英特尔公布三项黑科技 开启高性能芯片架构新领域

美国英特尔于9日（美国时间）在旧金山举行的“SEMICON West”上发布了三项与封装技术相关的新科技。

第一种是“Co-EMIB”技术，它结合了英特尔的封装技术“EMIB（嵌入式多芯片互连桥接器）”和“Foveros”技术，其中逻辑是三维堆叠的。

EMIB和Foveros使用高密度互连来实现低功耗，高带宽的芯片到芯片连接。在英特尔，I / O密度与竞争对手的方法类似或更好。

Co-EMIB此次宣布将能够结合更高的计算性能和功能，特别是在单个芯片中实现多个Foveros堆栈并将它们互连。您还可以使用高带宽和超低功耗连接模拟，内存和其他“磁贴”。

第二个“全向互连（ODI）”为封装中芯片之间的通信提供了额外的灵活性，该技术允许顶部芯片与EMIB等其他芯片组合。与Foveros一样，可以进行平行通信，也可以通过基本芯片中的硅通孔（TSV）进行垂直通信。

利用ODI，可以通过使用大于传统TSV来直接从封装衬底向顶部管芯供电，并且由于通孔很大，因此电阻低，同时在提供强大功率的同时实现更宽的带宽和延迟。另外，因为可以减少基管芯所需的TSV的数量，所以可以进一步确保晶体管的面积，并且可以优化管芯尺寸。

第三个“MDIO”是基于AIB（高级接口总线）PHY级互连的新型管芯间接口。尖端IP块库用于实现模块化系统设计方法。这提供了更好的功率效率，并且是AIB的引脚速度和带宽密度的两倍以上。

英特尔先进的封装技术可实现多芯片与多种工艺技术的集成，而不是将多种功能集成到单个传统芯片中，芯片的物理尺寸有限据说可以在改善性能，功耗和封装面积的同时重新思考系统架构。