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电子发烧友网>制造/封装>O极和Zn极ZnO单晶的蚀刻行为

O极和Zn极ZnO单晶的蚀刻行为

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2022-04-12 14:10:22362

单晶硅片与蚀刻时间的关系研究

本文研究了用金刚石线锯切和标准浆料锯切制成的180微米厚5英寸半宽直拉单晶硅片与蚀刻时间的关系,目的是确定FAS晶片损伤蚀刻期间蚀刻速率降低的根本原因,无论是与表面结构相关,缺陷相关,由于表面存在的氧化层,还是由于有机残差。
2022-04-18 16:36:05406

单晶硅的各向异性蚀刻特性说明

为了形成膜结构,单晶硅片已经用氢氧化钾和氢氧化钾-异丙醇溶液进行了各向异性蚀刻,观察到蚀刻速率强烈依赖于蚀刻剂的温度和浓度,用于蚀刻实验的掩模图案在硅晶片的主平面上倾斜45°。根据图案方向和蚀刻
2022-05-05 16:37:362658

多晶ZnO薄膜上HCl腐蚀的过程

方法,观察了多晶ZnO薄膜上HCl腐蚀的发展,结果表明这种观察方法没有改变蚀刻行为,停止和重新开始蚀刻也没有改变侵蚀点,表明HCl侵蚀点是随着它们的生长而形成在膜中的。此外我们华林科纳研究了先前在KOH
2022-05-09 13:28:32423

一种用于蚀刻的现象学结构区域模型

在本文中,结合了现有的经验和观察到的多晶氧化锌腐蚀模型,该模型可以定性地描述溅射条件、材料特性和蚀刻条件的影响。几项研究调查了溅射参数和蚀刻行为之间的关系,并提出了一种用于蚀刻的现象学结构区域模型
2022-05-09 14:27:58281

多孔ZnO薄膜表面形貌和粗糙度的研究

本文介绍了我们华林科纳研究了蚀刻时间和氧化剂对用氢氧化铵(铵根OH)形成的多孔氧化锌(氧化锌)薄膜的表面形貌和表面粗糙度的影响。在本工作中,射频磁控管溅射的ZnO薄膜在氢氧化铵(NH4OH)溶液中腐蚀,全面研究了刻蚀时间和添加H2O2溶液对多孔ZnO薄膜表面形貌和粗糙度的影响。
2022-05-09 15:19:34560

M111N蚀刻速率,在碱性溶液中蚀刻

被认为是一个速度源,这是我们提出的一个数学概念,也适用于位错和晶界,速度源的活动取决于相关的M111N平面与掩模之间的夹角,因此在微观机械结构中蚀刻的薄壁相对的M111N侧可以有不同的值。 在图1a中,示出了S 100T单晶硅炉和部分覆盖它的惰性掩
2022-05-20 17:12:59853

多晶ZnO:Al薄膜的蚀刻特性研究

密度通常随着温度的升高、浓度的降低或通过在小分子大小的弱酸中蚀刻而增加。观察到的多晶ZnO:Al膜的腐蚀趋势在ZnO单晶上得到证实。我们从蚀刻速率和凹坑形成的角度详细讨论了蚀刻过程。根据最近提出的ZnO腐蚀模型解释了结果,并给出了可能的物理解释。
2022-05-23 16:51:232566

纳米多孔锌助力二次碱性锌基电池

本工作利用电化学还原,直接将压实在泡沫铜集流体上的ZnO粉末通过类似于渗流溶解(percolation dissolution)的机理,形成具有双连续结构的纳米多孔锌电极。该电极在碱性电池循环中可维持Zn核 / ZnO壳的结构,与传统ZnOZn粉末电极不均匀的结构变化大相径庭。
2022-06-02 09:15:11896

宽带隙半导体GaN、ZnO和SiC的湿法化学腐蚀

宽带隙半导体具有许多特性,这些特性使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种重要材料的湿法腐蚀,即ZnO、GaN和SiC。虽然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的许多酸性溶液
2022-07-06 16:00:211643

什么是金属蚀刻蚀刻工艺?

金属蚀刻是一种通过化学反应或物理冲击去除金属材料的技术。金属蚀刻技术可分为湿蚀刻和干蚀刻。金属蚀刻由一系列化学过程组成。不同的蚀刻剂对不同的金属材料具有不同的腐蚀特性和强度。
2023-03-20 12:23:433172

干法蚀刻与湿法蚀刻-差异和应用

干法蚀刻与湿法蚀刻之间的争论是微电子制造商在项目开始时必须解决的首要问题之一。必须考虑许多因素来决定应在晶圆上使用哪种类型的蚀刻剂来制作电子芯片,是液体(湿法蚀刻)还是气体(干法蚀刻
2023-04-12 14:54:331005

硅在氢氧化钠和四甲基氢氧化铵中的温度依赖性蚀刻

过去利用碱氢氧化物水溶液研究了硅的取向依赖蚀刻,这是制造硅中微结构的一种非常有用的技术。以10M氢氧化钾(KOH)为蚀刻剂,研究了单晶硅球和晶片的各向异性蚀刻过程,测量了沿多个矢量方向的蚀刻速率,用单晶球发现了最慢的蚀刻面。英思特利用这些数据,提出了一种预测不同方向表面的倾角的方法
2023-05-29 09:42:40618

半导体资料丨氧化锌、晶体硅/钙钛矿、表面化学蚀刻的 MOCVD GaN

蚀刻时间和过氧化氢浓度对ZnO玻璃基板的影响 本研究的目的是确定蚀刻ZnO薄膜的最佳技术。使用射频溅射设备在玻璃基板上沉积ZnO。为了蚀刻ZnO薄膜,使用10%、20%和30%的过氧化氢(H2O2
2024-02-02 17:56:45306

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