‌DRV8300-Q1 三相BLDC栅极驱动器技术文档总结

DRV8300 -Q1 是 100V 三半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8300 -Q1 使用集成自举二极管和用于高侧 MOSFET 的外部电容器产生正确的栅极驱动电压。GVDD 用于为低侧 MOSFET 产生栅极驱动电压。栅极驱动架构支持峰值高达750mA的源电流和1.5A的灌电流。
*附件：drv8300-q1.pdf

相位引脚 SHx 能够承受显着的负电压瞬变;而高侧栅极驱动器电源 BSTx 和 GHx 能够支持更高的正电压瞬变 （115V） abs 最大电压，从而提高系统的稳健性。小传播延迟和延迟匹配规格最大限度地减少了死区时间要求，从而进一步提高了效率。通过 GVDD 和 BST 欠压锁定为低侧和高侧提供欠压保护。

特性

• 符合 AEC-Q100 标准，适用于汽车应用
  • 温度等级 1：–40°C ≤ TA ≤ 125°C
• 100V 三相半桥栅极驱动器
  • 驱动 N 沟道 MOSFET （NMOS）
  • 栅极驱动器电源 （GVDD）：5-20 V
  • MOSFET 电源 （SHx） 支持高达 100 V
• 集成自举二极管
• Bootstrap 栅极驱动架构
  • 750mA 源电流
  • 1.5A 灌电流
• 支持高达 48V 的汽车系统
• SHx 引脚上的低漏电流 （<55 μA）
• 绝对最大 BSTx 电压高达 115V
• 在 SHx 上支持高达 -22V 的负瞬变
• 内置交叉传导预防
• 固定死区时间插入 215 ns
• 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入，最大 20 V 绝对值
• 4 nS典型传播延迟匹配
• 紧凑的 TSSOP 封装
• 使用电源块进行高效的系统设计
• 集成保护功能
  • BST 欠压锁定 （BSTUV）
  • GVDD 欠压 （GVDDUV）

参数

方框图

‌1. 核心特性‌

• ‌汽车级认证‌：符合AEC-Q100 Grade 1标准（-40°C至125°C工作温度）。
• ‌高压驱动‌：支持100V三相半桥驱动，集成自举二极管，栅极驱动电源（GVDD）范围5-20V。
• ‌驱动能力‌：750mA源电流/1.5A灌电流，支持48V汽车系统，耐受-22V负瞬态电压。
• ‌保护功能‌：自举欠压锁存（BSTUV）、GVDD欠压保护（GVDDUV），内置交叉导通预防和215ns固定死区时间。

‌2. 关键参数‌

• ‌电气特性‌：
  • 逻辑输入兼容3.3V/5V，传播延迟匹配±4ns。
  • 自举二极管正向压降0.7V（典型值），动态电阻15Ω。
• ‌热性能‌：TSSOP封装结至环境热阻97.4°C/W。

‌3. 应用场景‌

• 电动自行车/滑板车、压缩机、汽车风扇、HVAC鼓风机等48V工业及汽车系统。

‌4. 功能模块‌

• ‌栅极驱动‌：非反相逻辑输入，独立高低侧控制，支持PWM频率达200kHz。
• ‌电源管理‌：需外接自举电容（推荐100nF）和GVDD电容（≥1μF）。

‌5. 封装与版本‌

• ‌封装‌：20引脚TSSOP（6.4mm×4.4mm），带PowerPAD散热焊盘。
• ‌保护机制‌：故障时自动进入高阻态，电压恢复后自启动。

‌6. 设计建议‌

• ‌布局‌：缩短GHx/SHx/GLx走线，降低寄生电感；GVDD和自举电容需就近放置。
• ‌典型电路‌：需搭配外部MOSFET（如CSD19532Q5B）和电流检测放大器。