成功弯道超车！三星明天将开始量产3nm工艺，抢先台积电一步占领市场
今日，据媒体报道，三星的3nm制程芯片将在明天开始量产。
作为晶圆代工界常年第二的三星，一度被台积电压一头，超越台积电也成为了三星的一个目标。这次三星把目光集中在了3nm工艺上，不仅要抢在台积电前面完成3nm工艺的量产，还要在3nm工艺的质量上胜过台积电。
据了解，三星3nm工艺将采用GAAFET全栅极场效应晶体管，相较于之前的FinFET鳍式场效应晶体管更为先进，与7nm工艺相比，三星的3nm工艺将会降低50%功耗，提高35%性能，并且大小仅为7nm的55%，近期还有爆料称，三星3nm工艺的良率远超市场预期。
而台积电的3nm工艺虽然也是今年下半年量产，但至今还未公布具体时间，而且台积电3nm工艺依旧会采用FinFET鳍式场效应晶体管，相较于三星的GAAFET全栅极场效应晶体管来说自然是落了下风，这次预计三星将成功实现弯道超车，在3nm工艺上领先于台积电。
不过从之前的报道来看，台积电貌似并不担心三星在3nm工艺上将其超过，或许台积电还有更深的底牌没有拿出来。
综合整理自 中关村在线 雷科技 快科技
审核编辑 黄昊宇
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