Cu CMP后清洗中添加剂对颗粒粘附和去除的影响
引言 Cu作为深度亚微米的多电级器件材料，由于其电阻低、电迁移电阻高和电容降低，与铝相比的时间延迟。本文从理论和实验上研究了柠檬酸基铜化学机械平坦化后二氧化硅颗粒对铜膜的粘附...
2021-12-29 2138
半导体晶片的湿蚀方法、清洗和清洁
关键词 晶圆清洗 电气 半导体 引言 半导体器件的制造是从半导体器件开始广泛销往市场的半个世纪 前到现在为止与粒子等杂质的战斗。半个世纪初，人们已经了 解了什么样的杂质会给半导体...
2021-12-29 3338
聚合物光波导制备用于硅基板上的自旋涂层薄膜的界面粘合
引言 研究了用于制造聚合物光波导的旋涂聚合物粘合薄膜在硅衬底上的界面粘合。通过使用光刻工艺在硅衬底上制造粘合剂剪切按钮，并用D2400剪切测试仪测量界面粘合。在同一样品的不同部分...
2021-12-27 2172
优化缩短3D集成硅通孔(TSV)填充时间的创新方法
本文介绍了一种新型的高纵横比TSV电镀添加剂系统，利用深层反应离子蚀刻(DRIE)技术对晶片形成图案，并利用物理气相沉积(PVD)技术沉积种子层。通过阳极位置优化、多步骤TSV填充过程、添加剂...
2021-12-27 3293
半导体工艺之介电蚀刻工艺中等离子体的蚀刻处理
摘要 本文主要研究了从接触刻蚀、沟槽刻蚀到一体刻蚀的介质刻蚀工艺中的刻蚀后处理。优化正电子发射断层扫描步骤，不仅可以有效地去除蚀刻过程中在接触通孔的侧壁底部形成的副产物，...
2021-12-27 4134
RCA清洁变量对颗粒去除效率的影响
摘要 在湿化学加工中，制造需要表面清洁度和表面光滑度。有必要完美地控制所有工艺参数，特别是对于常见的清洁技术RCA clean (SC-1和SC-2) [2]。本文讨论了表面处理参数的特点及其影响。硅技...
2021-12-27 1595
《华林科纳-半导体工艺》化学品对硅片上金属污染的影响
摘要 对实自不同供应商的化学5进行了清法后残自在理最片上的全属污染水平的测试。在江省过在中，评估了来自三个供应商的盐整机复氧化镇以及来自四个供应母的讨氧化复，在RCA标准济夜市...
2021-12-27 969
半导体锗光电探测器与非晶硅基板上的非晶硅波导单体集成
引言 我们展示了一个利用高质量的绝缘体上锗(GeO)晶片通过晶片键合技术制造的阿格/非晶硅混合光子集成电路平台的概念验证演示。通过等离子体化学气相沉积形成的非晶硅被认为是传统硅无...
2021-12-24 2849
在HF水溶液中处理的GaP表面的特性
引言 椭偏光谱(SE)、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)、润湿性和光致发光(PL)测量研究了HF水 溶液中化学清洗的GaP(OOl)表面。SE数据清楚地表明，溶液在浸入样品后(W1分钟)会立即去除自然...
2021-12-22 2748
SC-1颗粒去除和piranha后漂洗的机理研究
SC-l和piranha(H2SO4/H2O2)清洁剂已经使用多年来去除颗粒和有机污染物。尽管SC-1清洁剂(通常与施加的兆频超声波功率一起使用)被认为对颗粒去除非常有效，但去除机制仍不清楚。对于去，除重有机...
2021-12-20 2560
宋仕强关于萨科微半导体发展历程答记者
宋仕强关于萨科微半导体发展历程答记者 受访对象：萨科微半导体创始人宋仕强先生 采访主题：萨科微半导体的成长史的几个问题 近年来，在半导体“国产替代”和解决欧美国家对我们“卡脖...
2021-12-16 8449
Fe和Cu污染对硅衬底少数载流子寿命的影响分析
在所有金属污染物中，铁和铜被认为是最有问题的。它们不仅可以很容易地从未优化的工艺工具和低质量的气体和化学物质转移到晶片上，而旦还会大大降低硅器件的产量。用微波光电导衰减和...
2021-12-15 3390
半导体湿法化学刻蚀工艺观察
我们提出了一种观察铝层蚀刻截面的方法，并将其应用于静止蚀刻蚀刻的试件截面的观察。观察结果成功地阐明了蚀刻截面几何形状的时间变化，和抗蚀剂宽度对几何形状的影响，并对蚀刻过程...
2021-12-14 4930
采用可控湿法蚀刻速率的AlGaN/GaN的精密凹槽 华林科纳
这本文中，我们提出了一种精确的，低损伤的循环刻蚀AlGaN/GaN的新方法，用于精确的势垒凹陷应用，使用ICP-RIE氧化和湿法刻蚀。设备功率设置的优化允许获得宽范围的蚀刻速率~0.6至~11纳米/周期...
