Texas Instruments LMG3650EVM子卡评估模块支持两个LMG3650R025 650V GaN FET,具有集成驱动器和保护功能,采用半桥配置,具有所有所需的偏置电路和逻辑/功率电平转换。该器件提供基本的功率级和栅极驱动,设有完全封闭在电路板上的高频电流环路,可最大限度地降低功率环路寄生电感。TI LMG3650EVM设计用于插座式外部连接,可轻松连接外部功率级,从而在各种应用中运行LMG3650R025。
数据手册:*附件:Texas Instruments LMG3650EVM子卡评估模块数据手册.pdf
特性
- 两个TI 650V GaN,采用TOLL封装,采用半桥配置
- 用于高侧故障信号的数字隔离器
- 隔离式偏置电源和自举电源选项
- 隔离式栅极驱动器和用于布局兼容性的开路元件位置,用于评估集成式GaN TOLL和分立式GaN TOLL
- 散热片,随附风扇,用于测试期间散热
- 过热、过流和短路事件故障保护和报告
- 标准子卡引脚分配,兼容TI GaN主板
- 绝对最大额定电压:650V
应用
规范
- 包含在LMG3650EVM子卡中
- 两个LMG3650R025 GaN IC
- 两个隔离式栅极驱动器,实现与分立式GaN in TOLL的布局兼容性和测试
- 两个数字隔离器,用于氮化镓IC故障信号
- 隔离式偏置电源和自举电源
框图

布局

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