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‌DRV816x系列智能栅极驱动器技术文档总结

科技绿洲 2025-10-11 11:22 次阅读
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DRV816x 器件是半桥栅极驱动器,能够驱动高侧和低侧 N 沟道 MOSFET栅极驱动电压由GVDD电源引脚产生,集成自举电路用于驱动高压侧FET,漏极高达102V。智能栅极驱动架构支持高达 1A 源极和 2A 灌电流的 16 级(48 个组合)栅极驱动峰值电流,以及栅极驱动电流的内置定时控制。这些器件可用于驱动各种类型的负载,包括无刷/有刷直流电机、永磁同步电机、步进电机、SRM 和螺线管。

为电源欠压、FET 过流和芯片过温提供内部保护功能。nFAULT引脚指示保护功能检测到的故障事件。nDRVOFF引脚独立于PWM控制启动功率级关断。DRV8162和DRV8162L器件提供分体式电源架构,以协助安全转矩关闭 (STO) 功能。
*附件:drv8162.pdf

许多器件参数,包括栅极驱动电流、死区时间、PWM 控制接口和过流检测,都可以通过连接到器件引脚的几个无源元件进行配置。集成的低侧电流检测放大器 (DRV8161) 将电流测量信息反馈给控制器

特性

  • 驱动两个半桥配置的 N 沟道 MOSFET
    • 高侧 MOSFET 源极/漏极高达 102V(绝对最大值)
    • 8V(5V DRV8162L)至 20V 栅极驱动电源
    • 集成自举二极管
  • 功能安全质量管理
    • 可用于帮助功能安全系统设计的文档
  • 通过集成涓流电荷泵支持 100% PWM 占空比
  • 16级栅极驱动峰值电流
    • 16mA - 1000mA 源电流
    • 32mA - 2000mA 灌电流
    • 源灌电流比 1:1、1:2、1:3
  • 可调PWM死区时间插入20ns - 900ns
  • 用于电机相位 (SH) 开关的稳健设计
    • 转换速率 50V/ns
    • 负瞬态电压 -20V
    • 2A强栅下拉
  • 用于冗余关断的分离式栅极驱动电源输入(DRV8162、DRV8162L)
  • 低失调电流检测放大器 (DRV8161)
    • 可调增益(5、10、20、40V/V)
  • 灵活的PWM控制接口;2引脚PWM、1引脚PWM和独立PWM模式
  • 13 级 VDS 过电流阈值
  • 独立关断引脚 (nDRVOFF)
  • 栅极驱动器软关断序列
  • 集成保护功能
    • GVDD 欠压 (GVDDUV)
    • 自举欠压 (BST_UV)
    • MOSFET 过流保护 (VDS)
    • 射击穿透保护
    • 热关断 (OTSD
    • 故障状态指示器 (nFAULT)
  • 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入

参数
image.png

方框图

image.png

1. 核心功能与特性

  • 产品型号‌:DRV8161、DRV8162(含DRV8162L低电压版本),均为20引脚VSSOP封装。
  • 关键特性‌:
    • 栅极驱动能力‌:支持半桥配置,驱动两个N沟道MOSFET,高侧MOSFET耐压102V(绝对最大值),栅极驱动电源范围8V(DRV8162L为5V)至20V。
    • 智能栅极驱动‌:16级可调峰值电流(源极16mA-1000mA,漏极32mA-2000mA),支持1:1/1:2/1:3源漏电流比。
    • 集成保护‌:包括GVDD欠压锁存(GVDDUV)、自举欠压(BST_UV)、MOSFET过流保护(VDS)、短路保护、热关断(OTSD)及故障指示(nFAULT)。
    • 灵活控制‌:支持2引脚PWM、1引脚PWM和独立PWM模式,死区时间可调(20ns-900ns)。
    • 电流检测‌(仅DRV8161):集成低失调电流检测放大器(增益5/10/20/40V/V)。

2. 典型应用场景

  • 工业机器人‌、协作机器人、移动机器人(AGV/AMR)。
  • 电机驱动‌:无刷/有刷直流电机、PMSM、步进电机、SRM、螺线管。
  • 电动交通‌:电动自行车、电动滑板车、无人机

3. 关键参数与配置

  • 电气特性‌:
    • 工作电压范围:8V-20V(GVDD),高侧耐压至90V(VDRAIN)。
    • 热阻:RθJA 87°C/W(VSSOP封装)。
    • 保护阈值:GVDD欠压7.4V(典型值),热关断158°C(最低值)。
  • 引脚配置‌:
    • DT/MODE‌:选择PWM模式及死区时间。
    • IDRIVE1/IDRIVE2‌:通过外接电阻设置栅极驱动电流等级。
    • VDSLVL‌:配置MOSFET过流保护阈值(0.1V-2.0V)。

4. 保护机制

  • 故障响应‌:
    • GVDD欠压‌:关闭栅极驱动,nFAULT置低,恢复后自动复位。
    • VDS过流‌:触发后锁存故障,需INH/INL置低超250μs清除。
    • 热关断‌:温度降至阈值以下后自动恢复。

5. 设计建议

  • 布局优化‌:
    • 缩短GH/SH/GL/SL走线,减少寄生电感。
    • 自举电容(CBST)靠近BST引脚,GVDD电容靠近电源引脚。
  • 电源设计‌:
    • 推荐0.1μF陶瓷电容并联VDRAIN引脚,并增加大容量储能电容以应对电机瞬态电流。
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