安森美发布新的600 V SUPERFETÒ V MOSFET系列。
2021-12-08 11:46:03
1458 
`深圳市三佛科技有限公司 供应03N10 100V 3A SOT-89 MOS管 HN03N10D，原装，库存现货热销HN03N10D参数：100V 3ASOT-89 N沟道 MOS管/场效应管品牌
2021-03-24 10:44:05
型号： 05N10VDS：100VIDS：5A封装：SOT-23/SOT-89沟道：N沟道05N10原装正品,05N10现货热销供应100V MOS管05N10产品质量稳定，广泛运用于LED电源
2020-08-13 11:37:37
`深圳市三佛科技有限公司 供应 10N10 100V 10A 香薰机MOS管 ,原装，库存现货热销10N10参数： TO-252/SOT-89100V10AN沟道 MOS场效应管
2020-07-31 14:50:51
（TO-252）低开启电压1.6V低内阻低结电容低开启电压温升低转换效率高过电流大抗冲击能力强公司主营产品：30V、60V、100V、150V全系列nmos管，2N10、3N10、4N10、5N
2020-11-11 17:10:06
, 100V/5A MOS管 , 100V/8A MOS管，大量现货。30V、60V、100V、150V全系列nmos管，2N10、3N10、4N10、5N10、10N10、15N10、17N
2020-11-14 14:19:22
深圳市三佛科技有限公司 供应 40N10 雾化器用MOS管 HN40N10KA 100V 40A MOS，原装，库存现货热销HN40N10KA 参数 100V40A TO-252低开启电压N沟道
2020-08-13 11:20:37
惠海半导体 供应 4N10 100V MOS，替代型号HN0501，mos原厂，库存现货热销 4N10 ：100V 4A SOT-23 N沟道MOS管/场效应管 HC0551010参数：100V
2020-11-20 14:48:03
`深圳市三佛科技有限公司 供应 100V 15A 汽车LED灯MOS管 HN15N10DA，原装，库存现货热销HN15N10DA参数：100V 15A TO-252 N沟道 MOS管/场效应管品牌
2021-05-08 15:39:38
型号：HC160N1038VDS：100VIDS：3A封装：SOT-23沟道：N沟道100V MOS管HC160N1038 原厂mos，库存现货热销可以替代SI2328DS售后服务：公司免费提供样品，并提供产品运用的技术上
2020-11-20 13:54:17
10LS运用在香薰机MOS管上。HC160N10LS参数：100V 4A SOT-23 N沟道MOS管/场效应管品牌：惠海半导体型号：HC160N10LSVDS：100VIDS：4A封装：SOT-23沟道：N
2020-10-09 15:36:45
低内阻小节电容发热小中低压MOS大全TO-252 SOT23-3封装100V MOS管100V 30A 35A 50A 23 23L SOP8 TO-252 N沟道MOS管【低电压开启低内阻】主营
2021-03-13 09:34:36
：型号：HC160N10L N沟道场效应管100V10A(10N10)TO-252封装，可用于雾化器、车灯电源等型号：HC080N10L N沟道场效应管 100V17A(17N10)TO-252封装
2020-09-25 15:55:42
, 100V/5A MOS管 , 100V/8A MOS管，大量现货。30V、60V、100V、150V全系列nmos管，2N10、3N10、4N10、5N10、10N10、15N10、17N
2020-11-02 15:15:36
SOT-89 N沟道MOS管/场效应管HN03N10D参数：100V MOS管100V 3A SOT-89 N沟道 MOS管/场效应管HN0801产品应用于：小家电，雾化器，加湿器，电源，LED。品牌
2021-05-08 15:10:13
`型号:HC160N10L参数：100V 10A 类型：N沟道场效应管内阻135mR(Vgs=10V)低结电容405pF 封装：TO-252低开启电压1.6V主要应用领域：加湿器雾化器美容仪香薰机
2020-12-04 14:09:20
。型号：HC160N10LS参数：100V5A，丝印：HC510，类型：N沟道场效应管，内阻155mR，低结电容400pF，封装：SOT23-3，低开启电压1.5V，低内阻，结电容小。型号：HC160N10L参数
2020-11-14 13:54:14
HC240N10LS参数：100V 3A SOT23-3N沟道 MOS管/场效应管品牌：惠海半导体型号：HC240N10LSVDS：100V IDS：3ARDS(on)Max：215mΩ封装
2020-10-09 16:45:54
`<p><font face="Verdana">N沟道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
为正时，它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道MOSFET的源极接地，漏极连接到负载，当栅极施加正电压时，FET导通。N 沟道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它们
2023-02-02 16:26:45
[table=98%]N沟道增强型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征该TDM3550采用先进的沟槽技术◆40V/ 100A[tr]提供优异的RDS（ON）和低门电荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
