概述： PC1001 是一款单通道高速驱动器，具有 5V 输出和专用增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）驱动功能。PC1001 可提供非对称峰值电流驱动能力，源电流为 1.4A，灌电流为
2025-12-30 11:27:43
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TP65H070G4PS 650 V SuperGaN® GaN FET.pdf 一、产品概述 TP65H070G4PS 是一款 650V、70mΩ 的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），属于常关型器件。它巧妙地将先进的高压 GaN HEM
2025-12-29 14:45:1077 在电子工程师的日常设计工作中，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是不可或缺的关键元件。今天，我们聚焦于ON Semiconductor推出的一款单N沟道功率MOSFET——NVMYS4D5N04C，深入剖析其特性、参数及应用场景。
2025-12-01 14:41:37268 
在电子设计领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）作为关键的功率器件，其性能表现对整个电路的性能起着至关重要的作用。今天，我们就来深入了解一款由onsemi推出的单N沟道MOSFET——NVTYS014N08HL。
2025-12-01 09:42:59233 
在追求高效能、高可靠性功率半导体技术的道路上迈出关键一步，打破车规级功率半导体性能边界 近日，镓未来正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 车规级氮化镓场效应晶体管（GaN FET
2025-11-27 16:17:131736 在电子工程领域，功率半导体器件的性能对电路设计和系统性能有着至关重要的影响。今天，我们来详细探讨一下安森美（onsemi）的UF3N120007K4S碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET），看看它在实际应用中能为我们带来哪些优势。
2025-11-26 15:47:04273 
PMOS（正极性金属氧化物半导体）和NMOS（负极性金属氧化物半导体）是两种基本的MDD辰达半导体的场效应晶体管（FET），它们的结构、工作原理和应用都有显著的差异。理解这两种晶体管的特点以及
2025-11-24 15:56:591043 
在全球碳中和战略深入推进的关键节点，第三代半导体正成为突破能源转换效率瓶颈的核心力量。珠海镓未来科技有限公司Gen3技术平台650/700V系列场效应晶体管（FET）近期正式宣布全面推广上市！该系
2025-11-14 11:42:18414 
现在氮化镓材料技术比较成熟，芯源的MOS管也是用的氮化镓材料技术嘛？
2025-11-14 07:25:48
【2025年11月5日, 德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布推出其首款符合汽车电子委员会（AEC）汽车应用标准的氮化镓（GaN）晶体管系列
2025-11-05 14:31:0559490 
新品第五代CoolGaN650-700V氮化镓功率晶体管G5第五代650-700VGaN氮化镓功率晶体管可实现高频工况下的效率提升，并满足最高质量标准，能够打造具有超高效率的高可靠性设计。该系
2025-11-03 18:18:052813 
标准更为严苛。
产业链联动效应：快充技术的普及不仅推动了充电器产品的更新，也带动了如 MOSFET（金属 - 氧化物半导体场效应晶体管）等核心元器件的市场需求增长，这类元器件是保障快充安全与效率的关键
2025-11-03 09:28:36
工艺技术的持续演进，深刻塑造了当今的半导体产业。从早期的平面晶体管到鳍式场效应晶体管（FinFET），再到最新的全环绕栅极（GAA）架构，每一代新工艺节点都为显著改善功耗、性能和芯片面积（PPA）创造了机会。
2025-10-24 16:28:391177 
所有半导体单体元件，包括二极管、三极管、场效应管（FET）等。它通过半导体材料的电学特性（如掺杂形成的PN结）控制电流流动，是现代电子电路的基础构建块。 核心特性 功能多样性：可放大微弱信号（如音频放大器）、快
2025-10-24 12:20:23349 
MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 全称：金属-氧化物-半导体场效应晶体管），简称MOS管，属于场效应管（FET）的一种。
2025-10-23 13:56:439246 
本文将深入探讨两种备受瞩目的功率晶体管——英飞凌的 CoolGaN（氮化镓高电子迁移率晶体管）和 OptiMOS 6（硅基场效应晶体管），在极端短路条件下的表现。通过一系列严谨的测试，我们将揭示
2025-10-07 11:55:002980 
在当代电子技术的浩瀚星空中，MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）无疑是一颗璀璨的恒星。从智能手机里的微小芯片到新能源电站的巨型逆变器，这种看似简单的半导体器件以其独特的性能，支撑着现代电子文明的运转。了解MOS管的工作机制与应用场景，如同掌握解读电子世界的密码。
2025-09-28 10:30:00798 
TPS7H60x5 系列抗辐射性 （RHA） 氮化镓 （GaN） 场效应晶体管 （FET） 栅极驱动器专为高频、高效率和大电流应用而设计。该系列包括TPS7H6005（额定电压为 200V
2025-09-26 14:01:356002 
