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场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。
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技术资料#LMG2610 用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半桥,具有集成驱动器、保护和电流感应功能
LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半桥,适用于开关模式电源应用中的 75W 有源钳位反激式 (ACF) 转换器<。该LMG2...
技术资料#LMG2650 650V 95mΩ GaN 半桥,集成驱动器、保护和电流感应
LMG2650 是一个 650V 95mΩ GaN 功率 FET 半桥。该LMG2650通过在 6mm x 8mm QFN 封装中集成半桥功率 FET、...
技术文档#LMG3624 650V 170mΩ GaN FET,集成驱动器、保护和电流感应
LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。该LMG3624通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成到 ...
技术资料#LMG3427R030 600V 30mΩ GaN FET,集成驱动器、保护和零电流检测
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能,针对开关模式电源转换器,使设计人员能够将功率密度和效率提升到新的水平。
技术资料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半桥氮化镓 (GaN) 功率级
LMG2100R026 器件是一款 93V 连续、100V 脉冲、53A 半桥功率级,集成了栅极驱动器和增强型氮化镓 (GaN) FET。该器件由两个 ...
应用笔记:LMG3100R044 100V 4.4mΩ GaN FET,带集成驱动器
LMG3100 器件是一款具有集成驱动器的 100V 连续 120V 脉冲氮化镓 (GaN) FET。该器件提供两种 Rds(on) 和最大电流版本,L...
LMG3624EVM-081评估模块:用于带 USB Type-C® PD 的 65W 准谐振反激式转换器
LMG3624EVM-081 使用具有电流感应仿真功能的 LMG3624 集成 GaN FET 演示了 65W USB Type-C® 功率传输 (PD...
LMG3614 具有集成驱动器和保护功能的 650V 170mΩ GaN FET概述
LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。该LMG3614通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成到 ...
LMG2640 650V 105mΩ GaN 半桥,集成驱动器、保护和电流感应概述
LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半桥,适用于开关模式电源应用。该LMG2640通过在 9mm x 7mm QFN 封装中集成半桥...
LMG3650R035 650V 35mΩ TOLL 封装 GaN FET,集成驱动器和保护概述
LMG365xR035 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能,针对开关模式电源转换器,使设计人员能够将功率密度和效率提升到新的水平。
LMG3650R070 650V 70mΩ TOLL 封装 GaN FET,集成驱动器和保护介绍
LMG365xR070 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能,针对开关模式电源转换器,使设计人员能够将功率密度和效率提升到新的水平。
LMG3100R017 100V 1.7mΩ GaN FET,带集成驱动器介绍
LMG3100 器件是一款具有集成驱动器的 100V 连续 120V 脉冲氮化镓 (GaN) FET。该器件提供两种 Rds(on) 和最大电流版本,L...
LMG3650R025 650V 25mΩ TOLL 封装 GaN FET,集成驱动器、保护和零电压检测介绍
LMG365xR025 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能,针对开关模式电源转换器,使设计人员能够将功率密度和效率提升到新的水平。
LMG2652 650V、140mΩ GaN半桥,集成驱动器、保护和电流感应概述
LMG2652 是一个 650V 140mΩ GaN 功率 FET 半桥。该LMG2652通过在 6mm x 8mm QFN 封装中集成半桥功率 FET...
TI LMG2100R044 具有集成驱动器和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET应用与设计
LMG2100R044 器件是一款 90V 连续、100V 脉冲、35A 半桥功率级,集成了栅极驱动器和增强型氮化镓 (GaN) FET。该器件由两个 ...
TI LMG2100R044 具有集成驱动器和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET
LMG2100R044 器件是一款 90V 连续、100V 脉冲、35A 半桥功率级,集成了栅极驱动器和增强型氮化镓 (GaN) FET。该器件由两个 ...
TI LMG3624 具有集成式驱动器和电流检测仿真功能的 650V 170mΩ GaN FET技术文档
LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。LMG3624 通过在 8mm × 5.3mm QFN 封装...
TI LMG3624 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V 170mΩ GaN FET
LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。LMG3624 通过在 8mm × 5.3mm QFN 封装...
TI LMG2610用于有源钳位反激式转换器的集成 650V GaN 半桥技术文档
LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半桥,适用于 开关模式电源应用中 < 75W 的有源钳位反激式 (ACF) 转换器。LMG...
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