GaN衬底制造过程中N面氮化镓清洗工艺的研究报告
氮化镓由于其宽的直接带隙、高热和化学稳定性，已成为短波长发射器（发光二极管和二极管激光器）和探测器等许多光电应用的诱人半导体，以及高功率和高温电子器件。对于实现先进的氮化...
2022-02-08 4563
SPM光刻工艺的研究报告
在这篇文章中，我们华林科纳演示了在钛薄膜上形成纳米尺度阳极氧化物的设备，以及在接触或半接触模式下使用NTMDT公司的求解器PROTM AFM对其进行表征。...
2022-02-08 2492
薄膜MLCC的技术报告
本文讨论了传统MLCC技术的最新技术，并将该技术与潜在的MLCC薄膜制造技术进行了比较,讨论了MLCC制造、相关限制、潜在制造技术和设计理念方面的薄膜技术的实用性。同时还考虑了电子行业的...
2022-02-08 2780
碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉积方法
摘要 本文提供了在衬底表面上沉积碳化硅薄膜的方法。这些方法包括使用气相碳硅烷前体，并且可以釆用等离子体增强原子层沉积工艺。该方法可以在低于600“C的温度下进行，例如在大约23丁...
2022-02-07 1399
东芝新推出的1200V和1700V碳化硅MOSFET模块
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出两款碳化硅(SiC) MOSFET双模块：额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的“MG600Q2YMS3”；额定电压为1700V、额定漏极电流为400A的“MG400V2YMS3”...
2022-02-01 6078
使用超临界二氧化碳剥离碳化光刻胶的实验
关键词:超临界清洗，离子注入光刻胶，光刻胶剥离 摘要 本文提出了一种有效的、环保的干剥离方法，使用超临界二氧化碳(SCCO2)系统，在40℃到100℃和压力从90巴到340巴时去除离子植入的光刻剂...
2022-01-27 3332
关于硅的湿化学蚀刻机理的研究报告
摘要 本文从晶体生长科学的角度回顾了单晶的湿化学蚀刻。起点是有光滑和粗糙的晶体表面。光滑面的动力学是由粗糙面上不存在的成核势垒控制的。因此后者蚀刻速度更快数量级。对金刚石...
2022-01-25 2954
关于薄膜金刚石的化学机械抛光的研究报告
摘要 纳米晶金刚石(NCD)可以保留单晶金刚石的优越杨晶模量(1100GPa)，以及在低温下生长的能力(450C)，这推动了NCD薄膜生长和应用的复兴。然而，由于晶体的竞争生长，所产生的薄膜的粗糙度随着...
2022-01-25 2596
关于硫酸-过氧化氢-水系统中砷化镓的化学蚀刻研究报告
摘要 我们华林科纳对h2so4-h202-h20体系中（100）砷化镓的蚀刻情况进行了详细的研究。研究了特定蚀刻剂成分的浓度对蚀刻速率和晶体表面形状的影响。从这些结果中，蚀刻浴组成的吉布斯三角形...
2022-01-25 3352
关于氧化锌的基本性质和应用的报告
本文概述了氧化锌的基本性质，包括晶体结构、能带结构和热性质，并介绍了其应用前景、氧化锌块体、薄膜和纳米结构，氧化锌的机械性质、基本电子和光学性质以及潜在的应用。 晶体结构...
2022-01-18 5378
Transphorm的快速充电器和电源适配器用GaN器件
高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布，该公司2021年12月份的SuperGaN® Gen IV场效应晶体管(FET)出货量突破100万大关。这一里程碑进一步证实...
2022-01-16 5476
半导体硅太阳能电池基板的湿化学处理及电子界面特性
引言 硅(Si)在半导体器件制造中的大多数技术应用都是基于这种材料的特定界面性能。二氧化硅（二氧化硅）可以通过简单的氧化方法在硅表面制备，其特点是高化学和电稳定性。晶体硅在光伏...
2022-01-13 2537
用于刻蚀多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物
硅表面常用的HF-HNO3-H2O蚀刻混合物的反应行为因为硫酸加入而受到显著影响。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的最大蚀刻速率为4000–5000 NMS-1，w (40%-HF)/w (65%-HNO3)比为2比4，w (97%-H2SO4)0.3.对于较高浓...
2022-01-13 4740
半导体有机酸清洗液中的铜的蚀刻速率和氧化机理分析
引言 用电化学和原子力显微镜方法对有机酸与铜的相互作用进行了表征可以建立用于湿铜加工的高效清洗公式。本文研究了单有机酸、二有机酸和三有机酸中铜的蚀刻速率和氧化机理。除了草...
2022-01-13 3462
DB HiTek凭借RF SOI/HRS工艺拓展射频前端业务
DB HiTek已宣布通过基于130/110纳米技术的射频绝缘体上硅(RF SOI)和射频高电阻率衬底(RF HRS)工艺来拓展射频前端业务。 射频前端是无线通信的必备器件，其负责IT设备之间的发射(Tx)和接收(Rx)，并广...
