台积电还披露了7nm工艺进展，已多家客户的订单 远远甩开了三星

1月18日，作为天字一号代工厂台积电举办投资者大会。即将在今年6月退休的公司董事长张忠谋称，预计台积电2018年收入将增长10-15％，驱动力来自HPC高性能计算、IoT物联网、汽车驾驶等方面。

台积电还披露了7nm工艺进展，称已经获得了50多家客户的订单，涵盖智能手机、游戏主机、处理器、AI应用、比特币矿机等等，远远甩开了死对头三星。

张忠谋宣称，台积电已经拿到了7nm 100％的市场份额，暗示三星7nm还没有一份订单。根据此前消息，无论是高通未来新旗舰(骁龙855?)，还是苹果下一代芯片(A12?)，都将独家交给台积电7nm工艺代工？

台积电预计，7nm将在今年第二季度投入量产，第四季度达到最大产能，收入贡献比例也将达到10％。

高通7nm情归台积电？

我们知道高通骁龙810是台积电代工，之后的每一代骁龙8系芯片都是由三星代工，包括骁龙820、骁龙835和骁龙845等。

据《日经新闻》报道，明年上市的骁龙845处理器将采用三星第二代10nm制造工艺，即“10LPP”。该工艺较第一代10nm技术“10LPE”在性能方面将提高10%。

这可能是三星最后一次代工高通骁龙8系芯片，《日经新闻》透露，由于三星的制造技术相对落后，高通骁龙855移动处理器将由台积电代工。

消息人士指出，三星在2018年还无法使用7纳米制造工艺，取而代之的是“8LPP”制造工艺，该工艺虽然比第二代10nm制造工艺先进，但是无法抗衡台积电的7纳米制造工艺，这也正是高通重新拥抱台积电的原因。

当然，报道还表示，如果三星的7nm工艺成熟时，高通也有可能会重新牵手三星。目前来看，高通骁龙855交由台积电代工是妥妥的了。

虽然日前市场传出高通有强烈的愿望要将7nm的订单转向台积电， 但是目前7nm光罩仍未定案，代表7nm产品的蓝图可能出现了变量。不过还是有很大可能性的。

比特大陆考虑导入台积电7nm工艺

比特大陆今年向台积电下单量逾10万片，且制程从原本的16nm，推向12nm制程，近期更考虑导入台积电最先进的7nm制程，以提升挖矿芯片效能，大举推升台积电7nm产出量，以致外界开始关注是否排挤到其他原本采用7nm客户订单

不过台积电昨天保持沉默，但释出将全力支持这批来自大陆的娇客的态度，主因这批庞大的订单，补足了高端智能手机销售不佳所导致订单下滑的缺口。

台积电表示，包括比特大陆等虚拟客户，台积电早在三年前就归列在新兴客户平台下配合，后来随订单成长，才列入高速运算计算机平台，去年下半年虚拟货币大涨，目前已跃居台积电重要客户群之列，且客户数持续增加中。

台积电估计，去年高速运算业绩比重约20%，预期今年高速运算业绩比重可望达25%；业界预估，台积电今年高速运算业绩可望较去年增加37.5%至43.75%，成长力道强劲，其中最大关键，就是来自比特大陆的订单。

台积电去年受惠比特大陆等下单量大增，大陆客户营收占比由前年的9%增至11%，看好今年可持续大幅成长。

原因这些客户的下单量，年增率都在数倍以上，但今年来自大陆客户营收占比，有多少来自大陆的虚拟货币客户，台积电则不对外透露细节。

博通7nm 人工智能平台选择台积电

日前新闻指出，博通推出已获硅认证（silicon-proven）的7纳米IP核，将以特殊应用芯片（ASIC）抢攻当红的人工智能（AI）、5G及高宽带网络等市场。 博通为客户打造的7纳米ASIC去年底完成设计定案，博通也说明将把7纳米ASIC晶圆代工及CoWoS封装订单交由台积电负责。

台积电7nm制程领先同业，继业界传出苹果新一代A12应用处理器、AMD新一代Vega绘图芯片、高通新一代Snapdragon手机芯片等，均将采用台积电7nm制程投片外， 博通也确定将采用台积电7纳米制程打造ASIC平台，抢进需求强劲的AI及高速网络等市场。

