‌TPS7H60x5系列辐射硬化保证型GaN FET栅极驱动器技术文档摘要-电子发烧友网

TPS7H60x5 系列抗辐射性（RHA）氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）栅极驱动器专为高频、高效率和大电流应用而设计。该系列包括TPS7H6005（额定电压为 200V）、TPS7H6015（额定电压为 60V）和TPS7H6025（额定电压为 22V）。这些器件均采用 56 引脚 HTSSOP 塑料封装，并提供 QMLP 和空间增强型塑料（SEP）等级。这些驱动器具有可调节的死区时间能力、30ns 的小传播延迟以及 5.5ns 的高侧和低侧匹配。这些器件还包括内部高侧和低侧LDO，无论电源电压如何，都能确保5V的驱动电压。TPS7H60x5 驱动器均具有分离栅极输出，可灵活地独立调整输出的导通和关断强度。
*附件：tps7h6005-sp.pdf

TPS7H60x5 驱动器具有两种控制输入模式：独立输入模式（IIM）和 PWM 模式。在 IIM 中，每个输出都由专用输入控制。在PWM模式下，单个输入产生两个互补输出信号，用户可以调整每个边沿的死区时间。

栅极驱动器还在独立输入模式下提供用户可配置的输入互锁，作为防击穿保护。当两个输入同时导通时，输入互锁不允许两个输出导通。用户可以选择在独立输入模式下启用或禁用此保护，这允许驱动器在许多不同的转换器配置中使用。这些驱动器还可用于半桥和双低侧转换器应用。

特性

辐射性能：
- 辐射硬度保证（RHA）高达 100krad（Si）的总电离剂量（TID）
- 单事件瞬态（SET）、单事件烧毁（SEB）和单事件栅极破裂（SEGR）不受线性能量转移（LET）影响 = 75MeV-cm2/mg
- 单事件瞬态（SET）和单事件功能中断（SEFI）表征高达 LET = 75MeV-cm2/mg
1.3A 峰值源，2.5A 峰值灌电流
两种作模式：
- 单PWM输入，死区时间可调
- 两个独立的输入
独立输入模式下的可选输入互锁保护
分体式输出，可调节导通和关断时间
独立输入模式下的典型传播延迟为 30ns
5.5ns典型延迟匹配
塑料包装的废气经过 ASTM E595 测试
提供军用温度范围（–55°C 至 125°C）

参数

方框图

‌1. 产品概述‌
TPS7H60x5系列是专为高频、高效、高电流应用设计的辐射硬化保证（RHA）氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）栅极驱动器，包含TPS7H6005（200V）、TPS7H6015（60V）和TPS7H6025（22V）三种型号。所有器件采用56引脚HTSSOP塑料封装，提供QMLP和太空增强塑料（SEP）两种等级。

‌2. 关键特性‌

‌辐射性能‌：
- 总电离剂量（TID）耐受达100krad(Si)
- 对单粒子瞬态（SET）、单粒子烧毁（SEB）和单粒子栅极击穿（SEGR）免疫（LET=75MeV-cm²/mg）
‌驱动能力‌：峰值源电流1.3A，峰值灌电流2.5A
‌工作模式‌：支持单PWM输入（可调死区时间）和双独立输入模式
‌延迟性能‌：传播延迟典型值30ns（独立输入模式），延迟匹配5.5ns
‌温度范围‌：-55°C至125°C军用级

‌3. 典型应用‌