成功弯道超车！三星明天将开始量产3nm工艺，抢先台积电一步占领市场
作为晶圆代工界常年第二的三星，一度被台积电压一头，超越台积电也成为了三星的一个目标。这次三星把目光集中在了3nm工艺上，不仅要抢在台积电前面完成3nm工艺的量产，还要在3nm工艺的质量上胜过台积电。
据了解，三星3nm工艺将采用GAAFET全栅极场效应晶体管，相较于之前的FinFET鳍式场效应晶体管更为先进，与7nm工艺相比，三星的3nm工艺将会降低50%功耗，提高35%性能，并且大小仅为7nm的55%，近期还有爆料称，三星3nm工艺的良率远超市场预期。
而台积电的3nm工艺虽然也是今年下半年量产，但至今还未公布具体时间，而且台积电3nm工艺依旧会采用FinFET鳍式场效应晶体管，相较于三星的GAAFET全栅极场效应晶体管来说自然是落了下风，这次预计三星将成功实现弯道超车，在3nm工艺上领先于台积电。
不过从之前的报道来看，台积电貌似并不担心三星在3nm工艺上将其超过，或许台积电还有更深的底牌没有拿出来。
综合整理自 中关村在线 雷科技 快科技
审核编辑 黄昊宇
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
台积电
+关注
关注
43文章
5274浏览量
164791 -
3nm
+关注
关注
2文章
220浏览量
13707 -
三星
+关注
关注
0文章
1134浏览量
30180
发布评论请先 登录
相关推荐
三星电子澄清：3nm芯片并非更名2nm，下半年将量产
李时荣声称，“客户对代工企业的产品竞争力与稳定供应有严格要求，而4nm工艺已步入成熟良率阶段。我们正积极筹备后半年第二代3nm工艺及明年2nm
三星3nm良率 0%！
来源：EETOP，谢谢 编辑：感知芯视界 Link 近期韩媒DealSite+报道，表示三星的3nm GAA生产工艺存在问题，在尝试生产适用于Galaxy S25 /S25+手机的Exynos
台积电第二代3nm工艺产能颇受客户欢迎，预计今年月产量达10万片
据悉，台积电自2022年12月份起开始量产3nm工艺，然而由于成本考量，第一代3纳米工艺仅由苹果使用。其他如联发科、高通等公司则选择了4
台积电3nm月产能明年将增至10万片
据悉，台积电第一个3nm制程节点N3于去年下半年开始量产，强化版3nm（N3E）制程预计今年下半年量产，之后还会有
突破！国产3nm成功流片，预计明年量产
据21ic了解，联发科技2022年11月发布的“天玑9200”旗舰芯片，首次采用了台积电第二代4nm制程工艺；而即将在今年下半年发布的“天玑9300”，据说仍会采用台积电4nm工艺。由
联发科台积电3nm天玑旗舰芯片成功流片 或为“天玑9400”
已成功流片。 3NM制程天玑旗舰芯片量产时间预计在2024年，2024年下半年会正式上市。业内估计3NM的MediaTek旗舰芯片型号应该不是今年上市的天玑9300，天玑9300可能采
发表于 09-08 12:36
•1422次阅读
苹果拒绝为3nm工艺缺陷买单 台积电3nm按良率收费！
根据外媒报道，据称台积电新的3nm制造工艺的次品率约为30%。不过根据独家条款，该公司仅向苹果收取良品芯片的费用！
今日看点丨传三星3纳米工艺平台第三款产品投片；vivo 推出 6nm 自研影像芯片 V3
1. 传三星3 纳米工艺平台第三款产品投片 外媒报道，尽管受NAND和DRAM市场拖累，三星电子业绩暴跌，但该公司已开始生产其第三个
发表于 07-31 10:56
•512次阅读
三星3nm GAA正式商业量产
一篇拆解报告，称比特微电子的Whatsminer M56S++矿机所用的AISC芯片采用的是三星3nm GAA制程工艺。这一发现证实了三星3nm
三星3nm GAA正式商业量产 首家客户及芯片型号被曝光
大约一年前，三星正式开始采用其 SF3E（3nm 级、早期全栅）工艺技术大批量生产芯片，但没有无晶圆厂芯片设计商证实其产品使用了该节点。
三星3nm良率已经超过台积电？
目前三星在4nm工艺方面的良率为75%，稍低于台积电的80%。然而，通过加强对3nm技术的发展，三星有望在未来赶超台积电。
三星电子2nm制程工艺计划2025年量产 2027年开始用于代工汽车芯片
外媒在报道中提到，根据公布的计划，三星电子将在2025年开始，采用2nm制程工艺量产移动设备应用所需的芯片，2026年
工商网监
评论