2021-12-13 3640
四甲基氢氧化铵水溶液湿蚀刻中AlGaN/AlN摩尔分数关系
在本文中，我们详细研究了AlGaN的湿法刻蚀特性。特别地，我们研究了m面刻面形成和AlN摩尔分数对蚀刻速率的依赖关系。我们还研究了氮化铝摩尔分数差异较大的紫外发光二极管结构的湿法刻蚀...
2021-12-13 2335
ZnO上ZnCdO的选择性湿法刻蚀 南通华林科纳
最近在外延膜的导电率控制和高质量块状氧化锌衬底的可用性方面的进展重新引起了我们对用于紫外光发射器和透明电子器件的氧化锌/氧化锌/氧化锌异质结构系统的兴趣。...
2021-12-13 2185
光刻胶中金属杂质对硅基基质的吸附机理 南通华林科纳分析
应用放射性示踪技术研究了金属杂质(如钡、铯、锌和锰)从化学放大光刻胶中迁移和吸附到硅基底层衬底上的行为。评估了两个重要的工艺参数，即烘烤温度和衬底类型(如裸硅、多晶硅、氧化物...
2021-12-13 1848
中国团队拿下EDA全球冠军，内生安全，从芯而起共建生态
11月7日，相信很多人的朋友圈几乎都被一件事刷屏：电竞游戏战队EDG夺冠！然而就在大家狂欢时，华中科技大学官方微博也发布了一条消息：其计算机学院吕志鹏教授团队在11月4日结束的EDA（电...
2021-11-24 6757
清华大学成立“芯片学院” 清华大学芯片专业来了
在中美关系紧张的时期我们看到很多学校在加大集成电路相关人才的培养，比如东南大学有微电子学院、南京集成电路大学、北京邮电大学、北京大学、复旦大学，浙大大学，上海交通大学，电...
2021-04-23 15953
华为对外投资案例分析 华为对外投资的公司增加宁波润华全芯微电子
天眼查APP显示，11月23日，宁波润华全芯微电子设备有限公司发生股东股权变更，新增华为旗下哈勃科技投资有限公司。 润华全芯微电子官网公开资料显示，宁波润华全芯微电子设备有限公司（...
2020-11-25 6255
芯华章将推出支持国产计算机架构的国产验证EDA工具
据芯华章科技创始人、董事长兼CEO王礼宾透露，芯华章即将推出市场上首款支持国产计算机架构的国产验证EDA工具。该工具会采用全新的系统架构，不仅兼容现有国际和国内的计算机架构，更有...
2020-11-05 1065
半导体涨价风从晶圆代工吹向上游IC设计
半导体涨价风从晶圆代工吹向上游IC设计。因应8吋晶圆代工产能吃紧、报价一路扬升，台湾第二大IC设计商暨面板驱动IC龙头联咏（3034），以及全球最大触控IC厂敦泰近期成功涨价，联咏涨幅更...
2020-10-20 1279
Lightmatter将在2021年发布人工智能光子处理器
结果是，移动数据所需的能量更少，这为传统的处理和用于人工智能推理工作负载的互连提供了一种节能的替代方案。据美国能源部的预测，到2030年，这些传统方法预计将占全球能源使用量的...
2020-10-19 5268
第三代半导体写入十四五 第三代半导体产业链与第三代半导体材料企业分析
第一代材料是硅（Si），大家通俗理解的硅谷，就是第一代半导体的产业园。 第二代材料是砷化镓（GaAs），为4G时代而生，目前的大部分通信设备的材料。 第三代材料主要以碳化硅（SiC）、氮...
2020-09-04 8047
晶圆代工竞争态势显得愈加激烈 发展势头强劲
昨天，拓墣产业研究院发布了全球前十大晶圆代工厂第三季度的营收排名预测。虽然总体格局没有变化，但是这一季度的排名与以往还是有所不同，那就是中国大陆和中国台湾地区的五大晶圆代...
2020-09-02 4166
令人惊讶！Deca的扇出式封装技术的新商业化
本文的目的是了解为什么Deca的扇出技术最近被高通用于其PMIC扇入WLP die的保护层。严格的说，这仍旧是一个扇入die与侧壁钝化所做的扇出封装。因此，本文的第一部分将描述扇入式WLP市场以及这...
2019-07-05 8635
SMT工艺与POP装配的控制
元器件翘曲变形导致在装配之后焊点开路，其翘曲变形既有来自元件在封装过程中的变形，也有因为回流 焊接过程中的高温引起的热变形。由于堆叠装配的元件很薄，底部元件甚至薄到0.3 mm，...
2018-12-19 4515
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