博通基于台积电7nm制程打造ASIC平台，并宣布领先业界推出7nm制程硅认证的IP核，其中包括高速序列串行解串器（SerDes）、第二代及第三代高带宽内存物理层（HBM Gen2/Gen3 PHY）、 芯片堆栈物理层（Die2Die PHY）、混合讯号及基础型硅智财等。 至于ASIC平台处理器核心则采用ARM核心及外围IP核。

博通的7纳米ASIC除了锁定深度学习等AI应用，以及抢进高效能运算（HPC）芯片市场外，也将采用台积电CoWoS先进封装技术将HBM Gen2/Gen3等内存直接整合在芯片当中。 至于高速SerDes IP核则有助于打造高速交换器或路由器应用芯片，以及完成支持5G高速及宽带网络的系统单芯片。 博通表示，为主要前期客户打造的7纳米ASIC在去年底已完成设计定案。

对台积电来说，7nm是今年营运重头戏，预计相关产能今年中完成建置后，投片量会在第2季后快速拉升。 台积电共同CEO魏哲家在上周法人说明会指出，台积电7纳米已有10款芯片完成设计定案，第2季后将可进入量产阶段，而第1季预估还会有另外10款7纳米芯片完成设计定案，今年底7纳米芯片设计定案数量将超过50个， 主要应用包括移动设备、游戏、中央处理器、可程序逻辑门阵列（FPGA）、网通及AI等。

台积电预期今年上半年以美元计算营收将较去年同期成长略高于15％，下半年营收将较去年同期成长略低于10％。 业界表示，以台积电第1季预估营收将介于84～85亿美元情况来计算，第2季营收表现将略低于第1季达83～84亿美元，而第3季开始认列7nm营收后，营收可望跳增至90亿美元以上，不排除第4季单季营收有上看100亿美元的可能。

华为海思7nm首选台积电

过去几年，台积电为是华为海思16nm和10nm解决方案的唯一代工合作伙伴。据了解，HiSilicon在未来将与台积电保持与制造7nm芯片的关系，但同时，他们正在寻找一个第二来源供应商，以确保其7nm解决方案的足够的生产能力。

来源指出，三星打算通过将其代工服务与OLED面板，DRAM和NAND闪存芯片等组件资源捆绑在一起，从HiSilicon吸引7nm芯片订单。不过，由于HiSilicon认为三星作为智能手机SoC市场的竞争对手，这种策略可能会失败。

消息人士指出，如果以美国为基地的代工厂可以利用来自IBM的一些知识产权专利技术实现的技术支持，那么Globalfoundries将有更好的机会获得HiSilicon的7nm芯片订单。

据了解，英特尔凭借其10nm工艺技术积极争取来自HiSilicon的芯片订单。英特尔宣称其10nm技术的密度约为每平方毫米1亿个晶体管，业界人士认为这相当于台积电和三星的7nm工艺节点。

赛灵思7nm芯片依赖台积电

在去年9月，台积电宣布将与Xilinx、ARM、Cadence Design Systems联手打造全球第一款7nm工艺的新品，他们要做的是一款CCIX(Cache Coherent Interconnect for Accelerators)加速器转速缓存互联一致性测试芯片，采用台积电7nm FinFET工艺打造，预计在今年第一季度流片。

这个测试芯片是用来展现CCIX的各项功能，正面多核心高效能ARM CPU能通过互联架构与芯片外的FPGA加速器同步工作，同时台积电也用它来测试自己的7nm工艺。这颗芯片将采用ARM v8.2 with DynamIQ核心，使用CMN-600总线与芯片内部其他设备互联，Cadence公司将提供CCIX、DDR4内存控制器、PCI-E 3.0/4.0控制器以及包括I2C、SPI、QSPI在内的周边IP以及相关的IP控制器。测试芯片通过CCIX芯片对芯片互联一致协定，可连接Xilinx的16nm Virtex UltraScale+ FPGA。

台积电的10nm工艺现在只针对手机的低功耗领域，而7nm FinFET工艺可以囊括高性能或低功耗等各种不同的需求，对台积电来说是相当重要的一个节点，第一个版本的CLN 7FF保证可以把功耗降低60%，核心面积缩小70%，到了2019年会推出融入EUV极紫外光刻的CLN 7FF+版本，进一步提升晶体管的集成度、效能与良品率。

话说这个7nm的CCIX虽说会在今年Q1流片，但是正式量产要等到2018下半年才行，所以台积电的7nm至少还得等好一会。

而根据张忠谋在日前的法说会上提到，台积电的7nm客户已经达到了50多家，对于三星来说，需要想个法子应对台积电的这种进击了。