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Global Foundries 12nm工艺的3D封装安谋芯片面世

电子工程技术 来源:YXQ 2019-08-13 10:27 次阅读
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根据外媒Tom“s Hardware的报道, GlobalFoundries (格罗方德)本周宣布,已经使用其12nm FinFET工艺成功制成了高性能的3D Arm芯片。

格罗方德表示:“这些高密度的3D芯片将为计算应用,如AI/ML(人工智能机器学习)以及高端消费级移动和无线解决方案,带来新的性能和能源效率。”

据报道,格罗方德和Arm这两家公司已经验证了3D设计测试(DFT)方法,使用的是格罗方德的混合晶圆对晶圆键合。这项技术每平方毫米可支持多达100万个3D连接,使其具有高度可扩展性,并有望为12nm 3D芯片提供更长的使用寿命。

对于3D封装技术,英特尔去年宣布了其对3D芯片堆叠的研究,AMD也谈到了在其芯片上叠加3D DRAM和SRAM的方案。

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原文标题:电子工程师必备的八大技能,你第几级了?

文章出处:【微信号:EngicoolArabic,微信公众号:电子工程技术】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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