:100V，N沟道，大电流，小封装MOS，实际电压可以达到100V，可以满足LED电源，充电器，小家电等需要低压，大电流，小封装的要求。HC510参数：100V 5A SOT-23 N沟道MOS管
2020-07-24 17:25:11
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
） （2） 图5是NCL30161典型应用的能效曲线。其外部MOSFET是安森美半导体的60 V NTTFS5826.左图是300 mA输出时不同LED数的效率曲线；右图是1 A输出时不同LED数
2018-09-29 16:45:10
快速增长的电动汽车市场，安森美半导体推出了许多IGBT、低中高压MOSFET、高压整流器、汽车模块和数字隔离栅极驱动器以及一个用于48V系统的80 V 和100V MOSFET。最新增加到汽车电源
2018-10-25 08:53:48
外部器件的高性价比方案。安森美半导体还将展出新的NCD570x系列门极驱动器，具有高驱动电流以提供宝贵的、更高的系统能效，和充分集成多种保护功能的能力以增强安全性。安森美半导体的汽车产品阵容不断扩展
2018-10-30 09:06:50
Ω, 30A, 双N沟道WLCSP8该N沟道功率MOSFET采用安森美半导体的沟槽技术制造，专为充分减少门极电荷和超低导通阻抗而设计。该器件适用于无人机或笔记本电脑应用。KAI-08052: Interline
2018-10-22 09:08:52
NCP16x及汽车变体器件NCV81x，实现超低噪声，是用于这类应用的理想电源管理方案。 安森美半导体的超高PSRR LDO稳压器系列采用了一种新的专利架构，从而实现业界最佳的PSRR（最高达98 dB
2020-10-27 09:02:17
1.0 x 0.6 x 0.4mm SOT-883的封装等。最新的器件，如安森美半导体的N沟道 NTNS3193NZ及P沟道 NTNS3A91PZ充分利用极纤薄导线架平面网格阵列（XLLGA）亚芯片级
2018-09-29 16:50:56
纳斯达克上市代号：ONNN)扩充高性能电荷耦合器件(CCD)图像传感器产品阵容，推出针对工业成像应用的最新器件。安森美半导体先进的CCD图像传感器系列新增860万像素先进摄影系统H型(APS-H)光学制式KAI-08670图像传感器，提供最严格应用所要求的关键成像性能。
2020-04-26 09:46:34
半导体提供的1,500多款通过汽车电子协会(AEC)认证的保护器件之一。 此外，安森美半导体还将展示高性价比的全面MOSFET系列，用于各种汽车应用，如发动机、底盘及车身控制、信息娱乐系统，及更多
2013-01-07 16:46:18
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-09 09:09:18
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-12 09:12:51
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-13 09:16:34
BSS123 - 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
深圳市三佛科技有限公司 供应NCE0140KA新洁能NCE0140KA原装100V N沟道 MOS，原装正品，库存现货热销NCE0140KA参数：100V40ATO-252 MOS管/场效应管 N
2019-11-20 11:02:40
的功率MOSFET，从而形成垂直的PNP双极结型晶体管。该附加的p+区域产生PNP双极结型晶体管与表面n沟道MOSFET的级联连接。 IGBT将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和
2020-07-07 08:40:25
子的欧姆区域（ohmic region），MOSFET“完全导通”。在对比图中，N沟道欧姆区的VGS是7V，而P沟道的是-4.5V。随着栅极电压增加，欧姆曲线的斜率变得更陡，表明器件导电能力更强。施加
2018-03-03 13:58:23
深圳市聚能芯半导体有限公司是一家集芯片代理、芯片生产、技术服务为一体的综合性电子元器件公司。供应中低压MOS管，替代AO系列。 可提供技术支持，DEMO测试及设计方案【100V MOS管 N沟道
2020-06-05 10:24:53
AO系列MOS管。SL2060场效应管 20V85A N沟道功率MOS管【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道SL3N10 100V3A SOT23-3L
2020-06-13 11:47:55
10场效应管100V25A N沟道 TO-252 功率MOS管【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封装N沟道
2020-06-09 10:23:37
`深圳市聚能芯半导体有限公司是一家集芯片代理、芯片生产、技术服务为一体的综合性电子元器件公司。供应中低压MOS管，替代AO系列。 可提供技术支持，DEMO测试及设计方案【100V MOS管 N沟道
2020-06-05 10:20:57
10场效应管100V35A N沟道 TO-252 功率MOS管【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封装N沟道
2020-06-09 10:36:41