在电子电路领域，MOS管是一种至关重要的半导体器件，其全称为金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
2025-09-23 11:39:324467 
在功率半导体领域，MOS管（金属-氧化物半导体场效应晶体管）作为核心器件，承担着电能转换、信号放大与电路控制的关键作用。中科微电作为国内专注于功率半导体研发与生产的企业，其推出的MOS管凭借高可靠性、低功耗等优势，在多个行业实现规模化应用，成为国产功率器件替代进程中的重要力量。
2025-09-22 13:59:47500 
MOS管，即金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是现代电子电路中至关重要的核心器件之一。
2025-09-19 17:41:515038 
Texas Instruments LMG342xR030 GaN场效应晶体管（FET）集成了驱动器和保护功能，可使设计人员在电子设备系统中实现新的功率密度和效率水平。
2025-09-19 11:06:08586 
传统的平面场效应晶体管开始，经鳍式场效应晶体管、纳米片全环绕栅极场效应晶体管，向下一代叉形片和互补场效应晶体管发展，见图1和图2所示。
图1 晶体管架构演进方向
图2 晶体管架构演进路线图
那在这
2025-09-06 10:37:21
在现代功率电子技术中，MOSFET(场效应晶体管)是不可或缺的关键组件。它广泛应用于开关电源、逆变器、电动汽车等领域。而随着功率需求和系统效率的不断提高，SiCMOSFET(碳化硅金属氧化物半导体
2025-09-04 14:46:09637 
制造氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMTs）具有一定难度，这主要归因于材料本身以及制造工艺中的多项挑战。
2025-07-25 16:30:444488 
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化镓 (GaN) 功率级适用于开关模式电源应用。LMG3624将氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 和栅极驱动器集成在
2025-07-25 14:56:463992 
NMOS 管，即 N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管，是一种电压控制型半导体器件。其核心结构由源极（S）、漏极（D）、栅极（G）及 N 型沟道组成。当栅极电压高于阈值时，沟道导通，电子从
2025-07-24 16:25:56
NMOS 管，即 N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管，是一种电压控制型半导体器件。其核心结构由源极（S）、漏极（D）、栅极（G）及 N 型沟道组成。当栅极电压高于阈值时，沟道导通，电子
2025-07-23 17:27:58
在电子世界的晶体管家族中，NMOS（N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）与 PMOS（P 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）如同一对默契的 “电子开关”，掌控着电路中电流的流动
2025-07-14 17:05:2223273 
在电源转换技术不断进步的背景下，瑞萨电子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化镓场效应晶体管(GaNFET)，专注于满足数据中心、工业以及电动交通应用对高效能和高密度
2025-07-14 10:17:383206 
在电子元器件领域，MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为一种重要的功率开关器件，广泛应用于各类电子设备中。FS8205A作为泛海微电子推出的一款低阈值电压场效应晶体管，凭借其优异的性能和紧凑
2025-07-11 15:17:43
Texas Instruments LMG2100R026 GaN半桥功率级集成了栅极驱动器和增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管。93V连续、100V脉冲、53A半桥功率级包含两个GaN FET，由
2025-07-11 14:40:22677 
GaN器件当前被称作HEMT(高电子迁移率晶体管)，此类高电子迁移率的晶体管应用于诸多电子设备中，如全控型电力开关、高频放大器或振荡器。与传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 相比
2025-07-09 11:13:063371 
氧化物场效应晶体管(MOSFET)展现出卓越的性能，迁移率高达44.5cm²/Vs。在严苛的应力测试中，这款晶体管连续稳定工作近三小时，显示出其在高压和高温等极端条件
2025-07-02 09:52:45827 
N沟道MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种电压控制型器件，依靠N型半导体中的电子导电。当栅极电压超过阈值电压时，源极与漏极之间形成导电沟道，实现电流导通，具有输入阻抗高、开关速度快
2025-06-28 10:48:03
N沟道MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种电压控制型器件，依靠N型半导体中的电子导电。当栅极电压超过阈值电压时，源极与漏极之间形成导电沟道，实现电流导通，具有输入阻抗高、开关速度快
2025-06-27 17:35:56
