Texas Instruments DRV8770EVM栅极驱动器评估模块 (EVM) 可以轻松评估DRV8770 100V器件。DRV8770器件提供两个半桥栅极驱动器,每个驱动器可驱动高侧和低侧N沟道功率MOSFET。DRV8770设有BST欠压闭锁、GVDD欠压和热关断等保护功能。
数据手册:*附件:Texas Instruments DRV8770EVM栅极驱动器评估模块 (EVM)数据手册.pdf
该评估模块有一个板载降压转换器和LDO,为所有板上元件和半桥高压电源供电。该评估板配有电位器,用于设置输入控制引脚(INHA、INLA、INHB、INLB)的占空比。Texas Instruments DRV8770EVM可以改装以支持外部微控制器,从而控制DRV8770电机驱动器。
特性
- 半桥工作电压:5V至100V
- DRV8770电源电压范围:5V至20V
- 板载降压转换器和LDO
- 支持DRV8770的外部MCU控制
板布局

DRV8770栅极驱动器评估模块技术解析
一、产品概述
Texas Instruments的DRV8770是一款专为有刷直流电机驱动应用设计的高性能栅极驱动器芯片,该评估模块(EVM)提供了完整的硬件实现方案。作为100V半桥栅极驱动器,DRV8770集成了两个独立半桥驱动器,可直接驱动N沟道MOSFET,支持高达100V的MOSFET电源电压(SHx)和5-20V的栅极驱动电源(GVDD)。
二、核心特性
- 驱动能力:
- 750mA源电流和1.5A灌电流驱动能力
- 支持高达15秒的电池供电应用
- 4ns典型传播延迟匹配
- 集成设计:
- 保护功能:
- 自举欠压锁定(BSTUV)
- GVDD欠压保护(GVDDUV)
- SHx引脚可耐受-22V负瞬变电压
三、应用领域
DRV8770特别适合以下应用场景:
四、技术细节解析
1. 栅极驱动架构
DRV8770采用自举栅极驱动架构,通过集成自举二极管和外接电容为高边MOSFET生成正确的栅极驱动电压,而GVDD则为低边MOSFET栅极提供驱动。这种设计支持高达750mA源电流和1.5A灌电流的栅极驱动电流。
2. 工作模式控制
在QFN封装版本中,MODE引脚提供了灵活的控制选项:
- MODE悬空时:GLx输出与INLx输入同相(非反相模式)
- MODE接GVDD时:GLx输出与INLx输入反相
TSSOP封装版本默认采用反相模式,无需MODE引脚控制。
3. 死区时间控制
DRV8770提供了可调节的死区时间功能:
- QFN封装:通过DT引脚连接电阻到地实现200ns至2000ns可调死区
- TSSOP封装:固定200ns死区时间
死区时间计算公式为:RDT(kΩ) = (tDEAD(ns) - 150)/0.25
五、保护机制
DRV8770集成了多重保护功能:
- 自举欠压保护(BSTUV) :
- 检测阈值:上升沿4.5V,下降沿4.2V
- 滞回电压:200mV
- 去抖时间:6-22μs
- GVDD欠压保护(GVDDUV) :
- 检测阈值:上升沿4.6V,下降沿4.35V
- 滞回电压:250-310mV
- 去抖时间:5-13μs
六、性能参数
- 电气特性:
- 工作温度范围:-40°C至125°C(环境温度)
- 结温范围:-40°C至150°C
- 逻辑输入电压:0-VGVDD
- 开关特性:
- 传播延迟:70-180ns
- 上升时间(10%-90%):24-50ns
- 下降时间(90%-10%):24-50ns
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