否也遇到过分辨率不足、噪声过高的问题?在高速、高精度的信号采集场景中,ADC的动态性能往往成为系统瓶颈。其实,解决方案可能比你想象的简单——过采样技术,正在悄悄改变游戏规则。
意法半导体TSB18系列运算放大器的应用示例
意法半导体TSB18系列运算放大器完美融合了高精度、多功能性、高效能和可靠性优势。无论您正在设计工业控制系统、汽车电子、医疗设备还是仪器仪表,TSB181和TSB182高精度运算放大器都能满足严苛应用对高精度、低噪声和宽频带的要求。
意法半导体高压MOSFET明星产品深度解析
高压MOSFET作为功率半导体领域的核心器件,凭借高耐压、低损耗、高速开关的核心优势,已成为工业电源、新能源储能、汽车电动化等场景实现高效能量转换的“关键引擎”。意法半导体深耕高压MOSFET技术研发,以全系列产品与创新方案,为多领域发展注入强劲动力。
使用MOS管实现缓启动电路的原理分析
在热拔插的过程中,两个连接器的机械接触,触点在瞬间会出现弹跳,电源不稳,发生震荡。这期间系统工作可能造成不稳定。
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