深圳市聚能芯半导体有限公司是一家集芯片代理、芯片生产、技术服务为一体的综合性电子元器件公司。供应中低压MOS管，替代AO系列。 可提供技术支持，DEMO测试及设计方案【100V MOS管 N沟道
2020-06-05 10:23:09
`SL4430 30V18A 4.5毫欧SOP-8SL4430 N沟道耐压30V18A系列中低压MOS管 【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道
2020-08-03 14:48:45
沟道 MOS管HN50N06DA：60V50A TO-252N沟道 MOS管HN9940L 60V20ATO-251N沟道 MOS管【100V MOS 】 HN0501:100V 5A SOT-23
2021-04-07 15:06:41
℃STH4612SP完美替代安森美EFC4612R双N沟道功率MOS，24V6A，内阻45mΩSTH4618SP完美替代安森美EFC4618R双N沟道功率MOS，20V6A，内阻15mΩSTH1227SP完美替代松下FCAB21490L双N沟道功率MOS，12V27A，内阻2.5mΩ
2021-07-21 17:09:05
沟道 MOS管HN50N06DA：60V50A TO-252N沟道 MOS管HN9940L 60V20ATO-251N沟道 MOS管【100V MOS 】 HN0501:100V 5A SOT-23
2021-03-24 10:35:56
MOSFET作为开关使用串联在电池负极和开关电源负极之间，但总是烧坏MOSFET，MOSFET选用的是IXFN420N10T，Ids可达420A，Vds最大100V，而开关电源是适配48V，电池是铅酸电池
2016-09-06 12:51:58
````低压100V贴片MOS管100V4A 4N10 SOT23-3封装MOS管型号：HC510中压MOS:100V，N沟道，大电流，小封装MOS，实际电压可以达到100V，可以满足LED电源
2020-07-25 14:36:55
`惠海原厂直销LED汽车大灯电源、电动车灯电源、摩托车灯电源MOS管，30V 60V 100V 150V系列100V10A 100V17A100V40A 150V8A 60V30A60V
2020-09-23 11:38:52
`惠海原厂直销LED汽车大灯电源、电动车灯电源、摩托车灯电源MOS管，30V 60V 100V 150V系列100V10A 100V17A100V40A 150V8A 60V30A60V
2020-10-14 15:18:58
沟道 MOS管60V 50A TO-252 N沟道 MOS管【100V MOS N沟道 】 100V 5A SOT-23 N沟道 MOS管100V 8A SOT-89 N沟道MOS管100V 3A
2020-11-02 16:02:10
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00:00
`雾化器、美容仪、加湿器、香薰机MOS 100V 调光LED灯MOS管 5N10【SOT23-3】，10N1012N10 15N10 TO-252HC510中压MOS:100V，N沟道，大电流，小封
2020-09-23 09:42:17
，N沟道欧姆区的VGS是7V，而P沟道的是-4.5V。随着栅极电压增加，欧姆曲线的斜率变得更陡，表明器件导电能力更强。施加的栅极电压越高，MOSFET的RDS(on)就越小。在某些应用中
2021-04-09 09:20:10
型号如下：型号：HC160N10L N沟道场效应管100V10A(10N10)TO-252封装，可用于雾化器、车灯电源等型号：HC080N10L N沟道场效应管100V17A(17N10)TO-252封装
2020-11-02 15:36:23
安森美ONSEMI 扩充汽车驱动器系列安森美半导体，推出两款为坚固的汽车和工业应用而特别设计的新型驱动器。NCV7513是可编程六通道低端MOSFET预驱动器，用于控制各种负载类型。NC
2010-02-06 10:41:39
15 全新高密度沟槽MOSFET（安森美）
安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ
2009-11-02 09:16:32947 安森美推出符合汽车标准的自保护低端MOSFET驱动IC
安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出高度集成保护的NCV840x系列低端自保护MOSFET。这系列
2010-01-13 11:32:40548 安森美半导体推出12款新N沟道功率MOSFET系列
经过100%雪崩测试的MOSFET提供业界领先的雪崩额定值，能承受电源和电机控制应用中的大电压尖峰
2010年2月2日 – 应用
2010-02-03 10:13:151095 安森美半导体推出高压MOSFET系列
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能
2010-02-23 10:06:56831 带集成肖特基二极管的30V N沟道功率MOSFET(ON)
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件
2010-04-10 10:32:52519 安森美推出带集成肖特基二极管的30V 扩充N沟道功率MOSFET
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30V产品。
NTMFS4897
2010-04-12 10:23:161107 安森美半导体(ON Semiconductor)推出新系列的100伏(V)沟槽型低正向压降肖特基整流器(LVFR)，用于笔记本适配器或平板显示器的开关电源等.