新品TOLL和DFN封装CoolGaN650VG5第五代氮化镓功率晶体管第五代CoolGaN650VG5氮化镓功率晶体管可在高频工况下显著提升能效，符合业界最高质量标准，助力打造兼具超高效率与卓越
2025-06-26 17:07:332034 Analog Devices LTC7890/1同步降压控制器是高性能直流-直流开关稳压器控制器，用来驱动输入电压高达100V的所有N沟道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级
2025-06-22 09:50:43744 
，10埃）开始一直使用到A7代。
从这些外壁叉片晶体管的量产中获得的知识可能有助于下一代互补场效应晶体管（CFET）的生产。
目前，领先的芯片制造商——英特尔、台积电和三星——正在利用其 18A、N2
2025-06-20 10:40:07
在微电子系统中，场效应晶体管通过栅极电位的精确调控实现对主电流通路的智能管理，这种基于电位差的主控模式使其成为现代电路中的核心调控元件。实现这种精密控制的基础源于器件内部特殊的载流子迁移机制与电场调控特性。
2025-06-18 13:41:14694 现有的晶体管都是基于 PN 结或肖特基势垒结而构建的。在未来的几年里，随着CMOS制造技术的进步，器件的沟道长度将小于 10nm。在这么短的距离内，为使器件能够工作，将采用非常高的掺杂浓度梯度。
2025-06-18 11:43:221011 
从内容上看，本书可分成三部分:1.介绍了激光器电源中使用的几种电子器件，诸如晶闸管(SCR)、功率场效应晶体管(VMOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)。这几种器件各具特点，在激光器电源及电力电子学
2025-06-17 17:45:29
Analog Devices Inc. EVAL-LTC7890-AZ评估板是一款双输出同步降压转换器，可驱动所有N沟道氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。 该板采用EPC EPC
2025-06-10 13:55:03740 
自半导体晶体管问世以来，集成电路技术便在摩尔定律的指引下迅猛发展。摩尔定律预言，单位面积上的晶体管数量每两年翻一番，而这一进步在过去几十年里得到了充分验证。
2025-06-03 18:24:131494 
Analog Devices LTC7892两相升压控制器可驱动所有N沟道同步氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）功率级，输出电压高达100V。高性能双通道升压直流-直流开关稳压器控制器简化
2025-05-27 14:42:43762 
LMG1210 是一款 200V 半桥 MOSFET 和氮化镓场效应晶体管 （GaN FET） 驱动器，专为超高频、高效率应用而设计，具有可调死区时间能力、非常小的传播延迟和 3.4ns 高侧低侧匹配，可优化系统效率。该器件还具有一个内部 LDO，无论电源电压如何，都能确保 5V 的栅极驱动电压。
2025-05-24 15:53:00891 
英飞凌推出CoolGaN G5中压晶体管，它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能，进一步提升整体系统效率。此外，该集成解决方案还简化了功率级设计，降低了用料成本。
2025-05-21 10:00:44804 AO4803AAO4803A双P通道增强型场效应晶体管MOS电源控制电路采用先进的沟道技术，以低门电荷提供优秀的RDS（开）。此设备适用于负载开关或PWM应用。标准产品AO4803A不含铅（符合RoHS和索尼259规范）
2025-05-19 17:59:38
28 2010年，爱尔兰 Tyndall 国家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三栅无结场效应晶体管，器件结构如图1.15所示。从此，半导体界兴起了一股研究无结场效应晶体管的热潮，每年的国际
2025-05-19 16:08:13777 
当代所有的集成电路芯片都是由PN结或肖特基势垒结所构成：双极结型晶体管（BJT）包含两个背靠背的PN 结，MOSFET也是如此。结型场效应晶体管（JFET） 垂直于沟道方向有一个 PN结，隧道穿透
2025-05-16 17:32:071122 
由于资料内存过大，分开上传，有需要的朋友可以去主页搜索下载哦~
本文共分上下二册。本文档作为下册主要介绍晶体管/FET电路设计技术的基础知识和基本实验,内容包括FET放大电路、源极跟随器电路
2025-05-15 14:24:23
结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor, JFET）是在同一块 N型半导体上制作两个高掺杂的P区，并将它们连接在一起，所引出的电极称为栅极（G），N型半导体两端分别引出两个电极，分别称为漏极（D）和源极（S），如图 1.11所示。
2025-05-14 17:19:202620 
对于传统的MOSFET器件，虽然因为栅极绝缘层的采用大大抑制了栅极漏流，但是硅沟道较低的电子迁移率也限制了其在超高频、超高速等领域的应用。
2025-05-14 11:14:591226 
电子发烧友网站提供《ZSKY-CCS3125BP N沟道增强型功率场效应晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-05-13 18:03:110 圣邦微电子推出 SGMNQ36430，一款 30V 单 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件可应用于 CPU 电源传输、DC/DC 转换器、功率负载开关以及笔记本电池管理等领域。
