碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的代表性材料，下图1展示了SiC的材料优势，相较于 Si，SiC 具有更高的禁带宽度，使 SiC 器件的工作温度可达 300℃以上(传统 Si 器件为150 ℃)，适用于高温环境;此外，高禁带宽度使 SiC 的本征载流子浓度更低，从而大幅减小了器件的漏电流。SiC 具有更高的热导率，使 SiC 器件在相同散热系统下可耗散掉更高的热量，从而提升功率密度;同时 SiC 的高热导率有助于优化散热设计，从而增强器件在高功率应用中的稳定性。

本期，为大家带来的是《优化放大器电路中的输入和输出瞬态稳定时间》，将讨论如何利用死区时间内的磁通量衰减效应，来有效防止推挽式转换器中的变压器饱和问题。

如何尽可能高效地利用太阳能，光伏逆变器的性能是技术创新的核心。其中一项创新涉及使用氮化镓 (GaN)。

作为曾广泛应用于工业控制、称重传感、温度监测等领域的经典 24 位 Σ-Δ 型 ADC 芯片，Cirrus Logic 旗下 CS5530 系列已即将步入停产流程 ——2026 年 9 月 12 日将迎来最终停产（EOL）节点，供应链端因晶圆厂关闭导致的结构性调整，让依赖该芯片的企业面临 “断供” 危机。寻找性能匹配、供应可靠的替代方案已成为紧迫任务。

在传统横向结构的GaN器件中，电流沿芯片表面流动。而垂直 GaN 的 GaN 层生长在氮化镓衬底上，其独特结构使电流能直接从芯片顶部流到底部，而不是仅在表面流动。这种垂直电流路径让器件能够承受更高的电压和更大的电流，从而实现更高的功率密度、更高的效率和更紧凑的系统设计。

RTD(热阻式温度检测器)基于材料电阻随温度“灵敏变化”的特性实现对温度的测量。其中应用最广泛的铂电阻RTD(PT-RTD)，测温范围最高可超过800℃，并具备良好的精度、可重复性与线性表现，因此被广泛用于工业高温监控、医疗电子精密温控以及仪器仪表等高精度测量场景。

在现代电源控制系统中，MOS管已成为不可或缺的核心器件。其最基础且核心的作用，是作为高速开关元件，如通过栅极电压的高低变化，快速切换源极与漏极之间的导通和截止状态，进而实现对电源电路的精确管理。这种开关功能并非简单的通断，而是深度参与电源转换、能量分配的关键环节，是电源系统实现高效、稳定运行的基础。

你是否也遇到过分辨率不足、噪声过高的问题？在高速、高精度的信号采集场景中，ADC的动态性能往往成为系统瓶颈。其实，解决方案可能比你想象的简单——过采样技术，正在悄悄改变游戏规则。

意法半导体TSB18系列运算放大器完美融合了高精度、多功能性、高效能和可靠性优势。无论您正在设计工业控制系统、汽车电子、医疗设备还是仪器仪表，TSB181和TSB182高精度运算放大器都能满足严苛应用对高精度、低噪声和宽频带的要求。

高压MOSFET作为功率半导体领域的核心器件，凭借高耐压、低损耗、高速开关的核心优势，已成为工业电源、新能源储能、汽车电动化等场景实现高效能量转换的“关键引擎”。意法半导体深耕高压MOSFET技术研发，以全系列产品与创新方案，为多领域发展注入强劲动力。

在热拔插的过程中，两个连接器的机械接触，触点在瞬间会出现弹跳，电源不稳，发生震荡。这期间系统工作可能造成不稳定。

三菱电机集团今日（2025年12月2日）宣布，将于12月9日发布两款4.5kV/1200A XB系列HVIGBT模块，包括标准绝缘（6.0kVrms）封装和高绝缘（10.0kVrms）封装。这些大容量功率模块专为轨道交通车辆等大型工业设备设计，具有良好的抗湿性，有助于提高在多样化环境中运行的大型工业设备变流器的效率和可靠性。三菱电机计划将在2026年1月21日至23日在东京举办的第40届日本国际电子科技博览会，以及在北美、欧洲、中国、印度等其它地区举办的展会对模块进行展出。

SiC器件具有低开关损耗，可以使用更小的散热器，同时可以在更高开关频率下运行，减小磁性元件体积。采用SiC器件的工业电源，可以实现高效率和高功率密度。三菱电机开发了一系列适合工业电源应用的SiC MOSFET模块，本章节带你详细了解。

2025国际集成电路展览会暨研讨会（IIC Shenzhen）正于11月25日至26日在深圳大中华喜来登酒店举办。在此次展会上，Power Integrations（简称：PI）旗下的InnoMux-2 1700V氮化镓IC 荣获2025 ASPENCORE全球电子成就奖（WEAA）年度电源管理奖。PI公司FAE经理蒋海华上台领奖，代表公司接受这一荣誉。

随着能源效率成为全球关注的焦点，半导体行业迎来了技术革新的浪潮。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)便是这一背景下的产物，其通过电场效应调控导电通道，显著降低了驱动所需的能量。这种设计带来了快速的开关响应和高效率的能量转换,使MOSFET在中小功率场景中广泛应用。

电子发烧友网报道（文/吴子鹏）2025年11月28日，高性能高可靠性模拟及混合信号芯片设计公司纳芯微正式发布港股招股书。纳芯微不仅成为国家集成电路产业投资基金（简称“国家大基金”）三期的首家基石投资企业，同时也获得了比亚迪、小米、三花、元禾控股、高毅、3W Fund、君宜香港等多家基石投资人的强力支持。本次港股发行，有助于其深耕全球汽车、泛能源等核心赛道，并为全球投资者提供了共享行业发展红利的重要契机。 模拟芯片标杆获“耐

本文重点传导噪声分为共模信号和差模信号两种类型。无论是共模信号还是差模信号，都需要两根导线进行传输。电路中产生共模噪声的主要原因是电路器件之间、器件与地之间存在寄生电容。减小回路面积是降低差模噪声的有效手段。共模信号和差模信号都与运算放大器和电路中的干扰噪声有关。共模电压增益源自运算放大器两个输入端收到的信号。如果两个信号流向一致，就会产生共模干扰或噪声。差

FHA40T65A作为一款场N沟道沟槽栅截止型IGBT单管，采用TO-3PN封装，使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通过优化工艺，来获得极低的 VCEsat 饱和压降，并在导通损耗和关断损耗（Eoff）之间做出来良好的权衡。

数据中心机房内，数十台服务器电源正发出沉闷的嗡鸣——这并非设备平稳运行的正常律动，而是散热风扇因器件高温被迫“超负荷加班”的抗议；工业车间的变频器旁，工程师紧盯着测温仪眉头紧锁：明明已竭力压缩电源体积，可输出功率刚一提升，PCB板就频频触发高温警报。

SGM51613R4A/SGM51613R8A：高性能16位ADC的深度剖析 在电子工程师的日常设计中，模拟 - 数字转换器（ADC）是一个关键组件，它直接影响着系统的性能和精度。今天，我们就来详细探讨一下SG Micro Corp推出的SGM51613R4A和SGM51613R8A这两款16位、4通道/8通道的逐次逼近（SAR）ADC。 文件下载： SGM51613R4A_SGM51613R8A.PDF 一、器件概述 SGM51613R4A和SGM51613R8A是两款功能强大的ADC，它们采用单电源VDD供电，一般为5V，能与1.8V - 5V的数字设备进行通信，此时VIO需相应地提供合适的电压。