0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

STD4NK60ZT4一款N沟道600 V,1.7 Ω 内阻,4A超级MESH功率MOS管

深圳上大科技 2023-08-21 10:49 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

器件描述:漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 50uA 漏源导通电阻:2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):70W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 600V 4A。

wKgaomTi0NOABph9AACPGq6t2sg348.png

应用场景:适用于高效率开关电源电机驱动器和照明应用等,可用于电源因数校正(PFC)电路中的桥式整流器和反激式变换器,可用于高频开关电源中的半桥和全桥拓扑结构。

总之,STD4NK60ZT4是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管,适用于多种应用场合。

wKgZomTi0GaAY24aAAEYgaae6bs385.png

STD4NK60ZT4,LM317MDT-TR,L78M12CDT-TR,L78L05ABUTR,L78L05ACUTR,L78L09ABUTR,L78M05ABDT-TR,L78M05CDT-TR,STTH6003CW,STTH12R06FP,STTH12R06D,

STTH8S06FP,STTH8S06D,STTH8R06D,STTH8R06FP,STTH1002CT,STTH1602CT,STTH1002CFP,STTH1602CFP,STPS20150CT,STPS20H100CT,STP10NK60ZFP,STP26NM60N,

STP22NM60N,STP7NK80ZFP,STP4NK60ZF,STF18N60M2,STF22NM60N,STF28NM50N,STF26NM60N,STPS2045CTC,STTH2003CT,STTH2003CFP,VIPER22ADIP-E,STGW39NC60VD,STW26NM60N,STPS30L60CT,STPS6045CW,STPS4045CW,STGP19NC60KD,STF13NM60N,STPS20S100CT,STW9NK95Z,STTH8L06FP,STF24N60M2,

LM2904DT,STF6N95K5,L78M15CDT-TR,L6574D013TR,SG3525AP013TR,BTA12-600BRG,L7812CD2T-TR,NCP1654BD65R2G,NCP1337DR2G,NCP1252ADR2G,MP1658GTF-Z,

MP9487GN-Z,AZ431AN-ATRG1,AZ431AR-ATRE1,STF24NM60N,VIPER17LN ,L6599DTR,VIPER16LDTR ,ADUM1201ARZ-RL7,SPV1040TTR,VIPER17LDTR,STD100N10F7,

STF13N80K5,L78L05ABZ-AP,STW9NK90Z。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOS管
    +关注

    关注

    111

    文章

    2814

    浏览量

    77901
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    深入剖析NTMFS4C022N:高性能N沟道MOSFET的卓越之选

    的NTMFS4C022N这款N沟道MOSFET,看看它有哪些独特的性能和应用优势。 文件下载: NTMFS4C022N-D.PDF 产品概述 NTMFS
    的头像 发表于 04-13 14:20 180次阅读

    安森美NTMFS4D2N10MD N沟道功率MOSFET深度解析

    )的NTMFS4D2N10MD N沟道功率MOSFET。 文件下载: NTMFS4D2N10MD-D.PDF 产品概述 NTMFS
    的头像 发表于 04-13 11:00 219次阅读

    安森美NTMTS0D4N04CL N沟道功率MOSFET深度解析

    的NTMTS0D4N04CL这款N沟道功率MOSFET。 文件下载: NTMTS0D4N04CL-D.PDF 1. 产品概述 NTMTS0D
    的头像 发表于 04-10 14:05 202次阅读

    深入解析NVMYS2D4N04C N沟道功率MOSFET

    深入解析NVMYS2D4N04C N沟道功率MOSFET 在电子设计领域,功率MOSFET作为关键元件,广泛应用于各类电源管理、电机驱动等电
    的头像 发表于 04-08 16:30 148次阅读

    深入解析 onsemi NVMYS4D6N04CL N 沟道功率 MOSFET

    NVMYS4D6N04CL 是 onsemi 生产的一款N 沟道功率 MOSFET,其额定电压为 40
    的头像 发表于 04-08 16:20 161次阅读

    深入解析NVCR4LS1D4N10MCA N沟道功率MOSFET

    深入解析NVCR4LS1D4N10MCA N沟道功率MOSFET 在电子设计领域,功率MOSFET是至关重要的元件之
    的头像 发表于 04-08 09:45 343次阅读

    探究 onsemi NVMFWS4D5N08X N 沟道 MOSFET:特性、应用与设计考量

    NVMFWS4D5N08X 是一款采用 SO8FL 封装的 N 沟道 STD 栅极功率 MOS
    的头像 发表于 04-03 11:45 198次阅读

    60V N沟道功率MOSFET:NVMJST1D4N06CL的特性与应用分析

    的是安森美(onsemi)的一款60V、1.49mΩ、198A的单N沟道功率MOSFET——NV
    的头像 发表于 04-03 10:15 404次阅读

    Onsemi NVMYS4D5N04C N沟道功率MOSFET:设计利器

    04C是一款40V、4.5mΩ、80AN沟道功率MOSFET,采用LFPAK
    的头像 发表于 04-02 15:40 242次阅读

    深入解析LTM8027:60V4A DC/DC µModule稳压器的强大性能与设计应用

    深入解析LTM8027:60V4A DC/DC µModule稳压器的强大性能与设计应用 在电子工程师的日常工作中,选择一款合适的DC/DC稳压器至关重要。今天,我们就来深入探讨
    的头像 发表于 03-12 11:50 341次阅读

    SiLM2285CA-DG 600V/4A高压半桥驱动 适合IGBT/MOSFET驱动

    侧配置的N沟道功率器件驱动,工作电压高达600V。SiLM2285CA-DG逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,最低可支持3.3V
    发表于 03-10 08:24

    onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N沟道场截止VII IGBT数据手册

    安森美 (onsemi) AFGH4L60T120RWx-STD N沟道场截止VII IGBT采用新型第七代场截止IGBT技术和第七代二极,封装形式为
    的头像 发表于 11-21 15:44 1153次阅读
    onsemi AFGH<b class='flag-5'>4L60T120RWx-STD</b> <b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>沟道</b>场截止VII IGBT数据手册

    选型手册:MOT4N65F 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体

    仁懋电子(MOT)推出的MOT4N65F是一款面向650V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET
    的头像 发表于 11-04 15:59 1276次阅读
    选型手册:MOT<b class='flag-5'>4N</b>65F 系列 <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>沟道</b><b class='flag-5'>功率</b> MOSFET 晶体<b class='flag-5'>管</b>

    SiLM2285 600V/4A半桥驱动芯片 赋能工业与新能源高效升级

    流器(PCS) 电机驱动:工业风机、泵机 电源转换 SiLM2285 4A驱动能力、超强的抗干扰特性以及简化的高边驱动设计,直击高压高功率应用的设计痛点。不仅是一款高性能的门极驱动芯片,更是助力工程师提升系统
    发表于 09-05 08:31

    SiLM228x系列SiLM2285 600V/4A半桥驱动,直击高压高功率应用痛点

    结构。 总结:SiLM2285 600V/4A半桥门极驱动器,通过超强抗干扰、高效驱动、高边直驱三大核心优势,有效解决了高压高功率应用中的关键痛点。其宽电压兼容、精准时序、多重保护特性,为工业自动化
    发表于 08-08 08:46