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氮化镓快充IC U8733L的工作原理

通常来讲，充电器输出功率的增加，充电器的体积也要相应扩大。因为内置GaN芯片的使用，快充充电器拥有小体积、高性能、协议多、节能高等特点，所以快充充电器比...

2025-07-15 标签：充电器氮化镓 GaN 2.4k 0

Texas Instruments LMG2100R026 GaN半桥功率级数据手册

Texas Instruments LMG2100R026 GaN半桥功率级集成了栅极驱动器和增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管。93V连续、100V脉...

2025-07-11 标签：半桥场效应晶体管 GaN 588 0

GAN功率器件在机器人上的应用实践

GaN器件当前被称作HEMT(高电子迁移率晶体管)，此类高电子迁移率的晶体管应用于诸多电子设备中，如全控型电力开关、高频放大器或振荡器。与传统的硅金属氧...

2025-07-09 标签：机器人晶体管 SiC 3.1k 0

Texas Instruments LMG3650EVM子卡评估模块数据手册

Texas Instruments LMG3650EVM子卡评估模块支持两个LMG3650R025 650V GaN FET，具有集成驱动器和保护功能，...

2025-07-08 标签：FET GaN 评估模块 511 0

PD快充IC U8726AHE的工作原理

准谐振芯片广泛应用于便携式设备、快充产品、USB-PD充电器等领域，特别是在高功率密度、低功耗的设计中表现出色‌。许多准谐振芯片集成了驱动电路、保护电路...

2025-07-04 标签：充电器 FET GaN 1.5k 0

方案介绍 | 东科24W集成GAN器件高PF低THD的恒压LED方案分享

本文将为大家介绍以DK8924AN为核心的一款24WLED方案，具有恒压精度高，待机功耗低，启动迅速等特点，适用于LED灯带电源，智能照明等多种应用场景...

2025-07-01 标签：GaN 恒压东科 598 0

同步整流芯片U7116W/U7110W产品介绍

同步整流芯片U7116W/U7110W是一款高频率、高性能、CCM同步整流开关，可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。U711XW内置有...

2025-06-27 标签：GaN 快充同步整流芯片 654 0

E-GaN电源芯片U8733L集成外置温度检测和恒功率功能

E-GaN电源芯片U8733L集成外置温度检测和恒功率功能Yinlianbao开关电源NTC传感器能够感知微小的温度变化，一旦温度超过预设的安全阈值，便...

2025-06-19 标签：检测 GaN 电源芯片 617 0

氧化镓射频器件研究进展

氧化镓（Ga2O3 ）是性能优异的超宽禁带半导体材料，不仅临界击穿场强大、饱和速度高，而且具有极高的巴利加优值和约翰逊优值，在功率和射频器件领域具有重...

2025-06-11 标签：半导体 GaN 射频器件 1.9k 0

Analog Devices Inc. LT8418半桥GaN驱动器数据手册

Analog Devices Inc. LT8418半桥GaN驱动器是一款100V器件，集成了顶部和底部驱动器级、驱动器逻辑控制和保护功能。该驱动器可配...

2025-06-10 标签：驱动器 GaN Analog 736 0

纳芯微高压半桥驱动芯片NSD2622N产品介绍

纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力，可以显著...

2025-06-09 标签：驱动电路氮化镓 GaN 1.4k 0

PD快充芯片U8722SP的工作原理

耐压值定义了芯片安全工作电压上限，若输入电压超过该值（如动态波动或负载突变），可能引发击穿或永久损坏，直接影响器件可靠性、性能表现及系统适配性。高耐压芯...

2025-06-03 标签：PD GaN 快充芯片 669 0

ASOP7-T4封装E-GaN快充电源芯片U8724AHS

ASOP7-T4封装E-GaN快充电源芯片U8724AHS深/圳/银/联/宝芯片的脚位是芯片与外部电路进行连接的桥梁。通过引脚，芯片可以与电路板上的其他...

2025-05-29 标签：GaN 电源芯片快充 610 0

浮思特 | 在工程衬底上的GaN功率器件实现更高的电压路径

横向氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)在中低功率转换应用领域正呈现强劲增长态势。将这一材料体系扩展至更高电压等级需要器件设计和衬底技术的创新。本文总结...

2025-05-28 标签：晶体管功率器件 GaN 590 0

Analog Devices Inc. LTC7892两相升压控制器数据手册

Analog Devices LTC7892两相升压控制器可驱动所有N沟道同步氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）功率级，输出电压高达100V。高性能...

2025-05-27 标签：FET N沟道 GaN 683 0

Analog Devices Inc. EVAL-LTC7892-BZ评估板数据手册

Analog Devices EVAL-LTC7892-BZ评估板设计用于演示LTC7892 GaN FET控制器。LTC7892优化采用100V Ga...

2025-05-27 标签：GaN Analog 评估板 625 0

Analog Devices Inc. ADPA1116 GaN功率放大器数据手册

Analog Devices ADPA1116 GaN功率放大器具有39.5dBm饱和输出功率（P ~OUT~ ），功率附加效率（PAE）为40%，输入...

2025-05-27 标签：功率放大器输出功率 GaN 591 0

E-GaN电源芯片U8722FE产品概述

E-GaN电源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型号，ID(A)(TJ=125℃)4.0，耐压700V，推荐功率60W，采用的是ESOP-7封装。

2025-05-26 标签：芯片 GaN 电源芯片 575 0

氮化镓GaN快充芯片U8732的特点

氮化镓充电器与普通充电器在充电效率方面对比，性能遥遥领先。它支持多种快充协议，如PD、QC等，能够智能识别设备所需的充电功率，实现快速充电。无论是苹果手...

2025-05-23 标签：氮化镓 GaN 快充芯片 812 0

UCC27611 具有 4V UVLO 和 5V 稳压输出的 4A/6A 单通道栅极驱动器数据手册

UCC27611 是一款针对 5V 驱动优化的单通道高速栅极驱动器，专门针对增强型 GaN FET 进行寻址。驱动电压 VREF 由内部线性稳压器精确控...

2025-05-20 标签：FET GaN 灌电流 689 0

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5G网络作为最新一代的移动互联网通讯技术，相对4G而言，网速更快；5G手机是指使用第五代通信系统的智能手机。相对4G手机，5G手机有更快的传输速度，低时延，通过网络切片技术，拥有更精准的定位。
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