LMG365xR070 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能,针对开关模式电源转换器,使设计人员能够将功率密度和效率提升到新的水平。
*附件:具有集成驱动器和保护功能的 LMG365xR070 650V 70 mΩ GaN FET 数据表.pdf
可调节的栅极驱动器强度允许独立控制导通和最大关断转换速率,可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。导通转换速率可以在 10V/ns 到 100V/ns 之间变化,而关断转换速率可以根据负载电流的大小从 10V/ns 限制到最大值。保护功能包括欠压锁定 (UVLO)、逐周期过流限制、短路和过热保护。LMG3651R070 在 LDO5V 引脚上提供 5V LDO 输出,可用于为外部数字隔离器供电。LMG3656R070 包括零电压检测 (ZVD) 功能,当实现零电压切换时,该功能可从 ZVD 引脚提供脉冲输出。LMG3657R070 包括零电流检测 (ZCD) 功能,当漏源电流为负时,将 ZCD 引脚设置为高电平,并在检测到过零点时转换为低电平。
特性:
- 650V 70mΩ GaN 功率 FET,带集成栅极驱动器
- 200V/ns FET 抑制
- 可调节的转换速率,用于优化开关性能和 EMI 抑制
- 10V/ns 至 100V/ns 导通转换速率
- 10V/ns 至全速关断转换速率
- 采用 9V 至 26V 的电源引脚和输入逻辑引脚工作电压范围
- 强大的保护
- 具有 <300ns 响应的逐周期过流和锁存短路保护
- 在硬开关时可承受 720V 浪涌
- 针对内部过热和 UVLO 监控进行自我保护
- 9.8mm × 11.6mm TOLL 封装,带导热垫
参数

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