三星电子12英寸闪存芯片二期第二阶段项目正式启动 总投资达150亿美元

继12月10日，西安三星电子闪存芯片项目二期第二阶段80亿美元投资启动后，西安和三星的深化合作再次迈上一个新台阶。

据西安日报报道，12月15日，三星（中国）半导体有限公司12英寸闪存芯片二期第二阶段项目正式启动。

据了解，三星电子一期投资108亿美元，建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目。二期项目总投资150亿美元，主要制造闪存芯片，其中，第一阶段投资约70亿美元，明年3月竣工投产；第二阶段投资80亿美元，2021年下半年竣工。

项目一期于2014年5月竣工投产，项目二期于2018年3月正式开工建设，其中第一阶段投资70亿美元。三星（中国）半导体有限公司董事长任伯均表示，三星电子二期第一阶段项目进展顺利，明年三月将实现量产。

二期项目建成后将新增产能每月13万片，占三星电子全球产量的40%，新增产值300亿元，成为全球规模最大的闪存芯片生产基地，并带动一批配套电子信息企业落户，使西安形成较为完整的半导体产业链。

据西安日报报道，自2012年落户西安以来，三星电子建成了高端存储芯片、封装测试项目和电子研发中心，涉及金融、贸易、动力电池、建筑工程等多个领域，累计投资250亿美元，是三星海外投资历史上投资规模最大的项目。
责任编辑：wv