2022-01-13 5483
蚀刻工艺关于湿化学处理后InP表面的研究
引言 本文将讨论在不同的湿化学溶液中浸泡后对InP表面的氧化物的去除。本文将讨论接收衬底的各种表面成分，并将有助于理解不同的外原位湿化学处理的影响。这项工作的重点将是酸性和碱...
2022-01-12 2885
关于晶体硅太阳能电池单面湿法化学抛光的方法
引言 高效太阳能电池需要对硅片的正面和背面进行单独处理。在现有技术中，电池的两面都被纹理化，导致表面相当粗糙，这对背面是不利的。因此，在纹理化后直接引入在线单面抛光步骤。...
2022-01-12 3858
O极和Zn极ZnO单晶的蚀刻行为
引言 氧化锌是最广泛研究的纤锌矿半导体之一。氧化锌不仅作为单晶，而且以多晶薄膜的形式。其显著的性能，如宽直接带隙3.37 eV，大结合强度内聚能1.89 eV，熔点2248 K，高激子结合能60 meV，即...
2022-01-12 1607
在氯化钠-异丙醇溶液中的表面钝化和形态
引言 原子平面的制备是半导体基板上原子尺度操作的必要前提。由于自组装现象或使用原子探针技术操纵单个原子，只有原子平面的表面才能产生可重复制造纳米级原子结构的机会。原子平坦...
2022-01-10 1999
先进清洗技术提高晶体硅太阳能电池效率
引言 晶体硅光伏效率和场退化领域的技术差距/需求已经被确定。效率低下和快速退化的原因可能有共同的根源。极少量的污染会导致光伏效率低下，并且在现场安装后暴露在阳光下时容易进一...
2022-01-10 1991
碳化硅在碱性溶液中的阳极刻蚀
引言 人们对用于器件应用的碳化硅(SiC)重新产生了浓厚的兴趣。它具有良好的晶格常数和热膨胀系数，可以作为第三族氮化物外延生长的衬底。在许多应用领域，例如与航空航天、汽车和石油工...
2022-01-10 2990
微气泡对光刻胶层的影响
关键词：氧气、微气泡、光刻胶、高剂量离子注入、气水界面 介绍 微气泡是一种很有前途的环保光刻胶去除方法的候选方法。已经证明，臭氧微气泡可以去除硅片上的光刻剂，即使被高...
2022-01-10 2068
混合铝蚀刻剂的化学特性分析
摘要 我们华林科纳研究了正磷酸、聚磷酸、和铁(III)氯化物蚀刻剂对工艺条件变化的敏感性，以确定该蚀刻剂系统在纯铝电路光刻制造中的潜在生产应用。温度变化、正磷酸浓度、多磷酸浓度的...
2022-01-07 2027
多磷酸蚀刻剂的化学特性
摘要 在印刷和蚀刻生产厚金属膜中的精密图案时，需要对化学蚀刻剂有基本的了解，以实现工艺优化和工艺控制。 为了蚀刻纯铝电路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化铁的配方。 研究的目的是确...
2022-01-07 1711
使用单一晶圆加工工具蚀刻晶圆背面薄膜的方法
引言 随着半导体技术的发展，为了在有限的面积内 形成很多器件，技术正在向多层结构发展。要想形成多层结构，会形成比现有更多的薄膜层 ,这时晶片背面也会堆积膜。目前，在桔叶式设备...
2022-01-05 1658
用于异质结太阳能电池应用的Na2CO3溶液的硅片纹理化
引言 在太阳能电池工业中，最常见的纹理化方法之一是基于氢氧化钠或氢氧化钾的水溶液和异丙醇(IPA)。然而，IPA是有毒的，而且相对昂贵，因此人们正在努力取代它。在过去的几年中，硅异质...
2022-01-05 1649
SiO2在氢氟酸中的刻蚀机理
摘要 研究了高频和高频/HCI溶液中的不同平衡点，并研究了SiQ的蚀刻反应作为高频溶液中不同物种的函数。基于HF二聚体的存在，建立了一种新的SiO~蚀刻机制模型， SiQ在高频溶液中的溶解是在集...
2021-12-31 6108
Al2O3钝化PERC太阳能电池的工业清洗序列
摘要 在本文中，我们研究了测试晶圆和PERC太阳能电池的不同工业适用清洗顺序，并与实验室类型的RCA清洗进行了比较。清洁顺序pSC1、HF/HCl、HF/O3和HF/O3显示出1 ms至2 ms之间的寿命，这与对应于低...
2021-12-31 2289
异丙醇(IPA)的解吸特性和IPA蒸汽干燥硅晶片中的水分
引言 为了评估用各种程序清洗和干燥的晶圆表面的清洁度，我们通过高灵敏度的大气压电离质谱(APIMS)成功地分析了这些晶圆表面的排气量。特别是，通过将晶片表面的解吸气体引入APIMS，研究...
2021-12-30 7240
化学蚀刻的铜-ETP铜的实验分析
引言 化学蚀刻是通过与强化学溶液接触来控制工件材料的溶解。该过程可以应用于任何材料。铜是利用化学腐蚀工艺制造微电子元件、微工程结构和精密零件中广泛使用的工程材料之一。在这...
2021-12-29 3606
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