‌DRV8770 100V刷式直流栅极驱动器技术文档总结

DRV8770器件提供两个半桥栅极驱动器，每个驱动器能够驱动高侧和低侧N沟道功率MOSFET。集成自举二极管和外部电容器为高侧 MOSFET 产生正确的栅极驱动电压，而 GVDD 驱动低侧 MOSFET 的栅极。栅极驱动架构支持高达 750mA 的栅极驱动电流和 1.5A 的灌电流。

栅极驱动引脚的高耐压性提高了系统的鲁棒性。SHx 相位引脚可以承受显着的负电压瞬变，而高侧栅极驱动器电源可以在 BSTx 和 GHx 引脚上支持更高的正电压瞬变（绝对最大值 115 V）。小传播延迟和延迟匹配规格最大限度地减少了死区时间要求，从而进一步提高了效率。通过 GVDD 和 BST 欠压锁定为低侧和高侧提供欠压保护。
*附件：drv8770.pdf

特性

• 100V H 桥栅极驱动器
  • 驱动 N 沟道 MOSFET （NMOS）
  • 栅极驱动器电源 （GVDD）：5-20 V
  • MOSFET 电源 （SHx） 支持高达 100 V
• 集成自举二极管
• 支持反相和同相 INLx 输入（QFN 封装）
• Bootstrap 栅极驱动架构
  • 750mA 源电流
  • 1.5-A 灌电流
• 支持长达 15 秒的电池供电应用
• SHx 引脚上的低漏电流 （<55 μA）
• 绝对最大 BSTx 电压高达 115V
• 在 SHx 引脚上支持低至 -22 V 的负瞬变
• 通过QFN封装中的DT引脚可调节死区时间
• 在TSSOP封装中插入200 ns的固定死区时间
• 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入，最大绝对值为 20V
• 4ns 典型传播延迟匹配
• 紧凑的QFN和TSSOP封装和封装
• 使用电源块进行高效的系统设计
• 集成保护功能
  • BST 欠压锁定 （BSTUV）
  • GVDD 欠压 （GVDDUV）

参数

方框图

‌1. 核心特性‌

• ‌高压驱动‌：支持100V H桥驱动，可驱动N沟道MOSFET，栅极驱动电源（GVDD）范围5-20V，MOSFET电源（SHx）最高支持100V。
• ‌集成设计‌：内置自举二极管，支持反相和非反相INLx输入（QFN封装），采用自举栅极驱动架构（750mA源电流，1.5A灌电流）。
• ‌高效能‌：支持15秒电池供电应用，SHx引脚漏电流低（<55µA），BSTx电压绝对最大值115V，SHx引脚支持-22V负瞬态电压。
• ‌保护机制‌：包括自举欠压锁定（BSTUV）、GVDD欠压锁定（GVDDUV），以及可调死区时间（QFN封装通过DT引脚，TSSOP封装固定200ns死区）。

‌2. 关键功能模块‌

• ‌电源管理‌：GVDD为低侧MOSFET提供栅极驱动电压，自举电容和二极管为高侧MOSFET生成驱动电压。
• ‌逻辑输入‌：支持3.3V和5V逻辑输入，20V绝对最大值，4ns典型传播延迟匹配。
• ‌封装选项‌：提供24引脚VQFN（4mm×4mm）和20引脚TSSOP（6.4mm×4.4mm）两种封装。

‌3. 应用场景‌

• 电动自行车、电动滑板车、电动移动设备
• 无绳花园工具、电动工具、割草机
• 无绳吸尘器、无人机、机器人、RC玩具
• 工业和物流机器人、电动工具

‌4. 技术亮点‌

• ‌自举架构‌：集成自举二极管，简化高侧MOSFET驱动设计。
• ‌灵活死区控制‌：QFN封装可通过DT引脚电阻调整死区时间（200ns至2000ns），TSSOP封装固定200ns死区。
• ‌模式选择‌：QFN封装的MODE引脚可选择INLx输入反相或非反相模式，TSSOP封装默认反相模式。
• ‌负瞬态耐受‌：SHx引脚支持-22V瞬态电压，BSTx引脚支持115V绝对最大电压。

‌5. 保护功能‌

• ‌欠压保护‌：GVDD和BSTx欠压锁定，防止栅极驱动电压不足。
• ‌热管理‌：结温范围-40°C至150°C，提供热阻参数（如VQFN封装RθJA为49.3°C/W）。

‌6. 典型应用设计‌

• ‌自举电容选择‌：建议使用100nF电容，确保电压跌落不超过1V。
• ‌GVDD电容‌：推荐值为自举电容的10倍（如1µF），采用低ESR陶瓷电容。
• ‌布局建议‌：缩短GHx/SHx/GLx走线长度，减少寄生电感；自举电容和GVDD电容需靠近器件引脚。

‌7. 文档结构‌

• 包含特性、引脚说明、电气参数、功能框图、典型应用电路及布局指南，提供完整的驱动器和保护配置方法。