2025-05-09 16:57:26971 
OPA1S2384 和 OPA1S2385 (OPA1S238x) 将高带宽，场效应晶体管 (FET) 输入运算放大器与一个快速 SPST COMS 开关组合在一起，设计用于需要跟踪和捕捉快速信号的应用。
2025-04-30 10:05:24837 
OPA1S2384 和 OPA1S2385 (OPA1S238x) 将高带宽，场效应晶体管 (FET) 输入运算放大器与一个快速 SPST COMS 开关组合在一起，设计用于需要跟踪和捕捉快速信号的应用。
2025-04-29 16:38:49880 
通过重新设计基于氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)的IGBT和MOSFET解决方案，DRS优化的车辆逆变器性能使开关频率提高了四倍，减少了体积和重量，同时实现了98.5%的效率。在DRS，我们
2025-04-22 11:35:39866 
晶体管，FET和IC，FET放大电路的工作原理，源极接地放大电路的设计，源极跟随器电路设计，FET低频功率放大器的设计与制作，栅极接地放大电路的设计，电流反馈型OP放大器的设计与制作，进晶体管
2025-04-14 17:24:55
晶体管和FET的工作原理，观察放大电路的波形，放大电路的设计，放大电路的性能，共发射极应用，观察射极跟随器的波形，增强输出电路的设计，射极跟随器的性能和应用电路，小型功率放大器的设计和制作
2025-04-14 16:07:46
MOS管，即金属氧化物半导体场效应晶体管，在开关电源中扮演着至关重要的角色。
2025-04-12 10:46:40821 有机半导体材料是具有半导体性质的有机材料，1986年第一个聚噻吩场效应晶体管发明以来，有机场效应晶体管（OFET）飞速发展。有机物作为半导体甚至是导体制备电子器件来代替以部分硅为主的传统电子产品，利用有机物可以大规模低成本合成的优势，市场前景是巨大的。
2025-04-09 15:51:551064 
安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共栅场效应晶体管）在硬开关和软开关应用中有诸多优势，SiC JFET cascode应用指南讲解了共源共栅（cascode）结构、关键参数、独特功能和设计支持。本文为第一篇，将重点介绍Cascode结构。
2025-03-26 17:42:302011 
电子发烧友网站提供《LT8822SS共漏N沟道增强型场效应晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-26 16:00:441 电子发烧友网站提供《LT8814EFF具有ESD保护的双N沟道增强型场效应晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-25 17:28:000 电子发烧友网站提供《LT8814EFD具有ESD保护的共漏N沟道增强型场效应晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-25 17:26:020 介绍各种电子元器件的分类、主要参数、封装形式等。元器件包括半导体二极管、三极管、场效应晶体管、晶闸管、线性集成电路、TTL和CMOS系列电路、数／模转换器、模／数转换器、电阻器、电位器、电容器、保护
2025-03-21 16:50:16
MOSFET（场效应晶体管）的高输入阻抗和BJT（双极型晶体管）的低导通损耗优点，适用于变频器、逆变器、电机驱动、电源转换等领域。
2025-03-19 15:48:34807 安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM31智能功率模块（IPM）系列。
2025-03-19 14:31:281103 电子发烧友网站提供《TC1201低噪声和中功率GaAs场效应晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-17 17:15:420 本书主要介绍了晶体管，FET和Ic，FET放大电路的工作原理，源极接地放大电路的设计，源极跟随电路的设计，FET低频功率放大器的设计和制作，栅极接地放大电路的设计，电流反馈行型op放大器的设计与制作
2025-03-07 13:55:19
本书主要介绍了晶体管和FET的工作原理，放大电路的工作，增强输出的电路，小型功率放大器的设计与制作，功率放大器的设计与制作，拓宽频率特性，视频选择器的设计和制作，渥尔曼电路的设计，负反馈放大电路的设计，直流稳定电源的设计与制作，差动放大电路的设计，op放大器电路的设计与制作等
2025-03-07 13:46:06
电子发烧友网站提供《LT1541SIJ P沟道增强型场效应晶体管数据表.pdf》资料免费下载
2025-03-07 11:33:071 电子发烧友网站提供《LT1756SJ N沟道增强型场效应晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-05 17:29:160 电子发烧友网站提供《LT1729SI P沟道增强型场效应晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-04 18:05:040 电子发烧友网站提供《LT1728SJ P沟道增强型场效应晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-04 18:02:350 电子发烧友网站提供《LT1725SI P沟道增强型场效应晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-04 16:32:030 在现代电子学的宏伟建筑中，场效应晶体管（FET-Field Effect Transistor）是其不可或缺的基石。这些精巧的电子组件以其卓越的性能优势: 低功耗、高输入阻抗和简便的偏置需求, 在
