‌DRV8300U 三相BLDC栅极驱动器技术文档总结-电子发烧友网

DRV8300U是100V三半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧N沟道功率MOSFET。该DRV8300UD使用集成的自举二极管和用于高侧MOSFET的外部电容器产生正确的栅极驱动电压。GVDD用于为低侧MOSFET生成栅极驱动电压。栅极驱动架构支持高达750mA的峰值源电流和1.5A的灌电流。
*附件：drv8300u.pdf

相位引脚 SHx 能够承受显着的负电压瞬变;而高侧栅极驱动器电源 BSTx 和 GHx 能够支持更高的正电压瞬变（125V） abs 最大电压，从而提高系统的稳健性。小传播延迟和延迟匹配规格最大限度地减少了死区时间要求，从而进一步提高了效率。通过 GVDD 和 BST 欠压锁定为低侧和高侧提供欠压保护。

特性

100V三相半桥栅极驱动器
- 驱动 N 沟道 MOSFET （NMOS）
- 栅极驱动器电源（GVDD）：5-20V
- MOSFET 电源（SHx）支持高达 100V
集成自举二极管（DRV8300UD器件）
支持反相和同相 INLx 输入
Bootstrap 栅极驱动架构
- 750mA 源电流
- 1.5A 灌电流
支持高达 15S 的电池供电应用
更高的 BSTUV （8V 典型值）和 GVDDUV （7.6V 典型值）阈值，支持标准 MOSFET
SHx引脚上的低漏电流（<55μA）
绝对最大 BSTx 电压高达 125V
在SHx上支持高达-22V的负瞬变
内置交叉传导预防
通过 DT 引脚可调节死区时间，适用于 QFN 封装变体
TSSOP 封装变体的固定死区时间插入 200nS
支持 3.3V 和 5V 逻辑输入，最大绝对值为 20V
4nS典型传播延迟匹配
紧凑的QFN和TSSOP封装
使用电源块进行高效的系统设计
集成保护功能
- BST 欠压锁定（BSTUV）
- GVDD 欠压（GVDDUV）

参数

方框图

‌1. 产品概述‌

DRV8300U是德州仪器（TI）推出的100V三相无刷直流电机（BLDC）栅极驱动器，核心特性包括：

‌高压驱动‌：支持100V工作电压（BSTx绝对最大值125V），可驱动N沟道MOSFET，适用于15节电池应用。
‌集成架构‌：
- 内置自举二极管（DRV8300UD型号），简化外部电路设计。
- 支持750mA源电流/1.5A灌电流驱动能力，适配高功率MOSFET。
‌灵活输入‌：兼容3.3V/5V逻辑电平（20V耐压），支持同相/反相INLx输入配置（通过MODE引脚选择）。
‌保护功能‌：BSTx/GVDD欠压锁定（UVLO）、交叉导通预防、-22V负瞬态耐压（SHx引脚）。

‌2. 关键参数与性能‌

‌电源管理‌：
- GVDD供电范围：8.7V~20V（推荐12V），BSTx耐压125V。
- 低泄漏电流：SHx引脚<55µA，BSTx静态漏电流<7µA。
‌时序特性‌：
- 传播延迟125ns（典型值），匹配延迟±4ns。
- 可调死区时间（QFN封装）：通过DT引脚电阻设置（200ns~2000ns）。
‌封装选项‌：
- 24引脚VQFN（4mm×4mm，带散热焊盘）。
- 20引脚TSSOP（6.5mm×6.4mm）。

‌3. 典型应用场景‌

‌电动交通工具‌：电动自行车、滑板车、无人机。
‌工业设备‌：伺服驱动、泵、风扇、物流机器人。
‌家用电器‌：无绳吸尘器、园林工具。

‌4. 设计要点‌

‌自举电容选型‌：
- 最小容值计算：需满足ΔVBSTx < 6.65V（例如59nF@1V纹波，推荐100nF）。
- GVDD电容：≥10倍自举电容值（典型1μF）。
‌布局建议‌：
- 缩短GHx/GLx走线（推荐15mil宽度），减少寄生电感。
- 功率地（GND）与信号地分离，散热焊盘需多过孔连接。