德州仪器将提供更具价格竞争力的氮化镓芯片

德州仪器正在将其多个工厂的氮化镓（GaN）芯片生产从6英寸晶圆转换为8英寸晶圆。模拟芯片公司正在为达拉斯和日本会津的8英寸晶圆准备设备，这将使其能够提供更具价格竞争力的氮化镓芯片。 自2022年以来，人们普遍认为氮化镓芯片比碳化硅（SiC）芯片更昂贵，但这一情况已经发生了逆转。

   

Part 1

德州仪器的GaN解决方案

GaN功率器件是可以实现高电子迁移率的晶体管（HEMT）。HEMT是一种场效应晶体管（FET），与同等尺寸的硅功率晶体管相比，HEMT具有更低的导通电阻和更快的开关速度。这一优势使得功率转换更加节能且节省空间。在硅衬底上生长的GaN模块还可以利用现有的硅制造能力。

功率HEMT广泛应用于无线基站等领域，并且其可靠性经过验证。

德州仪器的GaN解决方案具备高效率、功率密度和可靠性的特性，TI的GaN产品组合包括控制器、驱动器和稳压器，通过端到端功率转换和5MHz的开关频率来降低功耗。

通过提高功率密度、最大化dV/dt抗扰度以及优化驱动强度，TI的GaN解决方案可以降低噪声并提高效率。

例如，使用LMG3410 600V GaN功率级供电的高电压、高效率PFC和LLC参考设计，以及使用LMG5200 80V GaN功率级的多级48V功率转换设计。

TI的GaN生态系统支持新颖独特的拓扑结构，同时减少了设计障碍。模拟和数字GaN FET控制器与TI的GaN功率级和分立GaN FET无缝配对，为工程师提供了更灵活、高效的设计选择。

Part 2

氮化镓芯片的价格

氮化镓芯片的价格低于其SiC对手，而德州仪器在达拉斯和会津的工厂转换完成后，将能够提供更便宜的解决方案。

TI正在将其6英寸晶圆工厂转换为8英寸，然后再将8英寸工厂转换为12英寸。更大的晶圆意味着更多的芯片，这将为公司带来生产效率的提升。预计达拉斯工厂的升级将在2025年完成，会津工厂的时间表还没有透露。

德州仪器的这一举措可能导致氮化镓芯片的整体价格下降，其功率管理IC的生产从8英寸转换为12英寸时，芯片的价格在整个行业范围内下降了。转换为8英寸预计将使德州仪器节省成本超过10％。

TI还推出了其100V GaN LMG2100R044和LMG3100R017芯片，其功率密度为1.5kW/in3。

小结

功率半导体的价格变化在不断往下走。



审核编辑：刘清