2025-03-03 14:44:532190 
氮化镓晶体管的并联设计总结 先上链接，感兴趣的朋友可以直接下载： *附件：氮化镓晶体管的并联设计.pdf 一、引言 应用场景 ：并联开关管广泛应用于大功率场合，如牵引逆变器、可回收能源系统等
2025-02-27 18:26:311103 这本书介绍了晶体管的基本特性，单管电路的设计与制作， 双管电路的设计与制作，3~5管电路的设计与制作，6管以上电路的设计与制作。书中具体内容有：直流工作解析，交流工作解析，接地形式，单管反相放大器，双管反相放大器，厄利效应，双管射极跟随器等内容。
2025-02-26 19:55:46
LMG342XEVM - 04X 包含两个以半桥配置的 LMG342XR0X0 氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。所有的偏置和电平转换组件都已集成，这使得低侧参考信号能够控制两个场效应晶体管。功率级上配备了高频去耦电容，采用优化布局，以尽量减少寄生电感并降低电压过冲。
2025-02-21 18:16:54786 
在科技飞速发展的当下，电子元件的创新成为推动各领域进步的关键力量。Ziener 公司最新推出的 ZN70C1R460D 氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），以其卓越性能在功率半导体领域掀起波澜
2025-02-18 16:47:25949 
FinFET(鳍式场效应晶体管)从平面晶体管到FinFET的演变是一种先进的晶体管架构，旨在提高集成电路的性能和效率。它通过将传统的平面晶体管转换为三维结构来减少短沟道效应，从而允许更小、更快且功耗更低的晶体管。本文将从硅底材开始介绍FinFET制造工艺流程，直到鳍片(Fin)的制作完成。
2025-02-17 14:15:022608 
德州仪器的 Eason Tian 和 Kyle Wolf 撰写，主要探讨了 GaN FET（氮化镓场效应晶体管）在人形机器人中的应用优势，旨在说明其如何解决人形机器人伺服系统面临的挑战。 *附件
2025-02-14 14:33:331508 
电子发烧友网站提供《GAN039-650NBB氮化镓(GaN)FET规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-13 16:10:220 电子发烧友网站提供《Nexperia共源共栅氮化镓(GaN)场效应晶体管的高级SPICE模型.pdf》资料免费下载
2025-02-13 15:23:257 电子发烧友网站提供《GAN041-650WSB氮化镓(GaN)FET规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-13 14:24:192 电子发烧友网站提供《GANE3R9-150QBA氮化镓(GaN)FET规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-12 08:30:510 金刚石场效应晶体管 (Vth （Extreme Enhancement-Mode Operation Accumulation Channel Hydrogen-Terminated Diamond
2025-02-11 10:19:01820 
电子发烧友网站提供《GANB4R8-040CBA双向氮化镓(GaN)FET规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-10 16:22:371 随着半导体技术不断逼近物理极限，传统的平面晶体管（Planar FET）、鳍式场效应晶体管（FinFET）从平面晶体管到FinFET的演变，乃至全环绕栅或围栅（GAA
2025-01-24 10:03:514437 
朱利叶斯·埃德加·利利恩菲尔德在1925年申请的专利为场效应晶体管奠定了理论基础。 虽然第一个工作的场效应晶体管（FET）直到1945年才出现，但这个想法早在近20年前，即朱利叶斯·埃德加·利利恩
2025-01-23 09:42:111476 
本文介绍了FinFET（鳍式场效应晶体管）制造过程中后栅极高介电常数金属栅极工艺的具体步骤。
2025-01-20 11:02:395360 
MOS管，全称金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是电子电路中非常重要的一种元件。它在不同电路中具有多种作用。
2025-01-17 14:19:562758 安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15亿美元现金收购Qorvo碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon Carbide。
2025-01-16 16:30:061082 MOS,是金属-氧化物-半导体场效应晶体管英文名称的缩写，是一种独特的半导体器件，它通过电场效应来控制输出回路的电流，这一特性使其得名。
2025-01-14 14:09:532108 
1月8日消息，日本丰田合成株式会社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功开发出了用于垂直晶体管的 200mm（8英寸）氮化镓 （GaN）单晶晶圆。 据介绍，与使用采用硅基GaN
2025-01-09 18:18:221356 场效应管代换手册
2025-01-08 13:44:213
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