2011-12-15 09:24:20819 推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor）专门为助听器设备应用而设计RHYTHM™系列预配置数字信号处理（DSP）系统，最新增加了两款新器件。
2014-03-28 09:19:462323 推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor）推出新系列的6款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它们经过设计及优化，提供领先业界能效，优于市场现有器件。
2014-05-21 11:36:44909 LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器在 -55°C 至 125°C 的温度范围内工作
2021-03-18 22:10:113 100V 高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器在 -40°C 至 150°C 的温度范围内工作
2021-03-19 06:51:081 NP30P10G(100V P沟道增强模式MOSFE)
2022-07-14 09:53:46855 
NP16P10G(100V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-18 09:06:001414 
NP2P10MR(100V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-18 09:14:57946 
采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100V、10.9mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN011-100YSF
2023-02-20 19:50:190 100 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D385-100E
2023-02-20 19:57:310 100 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMN280ENEA
2023-02-20 20:01:430 100 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV280ENEA
2023-02-20 20:01:560 D2PAK 中的 N 沟道 100 V、3.95 mΩ、标准电平 MOSFET-PSMN3R7-100BSE
2023-02-21 18:48:040 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、153 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y153-100E
2023-02-21 19:38:260 双 N 沟道 100 V、33 mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9K32-100E
2023-02-21 19:40:460 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、22 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y22-100E
2023-02-21 19:45:120 LFPAK33 中的 N 沟道 100 V、156 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9M156-100E
2023-02-21 19:49:290 双 N 沟道 100 V、27.5 mΩ 标准电平 MOSFET-山毛榉7K32-100E
2023-02-22 18:41:140 双 N 沟道 100 V、82.5 mΩ 标准电平 MOSFET-山毛榉7K89-100E
2023-02-22 18:42:540 双 N 沟道 100 V、121 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7K134-100E
2023-02-22 18:43:220 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、19 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN019-100YL
2023-02-22 18:51:500 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、21 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN021-100YL
2023-02-22 18:52:060 N 沟道 100 V、26.8 mΩ 标准电平 MOSFET，采用 TO220-PSMN027-100PS
2023-02-22 19:03:500 采用 TO220 封装的 NextPower 100 V、18 mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN018-100PSF
2023-02-23 18:45:230 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100 V、7 mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN6R9-100YSF
2023-02-23 18:52:290 D2PAK 中的 N 沟道 100V 6.8 mOhm 标准电平 MOSFET。-PSMN7R0-100BS
2023-03-03 18:53:300 D2PAK 中的 N 沟道 100V 26.8 mOhm 标准电平 MOSFET。-PSMN027-100BS
2023-03-03 19:00:210 D2PAK 中的 N 沟道 100V 16 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN016-100BS
2023-03-03 19:01:500 N 沟道 100V 8.5 mΩ 标准电平 MOSFET，采用 TO220F (SOT186A)-PSMN8R5-100XS
2023-03-03 20:12:570 安森美半导体怎么样？安森美是哪国的？ 有人问小编安森美半导体怎么样？安森美是哪国的？其实行业内人士都知道美国公司安森美半导体实力很强悍，安森美是美国公司；并且在纳斯达克上市。 安森美是哪国
2023-03-28 18:37:265914 
点击蓝字 关注我们 智能电源和智能感知技术的领先企业 安森美 （ onsemi ，美国纳斯达克上市代号：ON），将于美国时间2023年6月20日星期二开市前被纳入 纳斯达克100指数 。安森美已连续
2023-06-13 10:35:02262 
之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章将概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响，作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部分，还将提供
2023-06-16 14:39:39538 
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