DRV8350F三相智能栅极驱动器技术文档总结-电子发烧友网

DRV835xF 系列器件是高度集成的栅极驱动器，适用于三相无刷直流（BLDC）电机应用。这些器件型号提供可选的集成电流分流放大器，以支持不同的电机控制方案。

DRV835xF 使用智能栅极驱动（SGD）架构来减少 MOSFET 压摆率控制和保护电路通常所需的外部元件数量。SGD 架构还优化了死区时间以防止击穿情况，通过 MOSFET 压摆率控制灵活地降低电磁干扰（EMI），并通过 V 防止栅极短路情况~~GS的~~显示器。强大的栅极下拉电路有助于防止不必要的 dV/dt 寄生栅导通事件
*附件：drv8350f.pdf

支持各种PWM控制模式（6x、3x、1x和独立），以便与外部控制器进行简单接口。这些模式可以减少控制器对电机驱动器PWM控制信号所需的输出数量。该系列器件还包括 1x PWM 模式，用于使用内部模块换向表对 BLDC 电机进行简单的传感器梯形控制。

特性

9 至 100V，三重半桥栅极驱动器
- 可选三重低侧电流分流放大器
功能安全质量管理
- 可用于帮助 IEC 61800-5-2 功能安全系统设计的文档
智能门驱动架构
- 可调节压摆率控制，实现 EMI 性能
- V~~GS的~~握手和最小死区时间插入，以防止击穿
- 50 mA 至 1 A 峰值源电流
- 100mA 至 2A 峰值灌电流
- 通过强下拉缓解 dV/dt
集成栅极驱动器电源
- 高侧倍增器电荷泵用于 100% PWM 占空比控制
- 低侧线性稳压器
集成三电流分流放大器
- 可调增益（5、10、20、40 V/V）
- 双向或单向支持
6x、3x、1x 和独立 PWM 模式
- 支持 120° 传感器作
提供 SPI 或硬件接口
低功耗睡眠模式（V 时为 20 μA ~~虚拟机~~ = 48-V）
集成保护功能
- VM 欠压锁定（UVLO）
- 栅极驱动电源欠压（GDUV）
- MOSFET VDS过流保护（OCP）
- MOSFET 击穿预防
- 栅极驱动器故障（GDF）
- 热警告和关断（OTW/OTSD）
- 故障状态指示器（nFAULT）

参数

方框图

‌1. 核心特性‌

‌高集成度‌
- 集成3个半桥栅极驱动器，支持9-100V宽电压范围，峰值驱动电流1A（源）/2A（吸）。
- 可选集成3路低侧电流检测放大器（DRV8353F），增益可调（5/10/20/40 V/V）。
‌智能栅极驱动架构‌
- 动态调整MOSFET开关速率（IDRIVE可调），优化EMI和死区时间，防止直通。
- 强下拉电路抑制dV/dt导致的寄生导通。
‌灵活供电设计‌
- 支持单电源（VM=VDRAIN）或双电源（VM独立供电）架构，电荷泵支持100%占空比。
‌多重保护功能‌
- 包括欠压锁定（UVLO）、MOSFET VDS过流保护（OCP）、栅极故障检测（GDF）、热关断（OTSD）等。

‌2. 关键功能‌

‌PWM控制模式‌
- ‌6x PWM‌：独立控制高低侧MOSFET，支持高、低、高阻态。
- ‌3x PWM‌：简化控制逻辑，INHx控制开关，INLx使能高阻态。
- ‌1x PWM‌：内置6步换相表，支持霍尔传感器直接输入。
- ‌独立PWM‌：高低侧独立控制，适合单向有刷电机或独立负载。
‌电流检测‌
- DRV8353F支持双向/单向电流检测，可通过SPI配置放大器增益和偏置。
‌SPI与硬件接口‌
- SPI版本支持寄存器配置和故障诊断，硬件版本通过电阻设置关键参数。